據韓媒報道，日前，韓國舉辦了“氧化鎵功率半導體技術路線圖研討會”，會上公布了氧化鎵專利申請情況。
根據AnA Patent對韓國、中國、美國、歐洲、日本等6個主要PCT國家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導體元件有效專利分析，截至2021年9月共有1011件專利，其中中國擁有328件，日本擁有專利313件，兩國專利數量占總數的50%以上。2021年9月至2022年11月新增的460件專利中，大部分來自中國（240 件）和日本（87件）。
AnA Patent專利代理人表示，“僅過了1年零2個月，氧化鎵功率半導體元件相關專利數就增加了50%左右，世界各國的專利確保動向非?；钴S。雖然不能僅憑專利就討論實際技術能力，但值得關注的是，中國和日本申請了大量專利?！?/p>
氧化鎵，是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導體材料，以β-Ga2O3單晶為基礎材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導通電阻，從而擁有更低的導通損耗和更高的功率轉換效率，在功率電子器件方面具有極大的應用潛力。
圖片來源：拍信網正版圖庫
今年以來，我國在氧化鎵領域突破不斷。
2月，中國科學技術大學微電子學院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺在氧化鎵功率電子器件領域取得重要進展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。
同月，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。
3月，西安郵電大學由電子工程學院管理的新型半導體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。（文：集邦化合物半導體 Doris整理）
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