11月16日，江蘇集芯先進材料有限公司（以下簡稱集芯先進）一期年產15萬片碳化硅（SiC）襯底片制造基地搬入首批生產設備。
資料顯示，集芯先進成立于2019年，專注于第三代半導體SiC材料研發(fā)與制造，集芯先進前身系江蘇集芯半導體硅材料研究院。
據集芯先進介紹，該公司產品種類齊全，包括不低于6N的高純SiC合成粉料，6/8英寸SiC籽晶、晶錠及襯底片等。集芯先進通過自主研發(fā)和技術整合，形成自有專利近100件，其中發(fā)明專利34件，專利范圍覆蓋SiC粉料合成、涂層制備、裝備設計、熱場設計、長晶工藝和襯底加工等制造全流程，形成了SiC襯底材料生產的優(yōu)勢閉環(huán)。
近年來，在新能源汽車、光伏等行業(yè)助推下，SiC市場呈現出騰飛之勢。全球主流SiC器件廠商或并購、或合作、或建廠，紛紛通過各種手段積極擴充產能，以期提前占據主動。各大企業(yè)增資擴產，在提升自身實力的同時，推動了整個SiC產業(yè)鏈共同繁榮。
圖片來源：拍信網正版圖庫
集芯先進SiC襯底片項目首批設備進場只是SiC賽道紅火發(fā)展的一個縮影，還有更多大小項目正在建設當中。
例如，今年9月，重慶高新區(qū)發(fā)布2023年重大項目名單，其中就包括ST意法半導體與三安光電共建的SiC相關項目。據悉，該項目預計總投資約230億元，由三安和意法半導體集團在重慶共同設立一家SiC外延、芯片代工合資公司，擬建設一條8英寸4萬片/月的SiC外延、襯底制造生產線。此次合作有助于雙方做大做強SiC業(yè)務，帶動營收增長。
10月底，中電化合物宣布成功向客戶交付首批次8英寸SiC外延片產品，這標志著中電化合物的外延產品邁上新臺階，可為行業(yè)提供更加先進的技術支持，從而推動碳化硅行業(yè)加速發(fā)展。據中電化合物介紹，相比6英寸，8英寸SiC外延片面積增加78%，能夠較大幅度降低SiC器件成本，進而推動碳化硅材料降本增效。
11月初，晶盛機電“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸SiC襯底片項目”正式簽約啟動。據悉，此次簽約項目總投資達21.2億元。此舉不僅是晶盛機電實現增長的重要布局，也有望攻克SiC材料端關鍵核心技術，最終實現國產替代。（化合物半導體市場Zac整理）
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