12月4日，時代電氣在投資者互動平臺表示，公司碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設項目，項目建成達產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。項目預計年底可以完成。
資料顯示，時代電氣圍繞技術(shù)與市場，形成了“基礎器件+裝置與系統(tǒng)+整機與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)涉及軌道交通、新能源發(fā)電、電力電子器件、汽車電驅(qū)、工業(yè)電氣、海工裝備等領(lǐng)域。
根據(jù)時代電氣在去年4月12日發(fā)布的公告，時代電氣控股子公司中車時代半導體擬投資46160萬元人民幣（最終投資金額以實際投資金額為準）實施上述SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設項目，通過本項目實施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。
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SiC MOSFET可用于新能源汽車主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等部件中，伴隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，SiC MOSFET正在加速上車，市場需求日益增長，這對SiC器件廠商的SiC芯片產(chǎn)能提出了越來越高的要求，投資擴產(chǎn)成為各大廠商的共識。
同時，降本增效也成為SiC企業(yè)關(guān)注的焦點。隨著時代電氣SiC芯片產(chǎn)能提升，形成規(guī)模效應后有助于單片芯片成本下降，從4英寸升級為6英寸也是降本舉措，因為襯底尺寸較大，單位襯底可以制造芯片的數(shù)量就較多，單片芯片成本就會有一定程度的降低。
時代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場均已實現(xiàn)應用示范。而在今年7月，時代電氣在互動平臺表示，公司針對800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，目前處于應用推廣階段。SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s，系統(tǒng)效率最高可達94%，目前正在整車廠送樣驗證階段。時代電氣SiC芯片升級項目的建成達產(chǎn)，一定程度上將為該公司相關(guān)產(chǎn)品的大規(guī)模推廣應用做好產(chǎn)能準備。
投建項目短期來看會增加公司的資本支出，但從長遠來看對公司的業(yè)務布局和經(jīng)營業(yè)績均會有積極作用，實施SiC芯片升級項目，時代電氣提升產(chǎn)能的同時，有望降低成本，以便更好的迎合新能源汽車領(lǐng)域快速發(fā)展大趨勢，獲得更多與車企合作機會。（集邦化合物半導體Zac整理）
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