11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，自主設(shè)計(jì)的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應(yīng)用于新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器等車(chē)載電源系統(tǒng)。
作為一家由中國(guó)一汽、東風(fēng)公司、南方工業(yè)集團(tuán)、長(zhǎng)安汽車(chē)和南京江寧經(jīng)開(kāi)科技共同出資設(shè)立的創(chuàng)新型汽車(chē)高科技企業(yè)，研發(fā)綠色低碳的汽車(chē)技術(shù)是中汽創(chuàng)智的業(yè)務(wù)方向之一，首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET下線，意味著中汽創(chuàng)智有更強(qiáng)的SiC MOSFET產(chǎn)品實(shí)力與新能源汽車(chē)廠商合作。
目前，SiC MOSFET產(chǎn)品在新能源汽車(chē)領(lǐng)域主要應(yīng)用場(chǎng)景包括功率逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器等，具有較大的發(fā)展?jié)摿?，新能源汽?chē)主流廠商正在將SiC MOSFET產(chǎn)品引入到旗下車(chē)型中，這給中汽創(chuàng)智SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品提供了較多合作機(jī)會(huì)。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
本次SiC MOSFET下線儀式現(xiàn)場(chǎng)，中汽創(chuàng)智和積塔半導(dǎo)體進(jìn)行了戰(zhàn)略合作簽約。據(jù)中汽創(chuàng)智介紹，該公司通過(guò)以SiC模塊為切入點(diǎn)，快速形成SiC功率模塊封裝、測(cè)試能力和基于SiC技術(shù)的車(chē)載集成電源系統(tǒng)開(kāi)發(fā)能力，逐步建立起從上游芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝，到下游應(yīng)用支持的“一站式” 能力。與積塔半導(dǎo)體合作，中汽創(chuàng)智能同時(shí)得到技術(shù)支持與產(chǎn)能保障。
資料顯示，積塔半導(dǎo)體在中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個(gè)廠區(qū)，已建和在建產(chǎn)能共計(jì)28萬(wàn)片/月（折合8英寸計(jì)算），其中6英寸7萬(wàn)片/月、8英寸11萬(wàn)片/月、12英寸5萬(wàn)片/月、SiC 3萬(wàn)片/月。積塔半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)較早具備SiC功率器件制造能力的企業(yè)，工藝技術(shù)平臺(tái)覆蓋JBS和MOSFET等，已建成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的車(chē)規(guī)級(jí)650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺(tái)、650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)。
強(qiáng)強(qiáng)合作是企業(yè)鞏固市場(chǎng)地位的有效手段，與中汽創(chuàng)智合作，有助于積塔半導(dǎo)體在車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品市場(chǎng)占據(jù)一席之地。今年1月，積塔半導(dǎo)體曾與吉利集團(tuán)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將圍繞車(chē)規(guī)級(jí)芯片研發(fā)、制造、市場(chǎng)應(yīng)用等領(lǐng)域開(kāi)展全面合作，共同致力于車(chē)規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)的協(xié)同發(fā)展。未來(lái)，積塔半導(dǎo)體大概率將與更多車(chē)企攜手。
而與積塔半導(dǎo)體戰(zhàn)略合作，中汽創(chuàng)智獲得了第三代半導(dǎo)體上游資源，有助于推出更多自研SiC MOSFET產(chǎn)品，拓展下游應(yīng)用市場(chǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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