本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機電、中微公司、北方華創(chuàng)、迪思科（DISCO）、日本真空技術(shù)株式會社（ULVAC JAPAN LTD）、Centrothern、PVA TePla、昂坤視覺等，覆蓋了MOCVD、離子注入、襯底片、外延片、功率器件等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕表示，本次SEMICON China 2024展會以設(shè)備、材料為主，重點包括半導體設(shè)備零部件、設(shè)備整機、電子化學品、高純氣體、晶圓原材料等，其中可以發(fā)現(xiàn)許多國產(chǎn)廠商的身影，特別是在真空閥門、流體控制系統(tǒng)、電源系統(tǒng)等設(shè)備零部件領(lǐng)域，以及光刻膠等電子化學品等領(lǐng)域。另外，化合物半導體是本次展會的一大重點，包括碳化硅襯底片、外延片及設(shè)備材料等領(lǐng)域，這也與近年來電動汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展緊密相關(guān)。

總體來看，第三代半導體相關(guān)設(shè)備壁壘較高，國際廠商依舊占據(jù)較大市場。材料上國產(chǎn)廠商則取得了長足進展，如天岳先進、天科合達成功打入全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場前十榜單。

一、材料：8英寸產(chǎn)品不斷開出，國產(chǎn)替代卓有成效

展會現(xiàn)場展出了許多半導體材料，如美科瑞先進材料帶來了多款拋光液，容大感光、科華、寧波南大光電均展出了光刻膠等材料，第三代半導體材料廠商也非常多，天岳先進攜其高品質(zhì)6英寸、8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相展會；天科合達則公開展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品；天域半導體重點展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品；同光股份在現(xiàn)場展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底；中電科半導體材料則攜山西爍科、河北普興、南京國盛電子的硅基氮化鎵外延、碳化硅單晶襯底、碳化硅外延、硅外延等多款產(chǎn)品參展；中環(huán)領(lǐng)先也在現(xiàn)場展示了其外延片產(chǎn)品；賀利氏則現(xiàn)場展示了碳化硅封裝材料；南京百識電子則帶來了碳化硅外延片；中機新材則展示了SiC襯底輔助材料。

Resonac

Resonac前身是昭和電工（Showa Denko）2020年，Showa Denko收購了規(guī)模更大的日立化成（Hitachi Chemical）后正式組建了Resonac化學品集團。本次其主要是帶來了半導體材料的解決方案。2023年2月消息，英飛凌與Resonac Corporation簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在碳化硅材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。今年1月中旬消息，Resonac CEO Hidehito Takahashi正在準備對日本分散的芯片材料行業(yè)進行新一輪整合，并表示這家化學品制造商可能會出手收購關(guān)鍵公司JSR的股份。

山東天岳先進

天岳先進長期專注碳化硅襯底研發(fā)，目前該公司已實現(xiàn)6英寸導電型襯底、4-6英寸半絕緣型襯底等產(chǎn)品的規(guī)?；Ｄ壳霸摴驹?英寸產(chǎn)品上也已經(jīng)在加速布局，用液相法制備的無宏觀缺陷的8英寸襯底更是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。2023年，天岳先進在導電型碳化硅襯底產(chǎn)能和規(guī)模化供應能力上持續(xù)展現(xiàn)超預期成果。其碳化硅半導體材料項目計劃于2026年實現(xiàn)全面達產(chǎn)，屆時6英寸導電型碳化硅襯底的年產(chǎn)能將達到30萬片。天岳先進品牌負責人表示，在全球前十大功率半導體廠商中，有一半已經(jīng)建立合作關(guān)系。

天科合達

天科合達公開展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品，其中8英寸產(chǎn)品包括N形SiC襯底、SiC外延片等，并現(xiàn)場披露了直徑、晶型、厚度等相關(guān)參數(shù)。2023年5月，天科合達與英飛凌簽訂了一份長期協(xié)議，其將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體產(chǎn)品的6英寸碳化硅襯底和晶錠，其供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。根據(jù)該協(xié)議，第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料的供應，但天科合達也將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸晶圓過渡。

2023年8月，天科合達全資子公司江蘇天科合達碳化硅襯底二期擴產(chǎn)項目開工。據(jù)悉，江蘇天科合達二期項目將新增16萬片碳化硅襯底產(chǎn)能，并計劃今年6月建設(shè)完成，8月竣工投產(chǎn)，屆時江蘇天科合達總產(chǎn)能將達到23萬片。

