近日，據(jù)西永微電園官微消息，重慶三安相關負責人表示，三安意法半導體項目已實現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂，正在進行室內(nèi)裝修和設備采購，預計今年8月將實現(xiàn)點亮投產(chǎn)，比原計劃提前2個月。據(jù)此前消息，重慶三安意法半導體項目包括一個SiC功率芯片廠和一個SiC襯底廠。
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據(jù)悉，2023年6月，意法半導體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠，進行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設總額預計約32億美元（約230億人民幣），占地462畝，總建筑面積26.5萬平方米，采取一次建設分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸車規(guī)級SiC MOSFET功率芯片48萬片，主要應用在新能源汽車主驅(qū)逆變器、充電樁和車載充電器上。
意法半導體官網(wǎng)資料顯示，該合資廠將采用意法半導體SiC專利制造工藝技術，專注于為意法半導體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露，該工廠制造的SiC外延、芯片將獨家銷售給意法半導體或其指定的任何實體。
為主導該合資項目實施，湖南三安半導體有限責任公司和意法半導體（中國）投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導體有限公司，注冊資金6.12億美元，雙方持股比例分別為51%、49%。
為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，規(guī)劃總投資70億人民幣，占地276畝，采取一次建設分期投產(chǎn)方式，規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬片，合資公司將與湖南三安簽訂長期SiC襯底供應協(xié)議。
為推進SiC襯底制造廠項目實施，湖南三安半導體有限責任公司于2023年7月全資設立重慶三安半導體有限責任公司，注冊資本18億人民幣。
整體來看，重慶三安意法半導體項目總投資約300億元，全面整合了8英寸車規(guī)級SiC襯底、外延、芯片的研發(fā)制造，致力于建設技術先進的8英寸SiC襯底和芯片工廠。（集邦化合物半導體Zac整理）
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