婷婷五月开心亚洲综合在线,久久97久久97精品免视看秋霞 http://fortresscml.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門(mén)戶網(wǎng)站,提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Mon, 21 Oct 2024 06:39:30 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 士蘭微8英寸碳化硅功率器件項(xiàng)目預(yù)計(jì)明年試生產(chǎn) http://fortresscml.com/info/newsdetail-69868.html Mon, 21 Oct 2024 10:00:03 +0000 http://fortresscml.com/?p=69868 10月18日,據(jù)廈門(mén)日?qǐng)?bào)消息,廈門(mén)這個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目近日取得了新進(jìn)展。

據(jù)報(bào)道,位于福建省廈門(mén)市海滄區(qū)的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目近日進(jìn)入土方工程收尾階段,一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線,四季度試生產(chǎn)。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資120億元,分兩期建設(shè),其中,一期項(xiàng)目總投資70億元,達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后,將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

從該項(xiàng)目推進(jìn)情況來(lái)看,作為該項(xiàng)目實(shí)施主體士蘭集宏的母公司,士蘭微與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。隨后在6月18日,士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在廈門(mén)市海滄區(qū)正式開(kāi)工。

近期,除士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目外,國(guó)內(nèi)外廠商還有多個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展。

其中,北京市生態(tài)環(huán)境局于8月13日公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目(以下簡(jiǎn)稱:二期項(xiàng)目)環(huán)評(píng)審批。二期項(xiàng)目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能,投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬(wàn)片導(dǎo)電型碳化硅襯底,其中8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬(wàn)片。

8月底,重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點(diǎn)亮通線。該項(xiàng)目投資額為70億元,規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬(wàn)片。

9月27日,住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布,將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線,SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日,據(jù)韓媒報(bào)道,韓國(guó)東部高科(DB HiTek)于11日宣布,其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室,計(jì)劃先行建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

10月16日,在首屆SEMiBAY灣芯展開(kāi)幕式上,方正微電子發(fā)布了車(chē)規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品,還表示其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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13.5億,新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目即將竣工投產(chǎn) http://fortresscml.com/Company/newsdetail-69848.html Fri, 18 Oct 2024 10:00:45 +0000 http://fortresscml.com/?p=69848 10月17日,據(jù)無(wú)錫市新吳區(qū)官網(wǎng)消息,位于無(wú)錫市高新區(qū)(新吳區(qū))的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目即將竣工投產(chǎn)。

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據(jù)悉,新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資13.5億元,用地面積約3.17萬(wàn)平方米,建筑面積約5.4-5.7萬(wàn)平方米,該項(xiàng)目于2023年1月開(kāi)工建設(shè),預(yù)計(jì)2024年底竣工投用。

該項(xiàng)目建成投產(chǎn)后,預(yù)計(jì)年產(chǎn)碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬(wàn)只;年產(chǎn)14.52億只IC及智能功率模塊(IPM)等功率集成模塊;年產(chǎn)362.6萬(wàn)只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊(含車(chē)規(guī)級(jí))。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值16.66億元。

官網(wǎng)資料顯示,新潔能成立于2013年1月,擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國(guó)硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。新潔能專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷(xiāo)售,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子、新能源汽車(chē)及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。

產(chǎn)品方面,新潔能構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET(SGT MOSFET)、超結(jié)MOSFET(SJ MOSFET)、溝槽型MOSFET(Trench MOSFET)四大產(chǎn)品工藝平臺(tái),并已陸續(xù)推出車(chē)規(guī)級(jí)功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動(dòng)IC、電源管理IC等產(chǎn)品,電壓覆蓋12V-1700V全系列。

目前,新潔能的SiC MOSFET部分產(chǎn)品已通過(guò)客戶驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷(xiāo)售,GaN HEMT部分產(chǎn)品已開(kāi)發(fā)完成并通過(guò)可靠性測(cè)試。

具體來(lái)看,新潔能已開(kāi)發(fā)完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品,新增產(chǎn)品6款,相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷(xiāo)售階段;650V/190mohm E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已開(kāi)發(fā)完成,新增產(chǎn)品2款,100V/200V GaN產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)中。

業(yè)績(jī)方面,2024年上半年,新潔能實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.73億元,同比增長(zhǎng)15.16%;歸母凈利潤(rùn)2.18億元,同比增長(zhǎng)47.45%;歸母扣非凈利潤(rùn)2.14億元,同比增長(zhǎng)55.21%。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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聚焦碳化硅項(xiàng)目,鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作 http://fortresscml.com/Company/newsdetail-69851.html Fri, 18 Oct 2024 10:00:23 +0000 http://fortresscml.com/?p=69851 10月17日,據(jù)“融中心”消息,大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會(huì)、韓中文化協(xié)會(huì)及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱:鉅芯半導(dǎo)體)在安徽省池州市舉行了一場(chǎng)簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開(kāi)始。

