SiC、GaN等第三代半導體有什么疑慮?

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 06 日 17:40 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

關于第三代半導體的疑慮,這場研討會都有答案。

第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點,先天性能優(yōu)越,是新能源汽車、5G、光伏等領域的“香餑餑”。然而,現(xiàn)實與理想之間尚有較大差距,我們對第三代半導體的發(fā)展仍存疑慮:

前途光明,但入局者眾多、行業(yè)競爭激烈,第三代半導體業(yè)者如何才能更快實現(xiàn)降本增效?

政策支持、資本熱捧下,第三代半導體業(yè)務何時才能達到“奇點時刻”、成為相關企業(yè)的又一利潤增長點?

國際環(huán)境復雜多變,對于第三代半導體產業(yè)的發(fā)展而言,利與弊是什么?企業(yè)應當如何規(guī)避風險?

碳化硅、氮化鎵方興未艾,氧化鎵便洶涌而來,第三代半導體是否仍值得持續(xù)發(fā)力?

碳化硅襯底方面,中國企業(yè)在產能、良率、代際等方面與國際企業(yè)之間的差距,如何跨越?

氮化鎵方面,盡管氮化鎵器件能夠提供更高的功率和帶寬,但其終端應用仍待開發(fā),下一步應當如何發(fā)展?

為進一步剖析第三代半導體的現(xiàn)狀和未來。2023年6月15日,TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導體前沿趨勢研討會”,邀全球知名的第三代半導體專家、院校代表、專業(yè)研究機構、企業(yè)工程師等齊聚一堂,為第三代半導體產業(yè)的發(fā)展建言獻策,共同促進第三代半導體產業(yè)的發(fā)展和升級。