作為化合物半導體材料，InP（磷化銦）半導體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、航天等領域具有廣闊的應用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射頻元件，其在光子領域具...  [詳內(nèi)文]