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據(jù)悉,三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車(chē)空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開(kāi),將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。

官網(wǎng)資料顯示,鉅芯半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售的廠商。公司占地24975平方米,建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房及辦公用房13000平方米,可年產(chǎn)半導(dǎo)體GPP芯片360萬(wàn)片;高端的小型化、低功耗半導(dǎo)體功率器件3600KK。

據(jù)了解,今年以來(lái),部分韓國(guó)半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè),并不斷取得新進(jìn)展。

據(jù)韓媒ETnews報(bào)道,今年3月26日,半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布,已在韓國(guó)首次成功開(kāi)發(fā)出2300V碳化硅MOSFET,并將于明年初量產(chǎn)。Power Cube Semi稱,2300V碳化硅MOSFET繼承了現(xiàn)有1700V碳化硅MOSFET的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

隨后在6月5日,韓國(guó)貿(mào)易、工業(yè)和能源部宣布,韓國(guó)本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab已開(kāi)始在釜山功率半導(dǎo)體元件和材料特區(qū)內(nèi)建設(shè)韓國(guó)首座8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠,該項(xiàng)目已于當(dāng)日舉行了奠基儀式。

EYEQ Lab公司本次計(jì)劃投資1000億韓元(約5.2億人民幣)建設(shè)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠,工廠規(guī)劃產(chǎn)能為14.4萬(wàn)片/年,投產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)為2025年9月。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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碳化硅/氮化鎵:排隊(duì)“上車(chē)” http://fortresscml.com/info/newsdetail-69854.html Fri, 18 Oct 2024 10:00:11 +0000 http://fortresscml.com/?p=69854 碳化硅和氮化鎵在汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用,似乎正在“漸入佳境”。

其中,碳化硅功率器件加速“上車(chē)”趨勢(shì)已十分明朗,近年來(lái),越來(lái)越多的新能源新車(chē)型導(dǎo)入了碳化硅技術(shù),而在近期,星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRA ES、第二代AION V埃安霸王龍、鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車(chē)享界S9、2025款海豹、2025款極氪007、嵐圖汽車(chē)旗下嵐圖知音SUV等搭載碳化硅的新車(chē)型密集發(fā)布,碳化硅和新能源汽車(chē)組“CP”已蔚然成風(fēng)。

與此同時(shí),氮化鎵在車(chē)用場(chǎng)景的應(yīng)用探索持續(xù)取得新進(jìn)展。圍繞車(chē)載充電器、車(chē)載激光雷達(dá)等場(chǎng)景,英飛凌、EPC等廠商紛紛推出了相關(guān)產(chǎn)品,推動(dòng)著氮化鎵車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用熱度上漲。

碳化硅/氮化鎵功率器件龍頭角逐車(chē)用場(chǎng)景

當(dāng)前,業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅/氮化鎵功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域有較大的應(yīng)用潛力,因此各大頭部廠商正在積極布局車(chē)用場(chǎng)景。

碳化硅/氮化鎵功率器件廠商車(chē)用布局

意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國(guó)際半導(dǎo)體大廠在碳化硅功率器件領(lǐng)域深耕多年,在技術(shù)和市場(chǎng)方面占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢(shì),有利于更好地拓展全球業(yè)務(wù),其中就包括中國(guó)市場(chǎng)。

近年來(lái),隨著國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)市場(chǎng)持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng),車(chē)用碳化硅需求水漲船高,國(guó)際巨頭們紛紛加碼中國(guó)業(yè)務(wù),而與車(chē)企合作是搶占市場(chǎng)份額最便捷的方式之一。僅2024年以來(lái),圍繞車(chē)用碳化硅功率器件和模塊,國(guó)際廠商和本土汽車(chē)制造商達(dá)成了一系列新的合作,包括意法半導(dǎo)體與長(zhǎng)城汽車(chē)達(dá)成碳化硅戰(zhàn)略合作、英飛凌與小米達(dá)成協(xié)議、安森美與理想汽車(chē)簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議等。

為降低供應(yīng)鏈成本,意法半導(dǎo)體還與國(guó)內(nèi)碳化硅頭部玩家三安合作,斥資數(shù)十億美元在國(guó)內(nèi)投建碳化硅器件合資工廠。意法半導(dǎo)體將碳化硅器件產(chǎn)能本地化,不僅有助于降低供貨成本,也有利于其通過(guò)產(chǎn)能保障進(jìn)一步開(kāi)拓中國(guó)車(chē)用碳化硅業(yè)務(wù)。

