“一次傳質(zhì)”工藝是采用一次傳質(zhì)的新熱場(chǎng)，傳質(zhì)效率提高且基本恒定，降低再結(jié)晶影響（避免二次傳質(zhì)），有效降低了微管或其它關(guān)聯(lián)晶體缺陷。平衡氣相組分，隔斷微量雜質(zhì)，調(diào)節(jié)局部溫度，減少碳包裹等物理性顆粒，在滿(mǎn)足晶體可用的前提下，晶體厚度大幅增加，是解決晶體長(zhǎng)厚的核心技術(shù)之一。
恒普科技在2021年，推出的“一次傳質(zhì)”的新工藝，雖然效果突出，但采用筒形多孔石墨用料多，且大孔隙率的多孔石墨需要依賴(lài)進(jìn)口，急劇增加了晶體生長(zhǎng)的成本，大大阻礙了”一次傳質(zhì)“新工藝的推廣，使sic晶體生長(zhǎng)技術(shù)無(wú)法與國(guó)際同步。
為了推動(dòng)晶體 “長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚，長(zhǎng)大”，如何解決多孔石墨的瓶頸？是行業(yè)的迫切需求，多孔石墨的孔隙率、孔隙大小、空隙分布、強(qiáng)度、最薄可加工尺寸、蝕刻特性等技術(shù)參數(shù)都極具挑戰(zhàn)，與工藝匹配更是難點(diǎn)。
恒普科技突破性的解決了多孔石墨的技術(shù)，加速推動(dòng)“一次傳質(zhì)”新工藝的使用，使行業(yè)能成本可循環(huán)、快速、靈活的與國(guó)際技術(shù)同步發(fā)展，解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴(lài)，并達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
孔隙率最高可達(dá)65%（國(guó)際領(lǐng)先）
空隙分布均勻；
批次穩(wěn)定性高；
強(qiáng)度高，加工性可以達(dá)到≤1mm超薄壁圓筒形狀 (國(guó)際領(lǐng)先）。
來(lái)源：恒普科技
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