天眼查資料顯示，4月5日，華為技術(shù)有限公司公開一項“擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方法”專利，申請公布號為CN117822097A，申請日期為2022年9月28日。
source：天眼查
該專利摘要顯示，本申請實施例公開了一種擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方法，涉及碳化硅晶體技術(shù)領(lǐng)域，有效改善晶體質(zhì)量。具體方案為：于晶體生長爐內(nèi)設(shè)置擋板，該擋板的通道可改變爐體內(nèi)氣相源的運(yùn)動方向，將氣相源的運(yùn)動方向改變?yōu)樾毕蛏?，使氣相源朝向籽晶的小面運(yùn)動。本申請實施例可提高晶體的生長速度，提高晶體的厚度和質(zhì)量，降低微管密度。另外，選用低密度石墨作為擋板的材料，當(dāng)通道被封堵后，低密度石墨內(nèi)的孔隙可以供氣體通過，能進(jìn)一步降低晶體內(nèi)包裹物的含量，提高晶體質(zhì)量。
目前，華為正在全面布局SiC產(chǎn)業(yè)。產(chǎn)品方面，2023年4月，華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會，發(fā)布了搭載高效SiC技術(shù)的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”。
據(jù)華為介紹，DriveONE新一代超融合黃金動力平臺是業(yè)界最高效率量產(chǎn)高壓同步總成解決方案，基于高效SiC模組以及華為電機(jī)仿真尋優(yōu)平臺，華為打造92%CLTC效率的業(yè)界最高效的CLTC工況動力總成，相對于業(yè)界同類方案，效率領(lǐng)先1.5個百分點；這款平臺同時支持750V和900+V雙電壓適配，在250A的快充樁上就可以實現(xiàn)極速4C充電，7.5分鐘把電池SOC從30%提升到80%，續(xù)航增加250km。
合作方面，2023年11月，華為攜手奇瑞發(fā)布的智界S7電動汽車，就搭載了全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動力平臺。據(jù)悉，全新一代DriveONE 800V高壓SiC黃金動力平臺搭載了行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高轉(zhuǎn)速的電機(jī)，這款電機(jī)的每分轉(zhuǎn)速高達(dá)22000轉(zhuǎn)。
通過采用高壓SiC技術(shù)，華為將電機(jī)的最高效率提升到了98%。這意味著在相同的電量消耗下，華為的電機(jī)能夠提供更高的動力輸出，從而為車輛帶來更好的加速性能和行駛效率。
投資方面，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計，截至目前，華為通過旗下華為哈勃投資了SiC襯底企業(yè)山東天岳、天科合達(dá)，外延企業(yè)天域半導(dǎo)體、瀚天天成，設(shè)備相關(guān)企業(yè)特思迪，材料相關(guān)企業(yè)德智新材，華為投資對象遍及SiC全產(chǎn)業(yè)鏈。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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