以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。
“蛇吞象”式并購，中瓷電子擬38億買入標的
3月6日晚間，中瓷電子發(fā)布公告稱，公司于2023年3月3日收到深交所關于恢復審核公司本次重大資產重組的通知。此前，該事項被中止的原因是中瓷電子重大資產重組申請文件中記載的評估資料已過有效期。
中瓷電子還發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產并募集配套資金暨關聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權。
三大交易標的基本情況如下：
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據(jù)悉，中瓷電子成立于2009年，2021年在深交所上市。目前，中瓷電子的主營業(yè)務為電子陶瓷系列產品研發(fā)、生產和銷售。
而一旦三大交易標的成功注入中瓷電子，中瓷電子將新增氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應用業(yè)務，業(yè)務結構將發(fā)生較大改變。
值得注意的是，根據(jù)中瓷電子發(fā)布的公告，中瓷電子在2022年三季度末的資產總額為188,425.22萬元、負債總額為65,459.11萬元，也即凈資產為122,966.11萬元。
而本次交易價格為383,098.68萬元，是中瓷電子凈資產的3倍有余。中瓷電子以“蛇吞象”的態(tài)勢，彰顯進軍第三代半導體的強烈愿望。
募資25億，加碼第三代半導體
中瓷電子還同時宣布擬向不超過35名特定對象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過25億，投向以下項目：
其中，“氮化鎵微波產品精密制造生產線建設項目”主要建設以封裝測試環(huán)節(jié)為主的氮化鎵微波產品精密制造生產線，項目涉及的具體產品和產能情況如下：
“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設項目”的研發(fā)課題包括：5G通信大功率基站用新一代高效率氮化鎵射頻芯片與器件技術開發(fā)、5G通信MIMO基站/Qcell基站用高集成度GaN塑封功放技術開發(fā)、射頻微波功率器件可靠性技術、面向6G、星鏈通信用功率器件技術研究、無線通信終端用GaN功率器件技術研究、GaN射頻能量芯片與器件技術研究。
“第三代半導體工藝及封測平臺建設項目”將在國聯(lián)萬眾現(xiàn)有碳化硅功率半導體產線基礎上，搭建碳化硅功率模塊封測線，建設滿足車規(guī)級、風力發(fā)電、高壓電網等應用的SiC功率模塊產品生產能力，并不斷提高SiC功率模塊生產效率，提升產品品質。項目產品涵蓋SiC功率模塊R1、SiC功率模塊R2、SiC功率模塊R3和SiC功率模塊R4產品。
“碳化硅高壓功率模塊關鍵技術研發(fā)項目”擬圍繞碳化硅高壓功率模塊關鍵技術進行研發(fā)，制定了3,300V SiC MOSFET芯片窄線條溝槽刻蝕技術研發(fā)、3,300V SiC MOSFET芯片柵極氧化技術研發(fā)、3,300V SiC MOSFET芯片晶圓減薄技術研發(fā)、3,300V SiC高壓功率模塊封裝技術研發(fā)四個研發(fā)課題，滿足3,300V SiC高壓功率模塊對柵極氧化技術、刻蝕技術、減薄技術和封裝技術等方面的要求，最終實現(xiàn)規(guī)?；慨a的技術目標。
可以看到，若發(fā)行股份購買資產及募集配套資金均得以順利完成，中瓷電子將實現(xiàn)GaN通信射頻芯片設計、制造、封裝、測試和銷售的全產業(yè)鏈布局，并具備碳化硅功率模塊的設計、生產、銷售能力，第三代半導體業(yè)務有望在未來成為公司的長期增長點。
第三代半導體成收購的熱門賽道
事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務。
2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN?Systems，雙方已就此達成最終協(xié)議。在此之前，英飛凌的業(yè)務重心以SiC為主；收購GaN Systems后，英飛凌在第三代半導體領域的業(yè)務版圖變得更加全面；
2023年2月，韓媒報道，韓國LED廠商Lumens已成為氮化鎵材料商Soft-Epi的最大股東。據(jù)悉，Soft-Epi在2022年5月成功開發(fā)了紅色GaN外延片，同年6月又宣布Micro LED用紅色GaN外延片已量產出貨；
2023年1月，美國設備廠宣布收購CVD化學氣相沉積外延設備系統(tǒng)廠Epiluvac AB，加速切入SiC外延設備領域，瞄準高速成長的電動汽車市場的發(fā)展機遇；
2022年11月29日，國星光電宣布正式完成對風華芯電的股權收購，國星光電也借此順利實現(xiàn)從硅基封測到第三代半導體封測全覆蓋、實現(xiàn)從LED封測向半導體封測的跨越；
2022年10月，荷蘭半導體設備制造商ASM宣布已完成對LPE的收購，而LPE是硅基和碳化硅基半導體外延爐設備廠商；
2022年8月，納微半導體正式宣布收購GeneSiC。據(jù)悉，GeneSiC擁有深厚的碳化硅功率器件設計和工藝方面的專業(yè)知識，順利合并后納微半導體將在下一代功率半導體領域創(chuàng)建了一個全面的、行業(yè)領先的技術組合。
對第三代半導體領域優(yōu)質標的的收購案例數(shù)不勝數(shù)，這主要是得益于SiC、GaN所擁有的廣闊的未來。TrendForce集邦咨詢表示，SiC、GaN在800V汽車電驅系統(tǒng)、高壓快充樁、消費電子適配器、數(shù)據(jù)中心及通訊基站電源等領域的滲透率正快速提升。
市場容量方面，TrendForce集邦咨詢研究推估，第三代功率半導體產值將在2025年成長至47.1億美元，年復合成長率達48%。（文：集邦化合物半導體 Winter）
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