7月22日，韓國化合物半導體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應用于高速開關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]