據(jù)外媒報道，納微半導(dǎo)體日前宣布了SiC外延片產(chǎn)能建設(shè)計劃，以加強(qiáng)對產(chǎn)業(yè)鏈控制、減少成本并提高其GeneSiC碳化硅業(yè)務(wù)的營收能力。
根據(jù)規(guī)劃，公司將投資2000萬美元，在位于加利福尼亞州托倫斯的總部建立一個三反應(yīng)腔的SiC外延生長設(shè)施，第一臺具有6、8英寸晶圓處理能力的AIXTRON G10-SiC外延設(shè)備預(yù)計將于2024年安裝到位并投產(chǎn)。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
納微半導(dǎo)體將其新設(shè)施提供的外延片制造視為關(guān)鍵工藝步驟，可以支持高達(dá)2億美元的額外年產(chǎn)量。該公司同時預(yù)計，將繼續(xù)使用第三方供應(yīng)商進(jìn)行額外的外延生長、晶圓制造和封裝操作。
納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營官/首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Dan Kinzer表示：“在原始SiC襯底上生長高質(zhì)量的外延層是單個設(shè)備制造的關(guān)鍵工藝步驟，將AIXTRON提供的能力添加到現(xiàn)有的分包工藝流程中可擴(kuò)大可用產(chǎn)能，降低成品晶圓成本，增加質(zhì)量并縮短周期時間” 。
2022年8月，納微半導(dǎo)體并購了GeneSiC碳化硅公司，將原本的GaNFast氮化鎵功率芯片產(chǎn)品線擴(kuò)展，新增GeneSiC碳化硅產(chǎn)品線，納微第三代半導(dǎo)體采用“雙引擎戰(zhàn)略”推進(jìn)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。