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日本研發(fā)出GaO的低成本制法

作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 10 日 17:45 | 分類 光電
日本的東京農工大學與日本酸素控股株式會社CSE(下文簡稱“日本酸素”)開發(fā)出了新一代功率半導體氧化鎵(GaO)的低成本制法。 利用氣體供應原料,在基板上制造晶體,可以減少設備的維護頻率,也可以降低運營成本。 日本酸素正在將制作設備商用化,做到隨時可向客戶供貨。 這種作方法屬于“有...  [詳內文]

設備簽單近25億!愛思強上半年業(yè)績豐收

作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 28 日 14:15 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日(7/27),德國半導體沉積設備廠商AIXTRON愛思強公布了2023第二季度及上半年財報并調高了全年增長預期,表明對2023年設備市場需求增長和業(yè)績持續(xù)成長的信心。而且,得益于電力電子市場,尤其是電動汽車市場的蓬勃發(fā)展,SiC設備將成為愛思強2023年所有產品組合中最暢銷的...  [詳內文]