國產(chǎn)8英寸SiC設備獲重大突破

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 06 月 28 日 17:11 | 分類 碳化硅SiC

昨日,晶盛機電表示已于近日成功研發(fā)出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備。

圖片來源:晶盛機電

8英寸碳化硅晶圓的邊緣損耗更小、可利用面積更大,未來通過產(chǎn)量和規(guī)模效益的提升,成本有望降低60%以上。為未來碳化硅材料大規(guī)模應用提供低成本的先決條件。

晶盛機電稱,8英寸單片式碳化硅外延設備可兼容6、8英寸碳化硅外延生產(chǎn),在6英寸外延設備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術基礎上,解決了腔體設計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題,實現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。

圖片來源:晶盛機電

公司在子公司晶瑞的8 英寸襯底基礎上,已實現(xiàn)8 英寸單片式碳化硅外延生長設備的自主研發(fā)與調試,外延的厚度均勻性1.5%以內、摻雜均勻性4%以內,達到行業(yè)領先水平。為國內碳化硅行業(yè)技術、產(chǎn)能升級提供充分的設備保障。

晶盛機電戰(zhàn)略定位先進材料、先進裝備市場,圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開發(fā)一系列關鍵設備,業(yè)務同時延伸至化合物半導體材料領域。

碳化硅方面,據(jù)此前報道,晶盛機電8英寸N型SiC襯底將小批量生產(chǎn);公司已與客戶A形成采購意向(公司公告),2022年-2025年將優(yōu)先向其提供碳化硅襯底合計不低于23萬片;計劃在寧夏銀川建設年產(chǎn)40萬片6英寸以上導電+絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)能,計劃于2022年試生產(chǎn)。

晶盛機電2023年第一季度報告營業(yè)收入為36億元,同比增長84.37%。歸屬于上市公司股東的凈利潤為8.87億元,同比增長100.43%。歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為8.74億元,同比增長102.41%。(文:集邦化合物半導體 Amber整理)

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