盡管目前市場上SiC襯底產品仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及，但國內SiC襯底頭部廠商普遍都在積極布局8英寸，其中就包括南砂晶圓。
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早在2022年9月，南砂晶圓就聯(lián)合山東大學成功實現(xiàn)8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑制備了8英寸導電型4H-SiC單晶，并加工成厚度為520μm的8英寸4H-SiC襯底。
為加速8英寸SiC襯底產業(yè)化，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目于2023年6月12日落地山東濟南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產業(yè)化項目正式備案。
今年3月，南砂晶圓總經(jīng)理王垚浩在接受采訪時表示，該公司正在積極擴產濟南廠區(qū)，計劃將中晶芯源項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產基地，投資額15億元，于2025年實現(xiàn)滿產達產。
而在近日，中晶芯源8英寸SiC項目傳出了最新進展。6月22日，新一代半導體晶體技術及應用大會在濟南開幕。開幕式上，中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投產。
目前，南砂晶圓致力于降本增效。今年5月，南砂晶圓與中機新材簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。后者已在第三代半導體晶圓研磨拋光應用領域取得多項關鍵性技術突破，其首創(chuàng)的團聚金剛石技術，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產過程中的環(huán)保和成本痛點。與中機新材合作，南砂晶圓有望在SiC產線關鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)降本。
伴隨著8英寸SiC項目投產，南砂晶圓有望進一步降低成本、提升SiC襯底產品競爭力，進而獲取更多的市場份額。（集邦化合物半導體Zac整理）
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