近日，位于順義新城3401街區(qū)的第三代等先進半導體產(chǎn)業(yè)標準化廠房（二期）正在施工中，現(xiàn)已完成總工程量的15%，預計年底完成整體結構封頂。
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據(jù)悉，該項目總投資6.3億元，規(guī)劃總建筑面積約6.48萬平方米，建設面積4.02萬平方米，由科創(chuàng)集團投資建設，主要建設內容為生產(chǎn)廠房、庫房、綜合樓等11棟單體建筑。項目建成后，將成為集創(chuàng)新研發(fā)、交流展示、成果轉化、商業(yè)服務于一體的創(chuàng)新資源平臺，助力順義區(qū)三代半產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集聚發(fā)展。
目前，順義區(qū)正在加速促進三代半項目落地，規(guī)劃建設總面積約20萬平方米的三代半標廠，目前一期7.4萬平方米科創(chuàng)芯園壹號已投入使用，聚集了瑞能、特思迪、漠石科技、金冠電氣、清能智聯(lián)等三代半企業(yè)入駐。
值得一提的是，今年3月初，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目全部復工復產(chǎn)，其中包括泰科天潤建設公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。
2023年3月27日，泰科天潤總部項目在北京中關村順義園舉行開工奠基儀式。當時，中關村順義園消息顯示，泰科天潤總部項目位于中關村順義園第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地，規(guī)劃建筑面積4.6萬平米，主要用于總部基地建設。項目建成后，泰科天潤將整體遷入中關村順義園第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地內，研發(fā)生產(chǎn)用于新能源汽車、高壓電網(wǎng)等領域的6-8英寸SiC功率器件。
該項目一期投資4億元，規(guī)劃年產(chǎn)SiC SBD和MOSFET等類型晶圓2萬片，目前，該項目正在進行打樁收尾和結構施工建設準備，預計2028年達產(chǎn)。（集邦化合物半導體Zac整理）
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