納微半導(dǎo)體再度打入三星供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 06 日 13:50 | 分類 企業(yè)

納微半導(dǎo)體近日宣布再度進(jìn)入三星供應(yīng)鏈:納微GaNFast GaN功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),GaN正持續(xù)取代傳統(tǒng)Si功率芯片在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車的市場(chǎng)份額。

據(jù)介紹,為支撐強(qiáng)大的性能,Galaxy S23配備一塊3900mAh的鋰離子電池,搭載GaNFast GaN功率芯片的25W充電器(型號(hào)為EP-T2510)以及USB PD3.0接口,使其僅需30分鐘就能充滿50%的電量,并在待機(jī)模式下只消耗5mW的電力。PD 3.0接口意味著這款新充電器可以為從Galaxy Buds2耳機(jī)到Galaxy Z Fold5,Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列設(shè)備供電。

納微半導(dǎo)體的GaNFast GaN功率芯片運(yùn)用在該充電器的150kHz高頻反激(HFQR)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,并憑借著領(lǐng)先的高頻性能,使得充電器體積縮小30%以上。

此前消息,今年3月,納微半導(dǎo)體的GaNFast技術(shù)已進(jìn)入三星Galaxy S22 Ultra和S22+ 智能手機(jī)充電器。

納微專有的GaN功率IC在單個(gè) SMT 封裝中集成了GaN器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)功能。是易于使用、高速、高性能的“數(shù)字輸入、電源輸出”模塊,與早期的硅方案相比,實(shí)現(xiàn)高達(dá)3倍的充電速度、節(jié)省一半的尺寸和重量,節(jié)能高達(dá) 40%。

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料,其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅芯片快20倍。用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí),GaN可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能,在尺寸相同的情況下,輸出功率提高了三倍。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長率高達(dá)65%。

目前,GaN功率元件市場(chǎng)的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng),核心仍在于快速充電器,其他消費(fèi)電子場(chǎng)景還包括D類音頻、無線充電等。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理)

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