Tag Archives: GaN

涉及GaN，BAE Systems宣布和格芯達(dá)成合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分類 功率
6月24日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴關(guān)系，以加強(qiáng)美國國家安全項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略進(jìn)行合作，雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對航空航天和國防系...  [詳內(nèi)文]

布局GaN，臺達(dá)電子攜手TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 9:03 | 分類 企業(yè)
6月21日，臺達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。 臺達(dá)表示，此舉不僅深化雙方長期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù)，強(qiáng)化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強(qiáng)臺達(dá)在電動車領(lǐng)域的核心競...  [詳內(nèi)文]

啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年內(nèi)完成開發(fā)650V GaN HEMT
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 20 日 14:48 | 分類 企業(yè)
據(jù)外媒報(bào)道，6月19日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導(dǎo)體）宣布，公司已確認(rèn)650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發(fā)力度，預(yù)計(jì)年內(nèi)完成開發(fā)。 因GaN具有高速開關(guān)和低電阻特性，它被稱為下一代功率半導(dǎo)體，比現(xiàn)有的硅（S...  [詳內(nèi)文]

德州儀器發(fā)布GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 18 日 17:12 | 分類 企業(yè)
6月18日，德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時(shí)通常面臨的許多設(shè)計(jì)和性能折衷問題。DRV730...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科、CGD推出多款GaN新品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 04 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近期，GaN產(chǎn)業(yè)熱度持續(xù)上漲，技術(shù)進(jìn)展、新品發(fā)布、項(xiàng)目建設(shè)、融資并購、廠商合作等各類動態(tài)讓人目不暇接，而在近日，英諾賽科、CGD兩家廠商接連發(fā)布了多款GaN新品，在一定程度上顯示了終端應(yīng)用需求正在持續(xù)增長。 英諾賽科發(fā)布三款GaN驅(qū)動器產(chǎn)品 5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布...  [詳內(nèi)文]

TrendForce：SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場格局與應(yīng)用分析
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 31 日 8:54 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
經(jīng)歷下行周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2024年迎來較為積極的增長態(tài)勢，AI人工智能以及新能源汽車等驅(qū)動之下，半導(dǎo)體需求正逐步提升。 AI運(yùn)行需要大量的計(jì)算資源以進(jìn)行模型訓(xùn)練與推理，這一過程中要用到高性能計(jì)算芯片包括GPU、ASIC、FPGA等，還有HBM等存儲器芯片。 另外，為滿足更高階的...  [詳內(nèi)文]

GaN廠商合作案+2
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近期，GaN產(chǎn)業(yè)各類動態(tài)讓人目不暇接，涉及技術(shù)進(jìn)展、新品發(fā)布、項(xiàng)目建設(shè)、融資并購、廠商合作等方方面面，而在近日，GaN產(chǎn)業(yè)鏈又新增兩起合作案例，這在一定程度上顯示了GaN產(chǎn)業(yè)熱度正在持續(xù)上漲。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 CGD與ITRI簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄 5月30日，...  [詳內(nèi)文]

國星光電：氮化鎵器件產(chǎn)品已量產(chǎn)接單
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 29 日 18:00 | 分類 企業(yè)
國星光電主要從事電子元器件研發(fā)、制造與銷售，主要產(chǎn)品分為LED外延片及芯片產(chǎn)品、LED封裝及組件產(chǎn)品、集成電路封測產(chǎn)品及第三代化合物半導(dǎo)體封測產(chǎn)品等。 據(jù)悉，SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體憑借高頻率、高溫穩(wěn)定性和低損耗特性，在新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域不斷開拓...  [詳內(nèi)文]

云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 27 日 18:00 | 分類 企業(yè)
據(jù)悉，在半導(dǎo)體工藝制程中，芯片內(nèi)阻越小，芯片面積越大，單芯片上缺點(diǎn)數(shù)越高，芯片的良率也會越差。對于10mΩ級別內(nèi)阻的GaN芯片，制造難度較大。而云鎵半導(dǎo)體近日在10mΩ內(nèi)阻GaN芯片研發(fā)方面取得了突破。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 近日，據(jù)云鎵半導(dǎo)體官微披露，其自主研發(fā)了650V...  [詳內(nèi)文]

埃特曼半導(dǎo)體廈門GaN外延工廠開業(yè)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 20 日 18:00 | 分類 企業(yè)
作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項(xiàng)目建設(shè)等動作，不時(shí)有新動態(tài)披露。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 在關(guān)注度較高的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目方面，上個(gè)月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家...  [詳內(nèi)文]