Power Integrations（PI）?近日發(fā)布了據(jù)稱是世界上最高電壓的單開關GaN電源 IC，采用1250V PowiGaN開關。
InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產(chǎn)品系列的最新成員。據(jù)悉，它具有同步整流和FluxLin安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開關選項，包括725V Si 開關、1700V SiC 開關以及其它衍生出的750V、900V和現(xiàn)在1250V耐壓的PowiGaN開關。
圖片來源：PI電源芯片
相比于Si基器件，PI專有的1250V PowiGaN技術的開關損耗不到其1/3，功率變換的效率可以達到93%，有助于實現(xiàn)高緊湊度的反激式電源設計，且在高達85W輸出功率的情況下無需散熱片。
PI技術副總裁Radu Barsan表示：“PI不斷將高壓氮化鎵技術的開發(fā)和商業(yè)應用推進至業(yè)界最高水平。這甚至淘汰了業(yè)界最好的高壓Si MOSFET的使用。我們于2019年即率先向市場大批量出貨了基于GaN的電源IC產(chǎn)品，并于今年早些時候推出了基于GaN的900V的InnoSwitch新品。我們持續(xù)開發(fā)更高電壓的GaN技術，比如本次推出的1250V新品。我們致力于將GaN的效率優(yōu)勢擴展到更廣泛的應用領域，包括目前使用SiC技術的應用領域?！?/p>
PI表示，設計人員可以放心地將新款InnoSwitch3-EP 1250V IC使用在1000V的峰值工作電壓中，器件的絕對值可以滿足80%的行業(yè)降額標準。該器件為工業(yè)應用提供了巨大的裕量，適用于具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境。（來源：PI電源芯片官微）
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