在與英飛凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯達(dá)半導(dǎo)體、上海韋矽微、比亞迪半導(dǎo)體、上海貝嶺等國內(nèi)外知名企業(yè)牽手后，積塔半導(dǎo)體合作伙伴陣營近日再次擴(kuò)容。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
2023年12月28日，“中國半導(dǎo)體教父”、現(xiàn)任積塔半導(dǎo)體執(zhí)行董事張汝京博士、積塔半導(dǎo)體總經(jīng)理周華博士一行到訪寧波安建半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱安建半導(dǎo)體）。張汝京等一行參觀了安建半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線，了解了安建的模塊產(chǎn)品類型、下游客戶和出貨產(chǎn)能情況。雙方就安建半導(dǎo)體在積塔的產(chǎn)品需求和后續(xù)產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目進(jìn)行了探討和總結(jié)，并對以下合作達(dá)成一致：加速完成安建在積塔代工的平面型碳化硅（SiC）MOS器件開發(fā)，并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型SiC MOS器件開發(fā)；馬上啟動基于8英寸薄片和氫注入工藝的高端FRD產(chǎn)品開發(fā)。
在SiC器件方面，積塔半導(dǎo)體早在2020年就布局了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的6英寸SiC產(chǎn)線，目前已覆蓋JBS和MOSFET等，建成了自主知識產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。
2022年，積塔半導(dǎo)體明確在上海臨港投資二期項(xiàng)目，新增固定資產(chǎn)投資預(yù)計(jì)超過260億元。二期項(xiàng)目建成后，積塔半導(dǎo)體的產(chǎn)能將得到較大提升，實(shí)現(xiàn)功率器件、模擬IC、MCU產(chǎn)品等汽車芯片量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2025年將達(dá)到30萬片8英寸等效晶圓的產(chǎn)能。
此次與積塔半導(dǎo)體就SiC器件開發(fā)達(dá)成合作的安建半導(dǎo)體，在業(yè)內(nèi)也有一定的實(shí)力。成立于2021年7月的安建半導(dǎo)體，是一家半導(dǎo)體功率器件廠商。成立不到三年時(shí)間，安建半導(dǎo)體已完成3輪融資，其中包括2022年3月的1.8億人民幣B輪融資。
具體來看，安建半導(dǎo)體B輪融資的投資方包括超越摩爾投資、弘鼎資本、龍鼎投資、聯(lián)和資本、君盛投資、金建誠投資、萬有引力資本等眾多機(jī)構(gòu)，募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產(chǎn)品開發(fā)、SiC器件開發(fā)和IGBT模塊封測廠建設(shè)。
從本次合作情況來看，雙方開發(fā)項(xiàng)目將由平面型SiC MOS器件轉(zhuǎn)向溝槽型SiC MOS器件，或與溝槽型SiC MOS器件優(yōu)勢有關(guān)。
據(jù)悉，量產(chǎn)溝槽型SiC MOS器件的廠商普遍認(rèn)為，相比平面型結(jié)構(gòu)，溝槽型SiC MOS在成本和性能方面都具有較強(qiáng)優(yōu)勢。羅姆是率先轉(zhuǎn)向溝槽型SiC MOS的公司，而英飛凌并沒有選擇進(jìn)入平面結(jié)構(gòu)市場，而是直接選擇了溝槽結(jié)構(gòu)，此外，電裝的溝槽型SiC MOS也已正式商用。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。