天域半導體

此次展會現(xiàn)場，天域半導體重點展示了6/8英寸SiC外延片、SiC MOS管等產(chǎn)品。官方表示，公司于2021年開始了8英寸的技術(shù)儲備，于2023年7月進行了8英寸外延片的產(chǎn)品的小批量送樣；超過千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明8英寸SiC外延水平與6英寸外延水平相當。

天成半導體

天成半導體已完成6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，在本次展會展出了8寸導電型SiC襯底。據(jù)悉，新開發(fā)的6英寸導電型SiC襯底部分TSD缺陷密度低至0個/cm2，部分致命性缺陷BPD則低至32個/cm2；而在量產(chǎn)過程中，可以做到65%的襯底產(chǎn)品TSD＜100個/cm2、BPD＜100個/cm2。

中電科材料

山西爍科、河北普興、南京國盛電子均為中電科半導體材料的子公司。展會中，山西爍科展示6/8英寸N型及高純半絕緣型SiC襯底產(chǎn)品，重點展示了350微米厚8英寸碳化硅襯底。其主營產(chǎn)品包含高純半絕緣碳化硅單晶襯底、N型碳化硅單晶襯底、碳化硅晶體等。據(jù)悉，其4英寸高純半絕緣碳化硅襯底國內(nèi)市場占有率超50%，6英寸N型碳化硅襯底已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，公司還是國內(nèi)第一家生產(chǎn)出8英寸N型碳化硅襯底和8英寸高純半絕緣碳化硅襯底的公司，產(chǎn)業(yè)規(guī)模及工藝技術(shù)達國際先進水平。

本次展會上，國盛電子則展示了其8英寸Si和氮化鎵外延片，去年12月22日，國盛電子南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。據(jù)悉，該公司擁有LPE、Gemini等公司生產(chǎn)的多種型號外延爐，主要產(chǎn)品包含列從3英寸到8英寸的P型和N型外延片，產(chǎn)能為8萬片/月(4英寸等效)。

普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。作為國內(nèi)外延材科領(lǐng)先企業(yè)，普興電子主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、碳化硅外延片，據(jù)悉其大尺寸650V-6500V SiC 外延片已實現(xiàn)量產(chǎn)。

中環(huán)領(lǐng)先

中環(huán)領(lǐng)先攜4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等全產(chǎn)品系列亮相展會，其中展示了6/8英寸SiC、GaN外延片。據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

賀利氏

賀利氏（Zadient）現(xiàn)場展示了包括燒結(jié)膏、銅線、大面積燒結(jié)技術(shù)乃至Die Top System(DTS)材料系統(tǒng)在內(nèi)的完整解決方案，可覆蓋新一代碳化硅功率模塊封裝的各類工程需求。2023年11月，賀利氏宣布收購了一家初創(chuàng)企業(yè)Zadient Technologies，宣告進入碳化硅粉料和碳化硅晶錠生長領(lǐng)域。據(jù)悉，Zadient成立于2020年，是一家法德合資的碳化硅源粉廠商，不同于國內(nèi)主流的自蔓延碳化硅粉料合成方法，Zadient公司是通過化學氣相沉積（CVD）工藝生產(chǎn)高純度碳化硅源材料。

河北同光股份

同光股份在現(xiàn)場展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底。據(jù)悉，該公司主要產(chǎn)品包括導電型、半絕緣型碳化硅襯底。目前，同光股份已掌握碳化硅晶體規(guī)?；慨a(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，引進了國內(nèi)外先進襯底加工及檢測設(shè)備，全面導入和推行ISO9001、IATF16949質(zhì)量管理體系，形成了專業(yè)、先進、完整、穩(wěn)定的碳化硅襯底生產(chǎn)線。

南京百識電子

展會上，百識電子展示了其6-8英寸第三代半導體外延產(chǎn)品。百識電子成立于2019年8月，主要生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵蓋功率以及射頻微波等應用。

深圳中機新材

深圳中機新材攜碳化硅晶圓切磨拋耗材方案中的大部分樣品來到展會，中機新材是一家專注于高硬脆材料和高性能研磨拋光材料的技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的高新技術(shù)企業(yè)。尤其在第三代半導體晶圓研磨拋光應用領(lǐng)域，公司取得多項關(guān)鍵性技術(shù)突破。

