又一氧化鎵企業(yè)獲融資!

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 08 月 01 日 17:15 | 分類 氮化鎵GaN

近日,北京鎵和半導體有限公司(以下簡稱“鎵和半導體”)正式宣布完成六千五百萬元A輪融資,由凱石資本領投,海通證券、正為資本、盈添投資跟投。

鎵和半導體成立于2021年,是一家超寬禁帶半導體材料氧化鎵襯底及外延制造商,主營氧化鎵單晶襯底及外延晶片、單晶及外延生長設備、高靈敏日盲紫外探測器件、大功率電力電子器件等氧化鎵相關產品。

圖片來源:拍信網正版圖庫

鎵和半導體自成立以來,共申請國內發(fā)明專利18項,擁有四項核心技術:氧化鎵單晶生長技術、氧化鎵襯底加工技術、氧化鎵薄膜外延技術、氧化鎵器件技術。

氧化鎵是一種超寬禁帶材料,擁有超寬帶隙(4.2-4.9eV)、超高臨界擊穿場強(8MV/cm)、超強透明導電性等優(yōu)異物理性能,它的各項性能指標較硅、碳化硅以及氮化鎵有著顯著的優(yōu)勢。

目前,各國半導體企業(yè)都在爭相布局氧化鎵,但均在產業(yè)化前夜。氧化鎵或許可以成為我國突破“卡脖子”的機遇。(文:集邦化合物半導體 Doris整理)

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