近日，天岳先進臨港工廠第二階段擴產(chǎn)項目、杭州士蘭測試生產(chǎn)基地項目、三責新材南通半導體設備用SiC部件項目二期等均披露了最新進展。
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天岳先進：臨港工廠第二階段產(chǎn)能規(guī)劃步入議程
根據(jù)2022年募投計劃，天岳先進于上海臨港建設SiC襯底生產(chǎn)基地，擴大公司導電型SiC單晶襯底產(chǎn)能，原計劃于2022年試生產(chǎn)、2026年達產(chǎn)，實現(xiàn)年產(chǎn)能30萬片導電型SiC襯底。
今年2月，天岳先進曾表示，上海臨港新工廠已于2023年5月開始交付6英寸導電型SiC襯底，目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。按照目前的進展來看，天岳先進預計將提前實現(xiàn)達產(chǎn)。
在上海臨港開始交付6英寸襯底產(chǎn)品基礎上，天岳先進在2023年下半年決定將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴大至96萬片/年，相當于產(chǎn)能比原計劃擴大220%。上海臨港工廠達產(chǎn)后，將成為天岳先進導電型SiC襯底主要生產(chǎn)基地。
3月25日，天岳先進在投資者互動平臺表示，目前臨港工廠擴產(chǎn)進展順利，產(chǎn)品交付有序推進。目前臨港工廠第二階段的產(chǎn)能規(guī)劃也已經(jīng)步入議程，公司將繼續(xù)根據(jù)下游市場和客戶需求情況，推進臨港工廠產(chǎn)能產(chǎn)量提升。
天岳先進近日發(fā)布的2023年度業(yè)績快報顯示，其在2023年實現(xiàn)營收約12.51億元，同比增長199.90%。關于營收增長原因，天岳先進表示，主要是SiC半導體材料市場規(guī)模不斷擴大，公司導電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量的持續(xù)提升，導電型產(chǎn)品營業(yè)收入大幅增長所致。
隨著上海臨港工廠第二階段產(chǎn)能規(guī)劃逐步落地實施，天岳先進營收有望繼續(xù)保持較高增速。
杭州士蘭測試生產(chǎn)基地項目開工
3月20日，士蘭微旗下杭州士蘭測試生產(chǎn)基地項目正式開工。
浙江中南控股集團消息顯示，杭州士蘭測試生產(chǎn)基地項目總用地面積49072㎡；項目總建筑面積96214㎡，其中新建地下總建筑面積26992.32㎡，擬主要建設2#測試生產(chǎn)樓、3#測試生產(chǎn)樓及連廊等，計劃工期為900個日歷天。
本次士蘭微投建杭州士蘭測試生產(chǎn)基地項目，有望與士蘭微募投項目和技術研發(fā)協(xié)同發(fā)展。
2023年11月22日晚間，士蘭微發(fā)布的《向特定對象發(fā)行A股股票發(fā)行情況報告書》（以下簡稱報告書）顯示，公司本次完成發(fā)行2.48億股公司股份，發(fā)行價格為20元/股，募集資金總額為49.6億元，募集資金凈額約49.13億元。
報告書顯示，公司本次向特定對象發(fā)行募集資金擬用于投資建設“年產(chǎn)36萬片12英寸芯片生產(chǎn)線項目”、“SiC功率器件生產(chǎn)線建設項目”、“汽車半導體封裝項目（一期）”等。
與此同時，士蘭微表示將持續(xù)加大對模擬電路、功率器件、功率模塊、SiC MOSFET等新產(chǎn)品的研發(fā)投入，加快汽車級、工業(yè)級電路和器件芯片工藝平臺的建設進度，加大汽車級功率模塊和新能源功率模塊的研發(fā)投入。
三責新材：南通半導體設備用SiC部件項目二期開工
3月15日，三責新材南通二期高精度高純度半導體設備用SiC部件項目在南通開發(fā)區(qū)開工,項目預計2026年投產(chǎn)。
官網(wǎng)資料顯示，三責新材成立于2014年，總部位于江蘇南通，業(yè)務中心位于上海，?旗下設有江蘇南通、河南南陽兩大制造基地，在全國擁有多個先進陶瓷和SiC材料研發(fā)中心。據(jù)悉，2020年，三責新材南通一期項目開工建設。
三責新材自成立以來，受到資本青睞，截至目前，三責新材已完成了8輪融資。其中包括2023年4月的數(shù)億元人民幣Pre-IPO輪融資，本輪融資由永鑫方舟聯(lián)合光控集團領投，老股東恒信華業(yè)等繼續(xù)追加投資，融資資金將用于公司產(chǎn)線建設。
據(jù)稱，三責新材的無壓燒結擠出成型工藝打破國外20多年的技術壟斷，產(chǎn)品性能優(yōu)異，已廣泛應用于精細化工、鋰電池、顯示玻璃、泛半導體等眾多領域。（集邦化合物半導體Zac整理）
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