二、設(shè)備：龍頭企業(yè)頗多，國產(chǎn)設(shè)備廠商加速追趕

展會現(xiàn)場許多全球知名設(shè)備廠商現(xiàn)場展出了其代表性產(chǎn)品，如晶盛機電、中微公司、愛發(fā)科等等。

3月20日，SEMI也公布了其最新一季度的半導體設(shè)備報告，報告顯示全球 12 英寸晶圓廠（前端）設(shè)備投資將于明年突破千億美元大關(guān)，而在 2027 年將達創(chuàng)紀錄的 1370 億美元（約 9864 億元人民幣）。據(jù)悉，2025 年全球 12 英寸晶圓廠的設(shè)備投資將較今年大增 20%，漲幅將創(chuàng) 2021 年以來的新高；而在 2026 和 2027 年將分別增長 12% 和 5%。SEMI 表示，半導體行業(yè)前端設(shè)備投資的增加得益于多重因素，包括存儲領(lǐng)域市場的復蘇和對高性能計算（HPC）和汽車應用的強勁需求。

晶盛機電

本次展會中，晶盛機電發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測設(shè)備、12英寸全自動減薄拋光設(shè)備三款新品。據(jù)悉，該公司圍繞“先進材料、先進裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)深化“裝備+材料”的協(xié)同產(chǎn)業(yè)布局。在集成電路用大硅片領(lǐng)域，為行業(yè)提供整體設(shè)備解決方案；在第三代半導體領(lǐng)域，公司聚焦6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化，致力于從長晶-切磨拋-外延全鏈條設(shè)備的國產(chǎn)替代；在先進制程領(lǐng)域，圍繞CVD等核心設(shè)備進行研發(fā)，延伸半導體產(chǎn)業(yè)鏈高端裝備產(chǎn)品布局，堅持“強鏈補鏈”推動半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)是我國設(shè)備龍頭企業(yè)，也是目前唯一的平臺級半導體設(shè)備廠商（設(shè)備類型覆蓋ICP刻蝕（ICP+CCP）、沉積設(shè)備（PVD+CVD+ALD）、清洗、氧化、退火、MFC（氣體流量質(zhì)量控制器）等）。此次展會，北方華創(chuàng)亮相了SiC系列設(shè)備產(chǎn)品，覆蓋長晶、外延等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

從近五年財報數(shù)據(jù)看，北方華創(chuàng)從2019年的40.58億元營收成長為2023年的220億元（2023年預計營收在210~230億元間，取中位），CAGR（年復增長率）為52.6％。凈利潤從3.09億元成為至38.80億元（2023年預計營收在210~230億元間，取中位），CAGR為88.2％。毛利率穩(wěn)定在35％~45％間，并呈現(xiàn)上升趨勢。

中微公司

中微公司重點發(fā)展刻蝕（CCP與ICP）、物理氣相沉積和化學氣相沉積三大類設(shè)備。此外，公司開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件等器件所需的多類MOCVD設(shè)備也取得了良好進展，2024年將會陸續(xù)進入市場。

大族半導體

大族半導體在本次展會中展示了最新研發(fā)的全自動激光全切機，并首次公開展出工業(yè)級多波段脈沖激光器、100W飛秒激光器等。碳化硅領(lǐng)域，大族半導體主要帶來SiC 晶錠激光切片設(shè)備、SiC激光退火設(shè)備等產(chǎn)品。據(jù)悉，大族半導體主研應用于硅、SiC、砷化鎵、GaN等材料的加工工藝，并一直致力開發(fā)性能優(yōu)異的碳化硅切割解決方案。

昂坤視覺

本次展會，昂坤視覺帶來了旗下最新的化合物半導體的襯底和外延片的缺陷檢測方案。公開資料顯示，昂坤視覺成立于2017年，是一家光學測量及檢測設(shè)備生產(chǎn)商，產(chǎn)品國際聞名。其致力于為化合物半導體光電和集成電路產(chǎn)業(yè)提供光學測量和光學檢測設(shè)備及解決方案，現(xiàn)有產(chǎn)品包括MOCVD在線監(jiān)測設(shè)備、LED照明缺陷檢測設(shè)備、化合物半導體的襯底和外延片的缺陷檢測設(shè)備及集成電路缺陷檢測設(shè)備等。

