“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領先技術的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響。” Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。
2021年10月，由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。
該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產線，能夠讓美國大學，企業(yè)以及政府研究人員進行長期的競爭性研究。該項目的建設周期為五年，第一階段對現(xiàn)有潔凈實驗室的擴建就于明年正式運營。
對于該研究中心來說，這是一筆不菲的資金，但對于美國國家科學基金（NSF）來說，這只是其在寬禁帶半導體布局的一個縮影。
01、美國持續(xù)加注化合物半導體
美國對第三代半導體的資助由來已久，2000年美國能源部、國防部以及科學技術委員會便制定了有關GaN和SiC半導體材料的開發(fā)項目；2010年，美國推出寬禁帶半導體技術創(chuàng)新計劃，推動高性能 SiC、GaN 材料在雷達、武器、電子通信與對抗等系統(tǒng)中的應用。
進入2013年，奧巴馬成立了清潔能源制造創(chuàng)新學院，重點聚焦寬禁帶半導體的研究和發(fā)展，2014年奧巴馬又在北卡羅來納州立大學建立下一代電力電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心，加速、加強寬禁帶半導體技術的研發(fā)和產業(yè)化，美國能源部在此后5年里向該中心提供了7000萬美元的財政支持，另外還將有7000萬美元配套資金分別來自企業(yè)、高校等創(chuàng)新中心成員和北卡羅來納州政府。
此外，2017年，美國能源部又宣布使用創(chuàng)新的拓撲結構和半導體創(chuàng)造新型可靠電路(CIRCUITS)計劃，該計劃投資3000萬美元資助21個項目，聚焦新型電路拓撲結構和系統(tǒng)設計，最大化第三代寬禁帶半導體器件的性能，資助的企業(yè)包括Wolfspeed、Infineon等眾多企業(yè)和機構。在過去的20年里，美國對化合物半導體的關注貫穿了歷屆政府。
02、SiC半導體競賽
根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，受惠于下游應用市場的強勁需求的帶動，SiC正在進入一個高速發(fā)展期。僅以SiC功率元器件來看，截至2026年，SiC功率元器件的市場規(guī)?？蛇_到53.3億美元。
而SiC在新能源汽車、光伏、軍工等領域廣泛應用，也讓其成為各國關注的焦點。目前各主要半導體國家都在針對SiC進行著曠日持久的軍備競賽，而手段包括基金投資，政策扶持，免稅等措施。
美國有未來產業(yè)制造基金（AMF）、國家制造創(chuàng)新網(wǎng)絡（NNMI）、以及國家科學基金（NSF）等眾多具有國家背景的基金對SiC、GaN等寬禁帶半導體進行支持。以國家科學基金（NSF）為例，其不僅支持了阿肯色大學的SiC研究制造中心，還向一家名為MONSTR Sense企業(yè)撥款，以推動后者在SiC和GaN領域檢測設備的開發(fā)。
美國之外，歐洲、日本、韓國等半導體強國也有基金對SiC等寬禁帶半導體進行扶持，這些基金的資金既有來自政府背景的，也有來自民間背景。
除了基金扶持之外，針對從事SiC、GaN等領域研究與制造的企業(yè)，各國也都有相應的稅收減免，包括對設備折舊、知識產權、研發(fā)、股票期權等多方面進行稅收減免。比如，歐洲方面，一些歐盟成員國會提供稅收優(yōu)惠來吸引投資，一些國家會為專利和商標等知識產權的開發(fā)及商業(yè)化提供稅收優(yōu)惠。而日本方面，部分企業(yè)有資格享受研發(fā)費用特別稅收減免，最高可減研發(fā)費用的30%。
03、總結
正如文章開頭Alan Mantooth教授所言，以SiC為首的第三代化合物半導體能夠重塑全新的市場格局，誰能夠領先，誰就掌握了游戲規(guī)則，正是基于此，各半導體大國都在不遺余力的發(fā)展本國SiC產業(yè)。（文：集邦化合物半導體 Jump）
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