3月2日，拓荊科技股份有限公司（下文簡稱“拓荊科技”）發(fā)布公告稱，公司基于整體戰(zhàn)略布局及經(jīng)營發(fā)展的需要，為加快產(chǎn)能規(guī)劃及產(chǎn)業(yè)布局，擬投資建設“高端半導體設備產(chǎn)業(yè)化基地建設項目”。
據(jù)公告披露，該項目建設周期預計為4 年（最終以實際開展情況為準）。該項目擬在沈陽市渾南區(qū)購置土地建設新的產(chǎn)業(yè)化基地，包括生產(chǎn)潔凈間、立體庫房、測試實驗室等。該產(chǎn)業(yè)化基地建成后，將進一步提高公司的產(chǎn)能，以支撐公司 PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導體設備產(chǎn)品未來的產(chǎn)業(yè)化需求，從而推動公司業(yè)務規(guī)模的持續(xù)增長，提升公司整體競爭力和盈利能力。
拓荊科技表示，此次建設新項目，出于兩點考慮：
一是符合國家發(fā)展戰(zhàn)略，鞏固公司行業(yè)地位。
二是有利于公司把握市場需求，抓住市場機遇。
該項目計劃總投資金額約為人民幣110,000.00 萬元（最終項目投資總額以實際投入為準），其中以變更用途的募集資金投入人民幣 25,000.00 萬元，其余項目資金人民幣 85,000.00 萬元由拓荊科技股份有限公司（以下簡稱“公司”）及公司全資子公司拓荊創(chuàng)益（沈陽）半導體設備有限公司（以下簡稱“拓荊創(chuàng)益”）自籌。
關于變更用途的募集資金，公司擬調(diào)減首發(fā)募投項目“先進半導體設備的技術研發(fā)與改進項目”募集資金承諾投資總額人民幣20,000.00萬元，同時調(diào)減超募資金投資項目“半導體先進工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”的募集資金承諾投資總額人民幣5,000.00萬元，合計人民幣25,000.00萬元用于投入本項目。
在此次變更后，公司首次公開發(fā)行募集資金的募投項目情況如下：
據(jù)悉，拓荊科技作為國內(nèi)薄膜沉積行業(yè)領軍者，其產(chǎn)品線包括離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三大系列。產(chǎn)品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。
值得一提的是，拓荊科技近日公布了其2023年度業(yè)績快報。報告顯示，2023年度公司實現(xiàn)營業(yè)收入270,497.40萬元，同比增長58.60%；歸屬于母公司所有者的凈利潤 66,465.69萬元，與上年同期（調(diào)整后）相比增長80.38%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤31,330.27萬元，與上年同期（調(diào)整后）相比增長75.96%。
提前布局高端半導體設備，符合國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，幫助企業(yè)在高端半導體設備市場占據(jù)一定先機的同時，或在一定程度上助力國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)走向高端化。
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