簽約、投產(chǎn)、成果發(fā)布,南京三代半產(chǎn)業(yè)迎新進展

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 09 月 08 日 16:30 | 分類 功率

9月6日,由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心主辦的第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在江寧開發(fā)區(qū)舉行。

會上,多個超百億元產(chǎn)業(yè)項目簽約,國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)集中發(fā)布重大科技攻關成果,同時宣布一期項目竣工投產(chǎn)。

此次集中簽約的項目,形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應用的產(chǎn)業(yè)鏈布局,包括三晶第三代半導體精密裝備及材料產(chǎn)業(yè)化項目等。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

會上,國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)平臺成果發(fā)布,涉及SiC MOSFET、功率模塊等關鍵技術。據(jù)悉,該中心將攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產(chǎn)品”和“面向智能電網(wǎng)和高鐵應用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大產(chǎn)品方向,從碳化硅電力電子的基礎理論、材料生長、器件制備、系統(tǒng)應用等四個方面,聯(lián)合生態(tài)伙伴共同攻關。

當前,國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(南京)一期項目已經(jīng)竣工投產(chǎn),隨著一期項目投運,二期項目的建設也排上日程,媒體報道二期項目將于2024年開建,規(guī)劃年產(chǎn)20萬片8英寸圓片。

(文:全球半導體觀察)

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