Tag Archives: GaN

香港首條超高真空氮化鎵外延片中試線啟動(dòng)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 31 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
7月30日，據(jù)香港中通社消息，香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司（以下簡(jiǎn)稱麻省光子技術(shù)）聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動(dòng)儀式。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 儀式上，專注研發(fā)氮化鎵外延技術(shù)的麻省光子技術(shù)宣布，該公司計(jì)劃于香港科學(xué)園設(shè)立...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)有新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 31 日 17:20 | 分類 功率
近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）公布了13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)新進(jìn)展，包括2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案、2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)、9項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見(jiàn)稿的編制。 ...  [詳內(nèi)文]

VisIC與賀利氏、PINK達(dá)成三方合作，發(fā)力GaN電動(dòng)車用市場(chǎng)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 30 日 18:00 | 分類 企業(yè)
7月29日消息，電動(dòng)汽車（EVs）氮化鎵（GaN）器件廠商VisIC宣布已與全球電子行業(yè)器件組裝和封裝材料廠商賀利氏和燒結(jié)設(shè)備制造商PINK達(dá)成合作，利用D3GaN技術(shù)開發(fā)一種先進(jìn)的功率模塊。這種開創(chuàng)性的功率模塊基于氮化硅陶瓷基板、創(chuàng)新的銀（Ag）燒結(jié)工藝和先進(jìn)的頂側(cè)互連技術(shù)，為...  [詳內(nèi)文]

德高化成GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 30 日 17:59 | 分類 功率
據(jù)天津經(jīng)開區(qū)一泰達(dá)消息，近日，天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱德高化成）在天津經(jīng)開區(qū)的施工現(xiàn)場(chǎng)打下第一根樁，標(biāo)志著德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工建設(shè)。 據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

1200V、12英寸晶圓，2家GaN廠商推出新品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 29 日 17:59 | 分類 企業(yè)
氮化鎵（GaN）器件因其高效率、高功率密度、高開關(guān)頻率和優(yōu)秀的導(dǎo)熱能力，正在被越來(lái)越多的汽車廠商和半導(dǎo)體廠商看好。近日，國(guó)內(nèi)2家GaN廠商分別推出了新品，GaN上車進(jìn)度再刷新。 宇騰科技推出1200V GaN功率器件 據(jù)陜西宇騰電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“宇騰科技”）官微消息，公...  [詳內(nèi)文]

預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)，Apro Semicon開發(fā)出8英寸1200V GaN外延片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 25 日 15:55 | 分類 企業(yè)
據(jù)韓媒報(bào)道，Apro Semicon 24日宣布，公司已開發(fā)出8英寸1200V硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片，并預(yù)計(jì)今年年底大規(guī)模投產(chǎn)。 報(bào)道稱，繼2021年引進(jìn)對(duì)8英寸GaN的發(fā)展至關(guān)重要的MOCVD設(shè)備之后，Apro Semicon一直在推動(dòng)GaN外延片的開發(fā)。經(jīng)過(guò)約...  [詳內(nèi)文]

化合物半導(dǎo)體晶圓廠商IQE預(yù)計(jì)上半年銷售額增長(zhǎng)強(qiáng)勁
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 18:00 | 分類 企業(yè)
7月23日，化合物半導(dǎo)體晶圓制造商IQE更新了最新業(yè)務(wù)發(fā)展情況，并計(jì)劃于2024年9月10日公布中期業(yè)績(jī)。IQE表示，2024年上半年收入增長(zhǎng)符合管理層的預(yù)期，預(yù)計(jì)銷售額將至少達(dá)到6500萬(wàn)英鎊（約6.1億人民幣），相較2023年上半年至少增長(zhǎng)25%，相較2023年下半年可能增長(zhǎng)...  [詳內(nèi)文]

封頂、通線，2個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目取得新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，株洲諾天電熱科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱諾天科技）碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地、廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院（以下簡(jiǎn)稱廣東微納院）半導(dǎo)體微納加工中試平臺(tái)等第三代半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 諾天科技碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂...  [詳內(nèi)文]

931萬(wàn)，BlusGlass出售GaN專利給歐洲晶圓開發(fā)商
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 11 日 13:41 | 分類 企業(yè)
近日，半導(dǎo)體開發(fā)商BluGlass Limited宣布，通過(guò)轉(zhuǎn)讓專用晶圓上的氮化鎵(GaN)生長(zhǎng)技術(shù)相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)給代工客戶，公司已從一家歐洲晶圓開發(fā)商手中獲得了128萬(wàn)美元（折合人民幣約931萬(wàn)元）轉(zhuǎn)讓費(fèi)。 圖片source：拍信網(wǎng) 基于一項(xiàng)有償開發(fā)合同，自2022年1...  [詳內(nèi)文]

晶圓代工大廠出手，GaN新添2起收購(gòu)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 02 日 16:56 | 分類 企業(yè)
步入7月，氮化鎵（GaN）領(lǐng)域新增兩起收購(gòu)案。 格芯收購(gòu)Tagore GaN技術(shù)和相關(guān)團(tuán)隊(duì) 7月1日，晶圓代工大廠格芯（GF）宣布，公司收購(gòu)了Tagore Technology經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的專有功率氮化鎵（GaN）IP產(chǎn)品組合。 source：拍信網(wǎng) 該產(chǎn)品組合是一種高功率密度解...  [詳內(nèi)文]