9月24日晚間，聞泰科技發(fā)布公告稱，其全資子公司安世半導(dǎo)體擬投資境外基金，最高出資500萬歐元（約4000萬人民幣）。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
公告顯示，聞泰科技全資子公司安世半導(dǎo)體擬投資境外基金Amadeus APEX Technology EuVECA GmbH & Co KG，并承諾初始資本投資為385萬歐元，后續(xù)將根據(jù)實(shí)際情況追加投資，總投資額不超過500萬歐元。
聞泰科技表示，標(biāo)的基金的重點(diǎn)投資方向包括人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)、量子技術(shù)/光子學(xué)、移動(dòng)性與空間創(chuàng)新、自主系統(tǒng)與機(jī)器人技術(shù)，以及其他新興科技領(lǐng)域（如新型材料）。安世半導(dǎo)體參與的重點(diǎn)仍然是其核心競(jìng)爭(zhēng)力相關(guān)領(lǐng)域，旨在增強(qiáng)為上述技術(shù)領(lǐng)域的基本應(yīng)用開發(fā)基本半導(dǎo)體解決方案的經(jīng)驗(yàn)。
目前，聞泰科技主營(yíng)業(yè)務(wù)分為半導(dǎo)體與產(chǎn)品集成兩大方向。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)采用IDM垂直整合制造模式，產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二極管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及模擬IC和邏輯IC。
在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，2023年，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了氮化鎵產(chǎn)品D-mode系列產(chǎn)品工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域的銷售，同時(shí)D-mode產(chǎn)品通過所有測(cè)試認(rèn)證，于2024年開始銷售。碳化硅方面，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了碳化硅整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的測(cè)試驗(yàn)證，以及碳化硅MOS產(chǎn)品線的建立，推動(dòng)產(chǎn)品進(jìn)入1200V高壓市場(chǎng)，拓展新的增長(zhǎng)空間。今年上半年，聞泰科技加快了功率分立器件（IGBT、SiC和GaN）和模塊等的研發(fā)。
作為聞泰科技全資子公司，安世半導(dǎo)體在今年6月宣布，計(jì)劃投資2億美元（約14億人民幣）開發(fā)碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，從今年6月開始，安世半導(dǎo)體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國(guó)開發(fā)和生產(chǎn)。
同月，安世半導(dǎo)體首批高壓氮化鎵D-mode晶體管和碳化硅二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體指出，下一個(gè)里程碑將是建設(shè)碳化硅MOSFET和低壓氮化鎵HEMT8英寸現(xiàn)代化高性價(jià)比生產(chǎn)線，這些產(chǎn)線預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)在漢堡工廠建成。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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