射頻及功率器件廠商華太電子開啟上市輔導

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 09 月 30 日 17:50 | 分類 射頻

9月27日,中國證監(jiān)會網(wǎng)站披露關(guān)于蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司(下文簡稱“華太電子”)首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告。

報告顯示,2024年9月13日,華太電子與華泰聯(lián)合證券簽署了上市輔導協(xié)議。

資料顯示,華太電子成立于2010年3月,是一家擁有半導體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)、多領(lǐng)域布局協(xié)同發(fā)展的平臺型半導體公司。公司主要從事射頻系列產(chǎn)品、功率系列產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,并提供大功率封測業(yè)務,產(chǎn)品可廣泛應用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。

產(chǎn)品方面,在射頻領(lǐng)域,華太電子推出了LDMOS MMIC、大功率分立器件、對講機芯片、ISM以及GaAs產(chǎn)品。其中,大功率分立器件基于公司自主知識產(chǎn)權(quán)的28V、50V LDMOS和GaN工藝平臺開發(fā),峰值功率覆蓋20W至1000W,工作頻率范圍從10MHz至6GHz。GaAs產(chǎn)品則基于全國產(chǎn)GaAs工藝,自主設(shè)計,適合預驅(qū)動或驅(qū)動放大器應用。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

在功率器件領(lǐng)域,華太電子擁有IGBT單管/模塊系列和SiC模塊系列。SiC模塊系列采用了公司自主研發(fā)和生產(chǎn)的SiC芯片,并通過全自動化模塊封測線生產(chǎn),具備壓銀燒結(jié)技術(shù),確保了良好的散熱性能和可靠性。

融資方面,華太電子目前已完成4輪融資,但具體金額尚未對外公布。

值得注意的是,這并非華太電子首次進行IPO輔導備案。

早在2022年12月19日,中國證監(jiān)會網(wǎng)站就曾披露過華泰聯(lián)合證券關(guān)于華太電子的首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告。然而,此后公司并未更新輔導備案情況。

本次輔導備案標志著華太電子在時隔近一年半后,再次啟動上市輔導備案流程。(集邦化合物半導體Morty整理)

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