近日,西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片,這一成果標(biāo)志著我校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。
圖片來(lái)源:西郵新聞網(wǎng)
據(jù)陳海峰教授介紹,氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的耐高壓與日盲...  [詳內(nèi)文]
西安郵電大學(xué)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片 |
作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2023 年 03 月 10 日 17:14
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關(guān)鍵字:
氧化鎵
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