近期頻頻出手，全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌持續(xù)擴(kuò)大朋友圈。近日，繼SK Siltron CSS、富特科技之后，英飛凌再與安克創(chuàng)新、盛弘電氣兩大知名廠商達(dá)成合作。
通過最新的兩項(xiàng)合作，英飛凌同時(shí)在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）領(lǐng)域迎來了新進(jìn)展。其中，盛弘電氣將與英飛凌圍繞SiC功率器件攜手合作。
source：英飛凌
英飛凌鞏固SiC業(yè)務(wù)
近日，英飛凌宣布與盛弘電氣達(dá)成合作，將為盛弘電氣提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半導(dǎo)體器件、EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品。
目前，英飛凌在SiC領(lǐng)域已有超過30年的產(chǎn)品研發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，SiC產(chǎn)品性能正在持續(xù)優(yōu)化升級。據(jù)悉，英飛凌1200V CoolSiC MOSFET憑借其高功率密度性能，可將損耗降低50%, ?在不增加電池尺寸的情況下，額外提供約2%的能量，這有利于打造高性能、輕量且緊湊的儲(chǔ)能方案。
據(jù)稱，采用英飛凌上述產(chǎn)品后，盛弘電氣儲(chǔ)能變流器系統(tǒng)效率可達(dá)98% , 比傳統(tǒng)的解決方案效率提升了1%，能夠更好地滿足海內(nèi)外市場并網(wǎng)和離網(wǎng)運(yùn)行的儲(chǔ)能應(yīng)用需求。這有助于盛弘電氣增強(qiáng)產(chǎn)品競爭力，提高客戶信任度。
雙方合作誕生的解決方案一旦推廣應(yīng)用，也在一定程度上擴(kuò)大了英飛凌作為SiC器件供應(yīng)商的行業(yè)影響力。搭載英飛凌SiC MOSFET的盛弘電氣儲(chǔ)能變流器在儲(chǔ)能市場的滲透，也為英飛凌SiC器件更好地切入儲(chǔ)能領(lǐng)域打開了一個(gè)突破口。
除與盛弘電氣合作外，英飛凌近期還與全球SiC全產(chǎn)業(yè)鏈龍頭企業(yè)Wolfspeed、SiC晶圓供應(yīng)商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS以及國內(nèi)車載電源廠商富特科技達(dá)成了SiC相關(guān)合作，以期進(jìn)一步鞏固SiC器件業(yè)務(wù)的行業(yè)地位。
其中，SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓，用于SiC功率器件的生產(chǎn)，SK Siltron CSS后期還將協(xié)助英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡；Wolfspeed則與英飛凌宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的6英寸碳化硅（SiC）晶圓長期供應(yīng)協(xié)議（原有協(xié)議簽定于2018年2月），延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。與這兩家廠商合作，有助于英飛凌實(shí)現(xiàn)SiC晶圓的長期穩(wěn)定供應(yīng)，為穩(wěn)定SiC器件產(chǎn)能提供材料保障。
而富特科技專注于新能源汽車高壓核心零部件產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)及制造，與英飛凌合作，有利于富特科技在車載電源解決方案中引入先進(jìn)的SiC技術(shù)，優(yōu)化產(chǎn)品性能，提升競爭力，也為英飛凌SiC器件在車載電源產(chǎn)品中拓展應(yīng)用創(chuàng)造了更多機(jī)會(huì)。
未來，為滿足新能源汽車、光儲(chǔ)充、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)iC功率器件日益增長的市場需求，挑戰(zhàn)意法半導(dǎo)體作為全球第一大SiC功率器件供應(yīng)商的王座，英飛凌有望與SiC全產(chǎn)業(yè)鏈更多玩家合作共贏。
英飛凌加碼GaN布局
在相繼牽手SiC相關(guān)廠商的同時(shí)，英飛凌業(yè)務(wù)布局也不斷向GaN領(lǐng)域延伸。近日，英飛凌宣布與安克創(chuàng)新（Anker Innovations）在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心。該應(yīng)用中心已于2023年12月底正式揭牌并投入使用。
據(jù)悉，該中心將基于英飛凌新一代混合反激式（HFB）控制器產(chǎn)品系列和用于100 W以上快充充電器的CoolGaN IPS產(chǎn)品系列進(jìn)行開發(fā)，為市場提供更高功率密度與高能效的PD快充解決方案。
此前，安克創(chuàng)新已在2022年推出了采用英飛凌CoolGaN技術(shù)的100W 以上快充產(chǎn)品，通過聯(lián)合成立創(chuàng)新中心，英飛凌和安克創(chuàng)新將進(jìn)一步深化合作，加速產(chǎn)品研發(fā)，從而更好地將英飛凌GaN技術(shù)引入快充領(lǐng)域。
自2023年以來，英飛凌在GaN領(lǐng)域明顯加快了腳步。2023年5月，作為項(xiàng)目主導(dǎo)方，英飛凌宣布將參與一個(gè)由45家合作伙伴共同建設(shè)的歐洲聯(lián)合科研項(xiàng)目ALL2GaN，目的是開發(fā)從芯片到模塊的集成GaN功率設(shè)計(jì)，主要面向電信、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器等應(yīng)用。
隨后在2023年10月，英飛凌以8.3億美元完成收購GaN Systems。GaN Systems是全球前五大GaN功率器件廠商之一，收購GaN Systems后，英飛凌在一定程度上改變了GaN功率器件市場競爭格局，引發(fā)業(yè)界震動(dòng)。
與SiC一樣，GaN在新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域有較大發(fā)展空間，在完成大手筆并購后，在GaN領(lǐng)域打下良好基礎(chǔ)的英飛凌，未來有望在GaN市場進(jìn)一步加強(qiáng)攻勢。
小結(jié)
SiC與GaN功率器件市場規(guī)模在未來數(shù)年都將保持較高增速，據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球SiC功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告》數(shù)據(jù)，2022年全球SiC功率器件市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達(dá)到53.3億美元，CAGR達(dá)35%；據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率器件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，CAGR高達(dá)65%。
為形成規(guī)模優(yōu)勢，搶占更多市場份額，強(qiáng)強(qiáng)合作是可行之法，未來，大概率將有更多SiC、GaN頭部廠商出現(xiàn)在英飛凌朋友圈。
除英飛凌外，其他廠商也可能捆綁形成新陣營，盡管競爭將越發(fā)激烈，但能夠促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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