12月8日上午，吉盛微（武漢）新材料科技有限公司（以下簡稱吉盛微）武漢碳化硅（SiC）制造基地啟用儀式在武漢經開區(qū)綜保區(qū)工業(yè)園舉行。
資料顯示，吉盛微成立于2023年3月，為盛吉盛（寧波）半導體科技有限公司（以下簡稱盛吉盛半導體）在武漢投資成立，公司主要從事半導體及泛半導體設備用CVD SiC原材料及 SiC部件、SiC Epi Wafer、CVD SiC設備的研發(fā)及生產制造。
盛吉盛半導體成立于2018年3月，是中芯國際牽頭，聯(lián)合韓國Triplecores、芯空間、芯鑫租賃等股東共同發(fā)起成立的半導體設備和關鍵零部件研發(fā)、生產和服務企業(yè)，公司致力于推進關鍵半導體設備的國產化，核心業(yè)務包括半導體設備研發(fā)生產、半導體智能化與服務、半導體設備升級優(yōu)化三大板塊。
截至目前，盛吉盛已完成5輪融資，投資方包括定航資本、中青芯鑫、中芯熙誠、輕舟資本、融晗私募基金、中芯聚源、上海新陽等。其中，中芯聚源還曾投資SiC長晶設備企業(yè)晶升裝備以及氮化鎵（GaN）器件企業(yè)晶通半導體等企業(yè)。
圖片來源：拍信網正版圖庫
據悉，今年2月，盛吉盛半導體武漢SiC項目簽約落地武漢經開區(qū)，總投資約15億元，3月，吉盛微在武漢經開區(qū)注冊成立，6月啟動生產線設計施工，8月入駐試生產，項目預計2027年達產，可實現(xiàn)年銷售收入10億元。
據介紹，目前，吉盛微已經完成了刻蝕、擴散、外延、快速熱處理等多個工藝的零部件、耗材開發(fā)工作，部分產品填補了國內空白，初步具備穩(wěn)定的生產供貨能力。
值得一提的是，8月25日，長飛先進與武漢東湖高新區(qū)簽約半導體合作項目，該項目總投資預計超過200億元，項目建設內容包括第三代半導體外延、晶圓制造、封測等產線，建設完畢后將形成年產36萬片6英寸SiC襯底及外延、年產6100萬個功率器件模塊的能力，該項目預計2025年建設完成，或將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地。（集邦化合物半導體Zac整理）
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