特思迪

北京特思迪本次展示了最新的減薄、拋光、CMP設(shè)備產(chǎn)品。去年10月末消息，特思迪完成B輪融資，其研發(fā)出的8英寸碳化硅全自動減薄設(shè)備目前已投入市場，8英寸雙面拋光設(shè)備已通過工藝測試進入量產(chǎn)階段。

愛發(fā)科（ULVAC）

愛發(fā)科本次帶來了先進綜合真空解決方案。其總部位于日本，以真空技術(shù)為核心，F(xiàn)PD平板顯示制造及PV光伏產(chǎn)業(yè)制造設(shè)備、半導體及電子部品制造設(shè)備、濺射靶材材料、先端材料等為主要業(yè)務。此前消息顯示，愛發(fā)科在第三代半導體的領(lǐng)域中的設(shè)備類型有SiC功率半導體器件中的離子注入、濺射、刻蝕及蒸鍍設(shè)備；GaN HEMT領(lǐng)域則有uGmni系列干法刻蝕設(shè)備等。

迪思科（DISCO）

日本半導體制造設(shè)備企業(yè)迪思科主要在“切、削、磨”技術(shù)方面具有優(yōu)勢。據(jù)悉，迪思科的設(shè)備類型非常廣泛，不僅是通用產(chǎn)品，還致力于開發(fā)HBM、使用電力效率高的碳化硅（SiC）晶圓的功率半導體等。行業(yè)消息顯示，DISCO推出的全新的SiC(碳化硅)切割設(shè)備，可將碳化硅晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。據(jù)悉，由于碳化硅的硬度僅次于金剛石和碳化硼，硬度是硅的1.8倍，因此切割難度較大。

德國Centrothern

centrotherm是總部位于德國，是全球領(lǐng)先的熱處理設(shè)備供應商，已有70多年的高溫熱處理技術(shù)的開發(fā)經(jīng)驗。此次展會，centrotherm主要展示了快速熱退火、高溫熱氧化等設(shè)備。此前行業(yè)消息顯示，centrotherm2021年8英寸碳化硅爐管設(shè)備建立了較為成熟的設(shè)備平臺體系，其三種熱處理設(shè)備（柵極氧化爐、退火爐、快速熱處理）均可兼容6/8英寸。

德國PVA TePla

德國 PVA TePla是全球碳化硅設(shè)備行業(yè)隱形冠軍，其主要產(chǎn)品是大尺寸硅晶體以及6寸、8寸碳化硅晶體材料生長設(shè)備，在本次展會中德國 PVA TePla 向業(yè)界展示了多款前沿技術(shù)產(chǎn)品，

并帶來了為中國市場定制的碳化硅晶體生長設(shè)備“SICN”，其采用的是物理氣象傳輸工藝PVT法生產(chǎn)碳化硅晶體，預計計劃今年二季度投入市場。

PVA TePla推出的SICN新品優(yōu)勢

上海邦芯半導體

上海的邦芯半導體主要為客戶提供全方位的解決方案，本次展會中邦芯半導體在化合物端帶來的設(shè)備主要是HongHu TSG150W/200WD，用于6/8英寸功率半導體工藝WCVD設(shè)備。HongHu Lvory 150W/200WD，用于6/8化合物半導體加工工藝ICP刻蝕設(shè)備。HongHu Coral 150W/200WD，用于6/8化合物半導體加工工藝CCP刻蝕設(shè)備。

思銳智能

本次展會，青島思銳智能帶來了離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相，今年3月1日，青島四方思銳智能技術(shù)有限公司宣布完成了數(shù)億元B輪融資。思銳智能聚焦關(guān)鍵半導體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務方案。目前，思銳智能已形成“雙主業(yè)”布局，公司產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備。廣泛應用于集成電路、第三代半導體、新能源、光學、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。

杭州西湖儀器

杭州西湖儀器成立于2021年12月主營SiC碳化硅襯底激光切片及剝離設(shè)備。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要有SiC襯底激光切片、剝離設(shè)備，并有SiC激光平坦化、激光檢測、激光劃片設(shè)備、激光拋光設(shè)備正在研發(fā)中。

來源：全球半導體觀察

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