5月6日上午，位于武漢市東湖高新區(qū)九龍湖街以南、五峰路以西的武漢新城化合物半導體孵化加速及制造基地項目正式開工。該項目是湖北省重點項目、武漢新城重點建設(shè)科技項目，同時也是九峰山實驗室的重大配套工程。
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據(jù)悉，2023年12月20日，光谷宣布投資50億元建設(shè)化合物半導體孵化加速及制造基地，項目總用地面積約7.5萬平方米，總建筑面積約17萬平方米，包括4棟化合物半導體潔凈廠房、4棟孵化加速辦公廠房以及相關(guān)配套建筑群。
資料顯示，九峰山實驗室位于武漢江夏區(qū)，是湖北十大實驗室之一，已建成化合物半導體產(chǎn)業(yè)較先進、規(guī)模較大的科研及中試平臺。近年來，九峰山實驗室聚焦下一代功率器件技術(shù)的研究，形成了自主可控的成套工藝技術(shù)。
在SiC領(lǐng)域，九峰山實驗室6英寸SiC中試線于2023年8月1日全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線，標志著該實驗室已具備SiC外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務能力。
在首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線后，九峰山實驗室持續(xù)攻克SiC工藝技術(shù)難關(guān)。2023年12月，該實驗室在SiC超結(jié)領(lǐng)域取得新進展：完成具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC多級溝槽超結(jié)器件新結(jié)構(gòu)設(shè)計，優(yōu)化后的超結(jié)肖特基二極管可以實現(xiàn)2000V以上的耐壓，比導通電阻低至0.997mΩ·c㎡，打破了SiC單極型器件的一維極限，同時該超結(jié)器件的多級溝槽刻蝕核心工藝研發(fā)也已完成。（集邦化合物半導體Zac整理）
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