昨日，深圳青銅劍科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“深圳青銅劍”）科技大廈順利封頂。
青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市年度重大項(xiàng)目，位于坪山區(qū)丹梓大道與光科三路交匯處西南角，占地逾8000平方米，總建筑面積近50000平方米。
該基地于2021年1月正式開(kāi)工，將作為青銅劍科技集團(tuán)總部，同時(shí)建設(shè)第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心、車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件封裝線(xiàn)和中歐創(chuàng)新中心孵化器等，最終形成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的具備全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)和生產(chǎn)制造能力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。
圖片來(lái)源：基本半導(dǎo)體
青銅劍技術(shù)專(zhuān)注于IGBT、MOSFET和碳化硅等功率半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、軌道交通、新能源發(fā)電、工業(yè)節(jié)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，為超過(guò)300家客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的電力電子核心元器件產(chǎn)品和解決方案服務(wù)。
2018年，中國(guó)中車(chē)旗下的中車(chē)時(shí)代投資與青銅劍技術(shù)簽署戰(zhàn)略投資協(xié)議，將加快青銅劍技術(shù)在IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的研發(fā)，推動(dòng)以中國(guó)高鐵為代表的中國(guó)高端制造拓展海內(nèi)外市場(chǎng)。
據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021年，深圳市IC產(chǎn)業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入超過(guò)1100億元，預(yù)計(jì)到2025年，產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將突破2500億元。
其中，第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要?jiǎng)?chuàng)新方向之一，在國(guó)家《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域，也是深圳重點(diǎn)扶持產(chǎn)業(yè)。在深圳2500億營(yíng)收目標(biāo)中，第三代半導(dǎo)體將成為重要助力。
今年6月，深圳市政府在發(fā)布的《培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2022-2025年）》通知中明確提出，深圳將重點(diǎn)布局12英寸硅基和6英寸及以上化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線(xiàn)。提升氮化鎵和碳化硅等化合物半導(dǎo)體材料與設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)水平，加速器件制造技術(shù)開(kāi)發(fā)、轉(zhuǎn)化和首批次應(yīng)用。
同時(shí)，面向5G通信、新能源汽車(chē)、智能終端等新興應(yīng)用市場(chǎng)，大力引進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。并且，鼓勵(lì)企業(yè)推廣試用化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品，提升系統(tǒng)和整機(jī)產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Cecilia整理）
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