Power Integrations（PI）?近日發(fā)布了據(jù)稱(chēng)是世界上最高電壓的單開(kāi)關(guān)GaN電源 IC，采用1250V PowiGaN開(kāi)關(guān)。
InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。據(jù)悉，它具有同步整流和FluxLin安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開(kāi)關(guān)選項(xiàng)，包括725V Si 開(kāi)關(guān)、1700V SiC 開(kāi)關(guān)以及其它衍生出的750V、900V和現(xiàn)在1250V耐壓的PowiGaN開(kāi)關(guān)。
圖片來(lái)源：PI電源芯片
相比于Si基器件，PI專(zhuān)有的1250V PowiGaN技術(shù)的開(kāi)關(guān)損耗不到其1/3，功率變換的效率可以達(dá)到93%，有助于實(shí)現(xiàn)高緊湊度的反激式電源設(shè)計(jì)，且在高達(dá)85W輸出功率的情況下無(wú)需散熱片。
PI技術(shù)副總裁Radu Barsan表示：“PI不斷將高壓氮化鎵技術(shù)的開(kāi)發(fā)和商業(yè)應(yīng)用推進(jìn)至業(yè)界最高水平。這甚至淘汰了業(yè)界最好的高壓Si MOSFET的使用。我們于2019年即率先向市場(chǎng)大批量出貨了基于GaN的電源IC產(chǎn)品，并于今年早些時(shí)候推出了基于GaN的900V的InnoSwitch新品。我們持續(xù)開(kāi)發(fā)更高電壓的GaN技術(shù)，比如本次推出的1250V新品。我們致力于將GaN的效率優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，包括目前使用SiC技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。”
PI表示，設(shè)計(jì)人員可以放心地將新款I(lǐng)nnoSwitch3-EP 1250V IC使用在1000V的峰值工作電壓中，器件的絕對(duì)值可以滿(mǎn)足80%的行業(yè)降額標(biāo)準(zhǔn)。該器件為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，適用于具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境。（來(lái)源：PI電源芯片官微）
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