近日，斯達半導體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地項目宣布開工，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目簽約無錫高新區(qū)。
斯達半導體
6月20日，西部科學城重慶高新區(qū)舉行重點產(chǎn)業(yè)項目集中開工活動，本次開工10個重大項目，總投資185億元，
其中，斯達半導體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地項目總投資4億元，由斯達在科學城設(shè)立控股公司，投資建設(shè)車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地，擬用地40畝，實現(xiàn)主控制器用大功率車規(guī)級IGBT模塊、車規(guī)級碳化硅模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。該項目擬實現(xiàn)模塊生產(chǎn)100萬片。
日前，斯達半導體宣布與深藍汽車組建了一家全新合資公司名為“重慶安達半導體有限公司”。雙方將圍繞車規(guī)級功率半導體模塊開展合作，共同推進下一代功率半導體在新能源汽車領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用，助力中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
同濟大學
6月20日，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目簽約無錫。項目由同濟大學國家級創(chuàng)新技術(shù)團隊聯(lián)袂世界領(lǐng)先的半導體單晶生長和加工裝備制造企業(yè)連城數(shù)控、半導體襯底片加工企業(yè)青島華芯在無錫高新區(qū)設(shè)立。
項目重點實施“氧化鎵晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”“藍寶石晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”和“磁光晶體制造、裝備和工藝技術(shù)”等“卡脖子”項目的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)“人工晶體生長”“精密光學加工”“檢測裝備與技術(shù)”等公共服務(wù)平臺，建立院士工作站，掛牌“同濟大學人工晶體研究院”等項目內(nèi)容。（文：集邦化合物半導體 Arely整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。