據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目首棟宿舍樓日前提前封頂，這標(biāo)志著該項(xiàng)目進(jìn)入投產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，預(yù)計(jì)于今年6月全面封頂，明年7月投產(chǎn)。
source：中國(guó)光谷
長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目位于武漢新城中心片區(qū)，由長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體（武漢）有限公司出資建設(shè)，總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元。
該項(xiàng)目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，應(yīng)用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域，致力于打造全智能化、世界一流的SiC器件制造標(biāo)桿工廠。項(xiàng)目建成后，將成為國(guó)內(nèi)最大的SiC功率半導(dǎo)體制造基地。
項(xiàng)目由中建一局承建，占地面積約22.94萬(wàn)平方米，建筑面積約30.15萬(wàn)平方米，主要建設(shè)內(nèi)容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等，建設(shè)周期為578日歷天。
項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸SiC晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊，產(chǎn)能位居全國(guó)前列，將促進(jìn)設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試等產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力合作，助力武漢打造國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。
公開(kāi)資料顯示，長(zhǎng)飛先進(jìn)專注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國(guó)內(nèi)一流的產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。、
source：長(zhǎng)飛先進(jìn)
從產(chǎn)能端來(lái)看，長(zhǎng)飛先進(jìn)目前可年產(chǎn)6萬(wàn)片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬(wàn)只功率模塊、1800萬(wàn)只功率單管。
從產(chǎn)品端來(lái)看，長(zhǎng)飛先進(jìn)可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品。公司擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V Gen3 SiC MOSFET設(shè)計(jì)及工藝平臺(tái)，15mΩ產(chǎn)品比導(dǎo)通電阻（Ron，sp）已達(dá)3.4mΩ·cm2，躋身國(guó)際先進(jìn)水平。此外，長(zhǎng)飛先進(jìn)基于該平臺(tái)的主驅(qū)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達(dá)80%。
從合作端來(lái)看，去年10月，長(zhǎng)飛先進(jìn)與奇瑞汽車攜手成立汽車芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。未來(lái)，雙方將充分發(fā)揮各自領(lǐng)域的技術(shù)和資源優(yōu)勢(shì)，在車規(guī)級(jí)芯片及其汽車應(yīng)用技術(shù)、市場(chǎng)開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域展開(kāi)廣泛合作。此外，據(jù)透露，長(zhǎng)飛先進(jìn)正在籌建SiC功率器件應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，計(jì)劃與安徽省內(nèi)新能源產(chǎn)業(yè)深化合作，協(xié)同發(fā)展，合力打造SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。（來(lái)源：中國(guó)光谷、集邦化合物半導(dǎo)體）
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