納微半導(dǎo)體近日宣布再度進(jìn)入三星供應(yīng)鏈：納微GaNFast GaN功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，GaN正持續(xù)取代傳統(tǒng)Si功率芯片在移動設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車的市場份額。
據(jù)介紹，為支撐強(qiáng)大的性能，Galaxy S23配備一塊3900mAh的鋰離子電池，搭載GaNFast GaN功率芯片的25W充電器（型號為EP-T2510）以及USB PD3.0接口，使其僅需30分鐘就能充滿50%的電量，并在待機(jī)模式下只消耗5mW的電力。PD 3.0接口意味著這款新充電器可以為從Galaxy Buds2耳機(jī)到Galaxy Z Fold5，Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列設(shè)備供電。
納微半導(dǎo)體的GaNFast GaN功率芯片運(yùn)用在該充電器的150kHz高頻反激(HFQR)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，并憑借著領(lǐng)先的高頻性能，使得充電器體積縮小30%以上。
此前消息，今年3月，納微半導(dǎo)體的GaNFast技術(shù)已進(jìn)入三星Galaxy S22 Ultra和S22+ 智能手機(jī)充電器。
納微專有的GaN功率IC在單個(gè) SMT 封裝中集成了GaN器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)功能。是易于使用、高速、高性能的“數(shù)字輸入、電源輸出”模塊，與早期的硅方案相比，實(shí)現(xiàn)高達(dá)3倍的充電速度、節(jié)省一半的尺寸和重量，節(jié)能高達(dá) 40%。
GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅芯片快20倍。用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，GaN可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達(dá)65%。
目前，GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動，核心仍在于快速充電器，其他消費(fèi)電子場景還包括D類音頻、無線充電等。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理）
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