文章分類： 氮化鎵GaN

英飛凌擬收購(gòu)氮化鎵芯片龍頭GaN Systems

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 03 日 17:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月2日，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購(gòu)GaN Systems，雙方已就此達(dá)成最終協(xié)議。不過(guò)，本次交易最終還取決于監(jiān)管部門(mén)的批準(zhǔn)等慣例成交條件。 據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，GaN Systems的經(jīng)營(yíng)模式是Fab...  [詳內(nèi)文]

芯際探索新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)基地投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 02 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月23日，貴州芯際探索科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯際探索”）生產(chǎn)基地投產(chǎn)儀式在貴陽(yáng)市花溪區(qū)舉行。 芯際探索于2022年3月1日正式簽約，2022年7月進(jìn)場(chǎng)裝修、調(diào)試，僅用半年時(shí)間就完成了萬(wàn)級(jí)凈化廠房裝修、半導(dǎo)體器件封裝生產(chǎn)線的調(diào)試和通線。 項(xiàng)目規(guī)劃投資3億元，主要從事國(guó)產(chǎn)新型功率...  [詳內(nèi)文]

愛(ài)思強(qiáng)2022年?duì)I收約34億，GaN/SiC設(shè)備收入占比最高

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 01 日 17:19 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在2022年大環(huán)境不利的情況下，海內(nèi)外大多數(shù)廠商業(yè)績(jī)表現(xiàn)不佳，但設(shè)備廠商中逆勢(shì)成長(zhǎng)的例子卻不少，比如國(guó)內(nèi)MOCVD設(shè)備廠中微公司，其在去年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收與凈利潤(rùn)雙增長(zhǎng)，新簽訂單金額約為63.2億元，同比增長(zhǎng)約53.0%。 國(guó)際MOCVD設(shè)備廠商愛(ài)思強(qiáng)（AIXTRON SE）昨日也公布了...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 01 日 9:01 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，上海瞻芯電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）完成數(shù)億元B輪融資，本輪融資由國(guó)方創(chuàng)新領(lǐng)投，國(guó)中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長(zhǎng)石資本等眾多機(jī)構(gòu)跟投，老股東臨芯投資、光速中國(guó)、廣發(fā)信德持續(xù)追加。 2022年12月 ，瞻芯電子剛剛完成了數(shù)億元Pre-B輪融資。由上...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)第一，這顆6英寸氧化鎵單晶擊碎“卡脖子”

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 01 日 8:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
昨（27）日，中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（中國(guó)電科）宣布，近日，中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 01、中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶 氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以β-Ga2O...  [詳內(nèi)文]

納微2022全年?duì)I收2.64億，GaN和SiC業(yè)務(wù)并進(jìn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:22 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月23日，納微半導(dǎo)體公布了2022年Q4及全年財(cái)報(bào)，回顧了2022年的“高光時(shí)刻”，并表達(dá)了對(duì)2023年業(yè)務(wù)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張、業(yè)績(jī)強(qiáng)勁增長(zhǎng)的憧憬。 2022年業(yè)績(jī)回顧 2022年，納微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3790萬(wàn)美元（約合人民幣2.64億元），同比增長(zhǎng)60%；其中，Q4實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1230萬(wàn)美元...  [詳內(nèi)文]

近60家芯片企業(yè)融資完成，透露什么？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:19 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年已過(guò)去快兩個(gè)月，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從消沉走向復(fù)蘇仍然還有一段距離，不過(guò)細(xì)分領(lǐng)域的逆勢(shì)增長(zhǎng)有望給投資市場(chǎng)或半導(dǎo)體企業(yè)打入一劑強(qiáng)心針。 據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，近期共有57家半導(dǎo)體企業(yè)完成階段融資，這些企業(yè)涉及第三代半導(dǎo)體、車規(guī)級(jí)芯片、毫米波雷達(dá)芯片、傳感器等領(lǐng)域。據(jù)披露的...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)科大研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 17:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái)在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 相關(guān)研究成果分別以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shaped g...  [詳內(nèi)文]

Transphorm公布最新財(cái)報(bào)，高功率GaN收入占比超70%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 16:41 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
日前，高壓功率轉(zhuǎn)換GaN供應(yīng)商Transphorm 公布了2023財(cái)年第三季度（截至2022年12月31日）的財(cái)報(bào)，多項(xiàng)業(yè)務(wù)取得重要進(jìn)展，營(yíng)收表現(xiàn)良好。 上個(gè)季度，Transphorm 實(shí)現(xiàn)營(yíng)收450萬(wàn)美元（約合人民幣3125萬(wàn)元），環(huán)比增長(zhǎng)22%，同比微減2%。產(chǎn)品收入環(huán)比增長(zhǎng)...  [詳內(nèi)文]

總投資8億、年產(chǎn)能120萬(wàn)套，芯動(dòng)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 16:37 | | 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)長(zhǎng)城汽車官網(wǎng)消息，2月26日，長(zhǎng)城無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：芯動(dòng)半導(dǎo)體）“第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)項(xiàng)目”奠基典禮在無(wú)錫舉行。 圖源：長(zhǎng)城汽車官網(wǎng) 該項(xiàng)目總投資8億元，建筑面積約30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級(jí)模組年產(chǎn)能120萬(wàn)套，預(yù)計(jì)在2023年9月具備設(shè)備全面入廠條件，最...  [詳內(nèi)文]