瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證證書，而且通過了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導入測試，正式開啟量產(chǎn)交付。
瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應用兼容性，簡化應用系統(tǒng)設計。在產(chǎn)品結構上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關損耗，提升系統(tǒng)效率。
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同時，第二代SiC MOSFET產(chǎn)品依然保持高可靠性與強魯棒性，在AEC-Q101車規(guī)可靠性認證、短路測試、浪涌測試中等評估中表現(xiàn)優(yōu)良。
此外，瞻芯電子將在2023年陸續(xù)推出更多規(guī)格類型的第二代SiC MOSFET，耐壓等級包括650V/750V/1200V/1700V，導通電阻覆蓋14mΩ-50Ω，并且大都采用車規(guī)級標準設計。（文：瞻芯電子）
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