重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目B1棟封頂

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 02 月 02 日 18:00 | 分類 企業(yè)

近日,重慶三安半導(dǎo)體碳化硅(SiC)襯底項(xiàng)目B1棟順利封頂。此項(xiàng)目總體分為兩個(gè)項(xiàng)目標(biāo)段,總面積約5.8萬(wàn)㎡,項(xiàng)目于2023年11月15日正式進(jìn)場(chǎng)施工。

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其中,重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目(生活服務(wù)設(shè)施區(qū))總建筑面積為2.08萬(wàn)㎡,包括B1、B2棟、B3棟和B4棟等建筑。安意法半導(dǎo)體8英寸SiC外延、芯片項(xiàng)目(生活服務(wù)設(shè)施區(qū))總建筑面積為3.7萬(wàn)㎡,包括A1棟、A2棟、A3棟、A4棟和C1棟等建筑。

在B1棟順利封頂后,該項(xiàng)目B2、B4、C1三棟也將在年前陸續(xù)封頂,項(xiàng)目整體將在2024年7月前實(shí)現(xiàn)全部交付,合同工期僅為8個(gè)月。

據(jù)悉,該項(xiàng)目業(yè)主方為重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和安意法半導(dǎo)體有限公司,這兩家公司均為湖南三安為推進(jìn)與意法半導(dǎo)體的SiC合資項(xiàng)目而在2023年設(shè)立的子公司。

2023年6月,意法半導(dǎo)體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠,進(jìn)行8英寸SiC器件大規(guī)模量產(chǎn)。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約32億美元(約230億人民幣),占地462畝,總建筑面積26.5萬(wàn)平方米,采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式,規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC車規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片48萬(wàn)片。項(xiàng)目在取得各項(xiàng)手續(xù)批復(fù)后開(kāi)始建設(shè),預(yù)計(jì)2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn),2028年達(dá)產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體官網(wǎng)資料顯示,該合資廠將采用意法半導(dǎo)體SiC專利制造工藝技術(shù),專注于為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)SiC器件。三安光電也披露,該工廠制造的SiC外延、芯片將獨(dú)家銷售給意法半導(dǎo)體或其指定的任何實(shí)體。

為主導(dǎo)該合資項(xiàng)目實(shí)施,湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司和意法半導(dǎo)體(中國(guó))投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導(dǎo)體有限公司,注冊(cè)資金6.12億美元,雙方持股比例分別為51%、49%。

為滿足該合資廠的襯底需求,三安光電也將利用自有SiC襯底工藝,單獨(dú)建造和運(yùn)營(yíng)一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠,規(guī)劃總投資70億人民幣,占地276畝,采取一次建設(shè)分期投產(chǎn)方式,規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸SiC襯底48萬(wàn)片,合資公司將與湖南三安簽訂長(zhǎng)期SiC襯底供應(yīng)協(xié)議。

為推進(jìn)SiC襯底制造廠項(xiàng)目實(shí)施,湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司于2023年7月全資設(shè)立重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司,注冊(cè)資本18億人民幣。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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