近日，揚杰科技發(fā)布公告宣布擬公開摘牌參與受讓湖南楚微半導體科技有限公司（以下簡稱：楚微半導體）30%的股權，完善8英寸功率半導體芯片生產線布局，滿足市場對MOSFET、IGBT等持續(xù)增長的需求。
公告顯示，湖南高新創(chuàng)業(yè)投資集團有限公司（以下簡稱“湖南高新創(chuàng)投集團”）擬通過公開掛牌方式轉讓其持有的楚微半導體30%的股權，揚杰科技擬使用自有資金以公開摘牌方式參與本次轉讓項目，轉讓底價為29,376萬元，具體金額以競價結果確定。目前，揚杰科技尚未簽署產權交易合同。
值得注意的是，揚杰科技去年6月剛以2.95億元取得了楚微半導體40%的股權，若此番最終受讓方仍為揚杰科技，交易完成后，揚杰科技將持有楚微半導體70%的股權，后者成為其控股子公司，納入公司合并報表。若交易完成，楚微半導體的股權結構如下：
據介紹，楚微半導體主要在8英寸生產工藝平臺生產及銷售半導體功率器件芯片，產品主要包括高、中、低壓溝槽式MOSFET芯片和溝槽式光伏二極管芯片等，后續(xù)將向SiC碳化硅芯片等產品拓展。2022年，楚微半導體實現營收1.39億元，凈利潤為-5103萬元。
目前，楚微半導體已實現8英寸線的規(guī)?；a，月產近2萬片，產能持續(xù)爬坡中。SiC產能方面，楚微半導體正在建設一條月產5000片的6英寸SiC芯片生產線，根據去年交易的特別約定，揚杰科技負責籌措楚微半導體二期建設資金，確保后者最遲在2024年12月31日前完成增加建設這條6英寸SiC芯片生產線及一條月產3萬片的8英寸硅基芯片生產線。
在第三代半導體領域，揚杰科技已有多年的技術、產品及產能儲備。早在2015年，揚杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產業(yè)化建設項目。目前，揚杰科技已組建了相關設計、測試、工藝等人才，持續(xù)增加對第三代半導體芯片行業(yè)的投入，加大在SiC、GaN功率器件等產品研發(fā)力度。
2022年上半年，揚杰科技開發(fā)了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二極管產品，并獲得國內Top 10光伏逆變器客戶的認可，完成了批量出貨。MOSFET產品方面，1200V 80mohm SiC MOSFET系列產品也已獲得客戶認可，并實現量產。
現階段，揚杰科技各系列產品中，MOSFET系列相關產品營收占比較高，IGBT和SiC系列產品營收占比還比較低，但增長速度很高，占比也在逐步增長。若本次交易完成，揚杰科技的產品譜系及全系列產能也將進一步完善，有利于其突破產能瓶頸，提升制造工藝水平，進一步發(fā)揮IDM一體化優(yōu)勢，強化中高端功率器件布局。
另值得一提的是，揚杰科技在IGBT、MOSFET、SiC等高端產品領域短期內采用Fabless模式，積極與主流晶圓代工廠保持長期合作。若未來持有楚微半導體70%的股權，那么揚杰科技在SiC芯片制造、產業(yè)協同、成本管控等方面的綜合能力有望進一步提升，而其經營模式是否會隨著發(fā)生改變，也將備受矚目。（化合物半導體市場Jenny整理）
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