12月29日，揚杰科技公開“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”、“一種碳化硅半導體器件及其制備方法”、“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結構及制造方法”等多項碳化硅（SiC）器件相關專利，申請日期均為2023年10月27日。
“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316982A。
該專利摘要顯示，隔離柵的碳化硅晶體管及其制備方法，涉及半導體技術領域。包括從下而上依次連接的碳化硅襯底，碳化硅漂移層和正面金屬層；所述碳化硅漂移層的頂面設有向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設有向下延伸的NP區(qū)；所述NP區(qū)內設有向下延伸的PP區(qū)；所述碳化硅漂移層的頂面依次設有向上伸入正面金屬層內的柵氧層和Poly層；所述碳化硅漂移層的頂面設有包裹所述柵氧層和Poly層的氧化物隔離層，所述氧化物隔離層底端分別與碳化硅漂移層和NP區(qū)連接；所述氧化物隔離層的側部設有與PP區(qū)連接的歐姆接觸金屬層。本發(fā)明一定程度上可提高器件的開關性能，降低開關損耗。
“一種碳化硅半導體器件及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅半導體器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316985A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。包括從下而上依次設置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層，所述碳化硅漂移層的頂面設有若干間隔向下延伸的溝槽；還包括：PW區(qū)，位于所述溝槽處；NP區(qū)，從所述溝槽的頂部向下延伸，包裹于所述PW區(qū)內；PP區(qū)，設置在所述溝槽處，位于所述NP區(qū)的下方；柵氧層，設置在相鄰溝槽之間，位于所述碳化硅漂移層的頂面；Poly層，設置在所述柵氧層的頂面；隔離層，設置在所述Poly層上，并從側部向下延伸至NP區(qū)；本發(fā)明一定程度上減小了N 漂移層所帶來的電阻，從而可降低體二極管的導通電阻，減少其在續(xù)流過程中產生的損耗。
圖片來源：拍信網正版圖庫
“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316986A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導體器件。包括從下而上依次設置的碳化硅襯底、碳化硅外延層、正面電極金屬；所述碳化硅外延層的頂面設有若干向下延伸的P區(qū)溝槽，所述P區(qū)溝槽內設有P型區(qū)；若干所述P型區(qū)之間設有N區(qū)溝槽；所述P型區(qū)內部設有歐姆接觸金屬；所述歐姆接觸金屬和碳化硅外延層上設有肖特基結接觸金屬；所述肖特基結接觸金屬的上方設有正面電極金屬；所述碳化硅襯底和碳化硅外延層的導電類型均為N型。本發(fā)明可以通過形成兩層不同摻雜濃度的外延層，來降低器件外延層的導通電阻，進一步提高器件通流能力。
“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結構及制造方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結構及制造方法”專利，申請公布號為CN117316983A。
該專利摘要顯示，一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結構及制造方法，涉及功率半導體技術領域。包括以下步驟：步驟001，提供一種N型重摻雜類型的襯底，即為N+型SiC半導體襯底，摻雜濃度為360~400um，摻雜濃度為1e19 cm 2；N+型襯底具有兩個表面，分為正面與背面，在正面形成一層N型緩沖層，厚度為0.8~1um，摻雜濃度為1e18 cm 2；在N型緩沖層覆蓋N型輕摻雜類型的漂移層，即為N 型漂移層，厚度為5~15um，摻雜濃度為5e15~1e16 cm 2,背面形成金屬電極層；步驟002，在漂移層的表面通過光刻掩膜，進行P型摻雜形成P Well阱區(qū)；本發(fā)明制作工藝簡單，效果顯著，可以應用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。
“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117317017A。
該專利摘要顯示，一種碳化硅MOSFET器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。包括從下而上依次設置的碳化硅襯底和碳化硅漂移層；所述碳化硅漂移層的頂面設有若干間隔向下延伸的PW區(qū)；所述PW區(qū)的頂面設有向下延伸的NP區(qū)和PP區(qū)一；相鄰所述PW區(qū)之間設有源級處溝槽，所述源級處溝槽的槽底設有向下延伸的PP區(qū)二；所述碳化硅漂移層頂面的端部和中部分別設有從下而上依次設置的柵氧層、Poly層和隔離層；所述隔離層從側部向下延伸與NP區(qū)連接；本發(fā)明通過在碳化硅MOSFET中形成溝槽體二極管，使得體二極管導通從N型漂移層開始，提高了體二極管的導通能力，并且有效避免了由于電子和空穴的復合現象而導致的晶格缺陷蔓延，從而減小雙極退化現象引起的器件性能退化。
“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利
天眼查資料顯示，12月29日，揚杰科技公開一項“一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法”專利，申請公布號為CN117316984A。
該專利摘要顯示，一種新型源區(qū)溝槽碳化硅二極管器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。包括從下而上依次設置的背面加厚金屬、背面歐姆接觸金屬、碳化硅襯底、碳化硅外延層和N型注入區(qū)；所述N型注入區(qū)的頂面設有伸入碳化硅外延層的終端溝槽和若干間隔設置的源區(qū)溝槽；所述源區(qū)溝槽的槽底設有向下延伸的P型注入區(qū)；所述終端溝槽的頂面設有伸入碳化硅外延層的P型主結和若干間隔設置的P型分壓環(huán)；所述碳化硅外延層上設有覆蓋P型主和若干P型分壓環(huán)的場氧層；本發(fā)明在不增加單顆芯片面積和工藝復雜程度的基礎上，進一步降低了器件的正向導通壓降。
近年來，揚杰科技大力布局第三代半導體產業(yè)。2022年6月，揚杰科技以2.95億元收購中電科四十八所持有的楚微半導體40％股權，標的公司主要布局中高端功率器件。2023年2月，揚杰科技又以2.94億元收購楚微半導體30％股權。
2023年6月，揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協議，組建“東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯合研發(fā)中心”。與此同時，揚杰科技計劃與揚州市邗江區(qū)簽署《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，擬投資新建6英寸SiC晶圓生產線項目，總投資約10億元，該項目分兩期實施建設，項目全部建成投產后，形成6英寸SiC晶圓產能5000片/月。（集邦化合物半導體整理）
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