降本增效有利于拓展市場(chǎng),強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)同樣有助于吸引客戶目光,進(jìn)而達(dá)成合作。例如:2024年上半年,英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù),在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)提高了20%,在一定程度上提升了整體能效。

目前,產(chǎn)能建設(shè)和技術(shù)迭代升級(jí)都是國(guó)際巨頭們關(guān)注的焦點(diǎn),未來(lái)各大廠商有望在這兩個(gè)方向持續(xù)取得突破。

在國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)市場(chǎng),國(guó)際碳化硅功率器件大廠正在加速導(dǎo)入相關(guān)產(chǎn)品,本土相關(guān)企業(yè)則奮起直追,想要分一杯羹。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)期間,集邦化合物半導(dǎo)體分別和英飛凌、安森美、EPC、賽米控丹佛斯、Soitec和斯達(dá)半導(dǎo)體進(jìn)行了交流,了解到6家國(guó)內(nèi)外功率器件知名廠商在碳化硅、氮化鎵車(chē)用場(chǎng)景的布局及進(jìn)展情況。

英飛凌

國(guó)際廠商方面,英飛凌目前致力于從性價(jià)比、可靠性、效率等三個(gè)方面全面提升碳化硅功率器件產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,疊加作為國(guó)際IDM大廠在技術(shù)、市場(chǎng)等方面的深厚積累,使其能夠更好地響應(yīng)包括車(chē)用在內(nèi)的功率器件各類(lèi)市場(chǎng)需求。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上,在電動(dòng)交通出行展區(qū),英飛凌首次向國(guó)內(nèi)市場(chǎng)展示了旗下汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的HybridPACK? Drive G2 Fusion模塊和Chip Embedding功率器件,其中HybridPACK? Drive G2 Fusion模塊融合了IGBT和碳化硅芯片,在有效減少碳化硅模塊成本的情況下同時(shí)顯著提升了模塊的應(yīng)用效率,而Chip Embedding則可以直接集成在PCB板中,做到極小的雜散和高集成度的融合。

針對(duì)汽車(chē)電控,英飛凌電控系統(tǒng)解決方案采用第二代HybridPACK? Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)進(jìn)行演示,該系統(tǒng)集成了AURIX? TC4系列產(chǎn)品、第二代1200V SiC HybridPACK? Drive模塊、第三代EiceDRIVER?驅(qū)動(dòng)芯片1EDI30XX、無(wú)磁芯電流傳感器等。

針對(duì)OBC(車(chē)載充電器)/DC-DC應(yīng)用,英飛凌展示了其完整的頂部散熱方案:7.2kW磁集成Tiny Box頂部散熱解決方案,實(shí)現(xiàn)了高功率密度的電氣以及高集成結(jié)構(gòu)方案的有效融合。

安森美

安森美現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師Sangjun Koo表示,安森美在碳化硅領(lǐng)域的布局具備兩大優(yōu)勢(shì),其一是針對(duì)碳化硅功率器件的市場(chǎng)需求反應(yīng)速度快,能夠快速針對(duì)產(chǎn)品布局做出決策;其二是作為全球第二大碳化硅功率器件供應(yīng)商,具備規(guī)?;a(chǎn)能力,能夠保障供貨,基于這些優(yōu)勢(shì),安森美能夠更好地滿足包括車(chē)用在內(nèi)的市場(chǎng)需求。目前,安森美還積極布局AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,有望與車(chē)用業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展。

為滿足800V架構(gòu)下的充電需求,高功率OBC逐漸走向市場(chǎng)。安森美的OBC方案采用碳化硅產(chǎn)品,在11kW時(shí)的峰值系統(tǒng)效率達(dá)到97%,功率密度高達(dá)2.2?kW/l。此外,這一設(shè)計(jì)還可減少使用無(wú)源器件,從而減少PCB面積,有助于實(shí)現(xiàn)汽車(chē)輕量化。

為應(yīng)對(duì)主驅(qū)逆變器高功率的需求,安森美推出了1200V碳化硅半橋功率模塊B2S,支持最高400kw的輸出功率。該模塊采用了轉(zhuǎn)模注塑封裝方式,同時(shí)芯片連接采用銀燒結(jié)工藝,實(shí)現(xiàn)了高可靠性和低熱阻。模塊雜散電感約4nH,內(nèi)部集成onsemi最新的M3碳化硅技術(shù),確保模塊的高性能。

EPC

EPC公司可靠性副總裁張盛科表示,EPC的低壓GaN器件能夠覆蓋所有48V至12V服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)以及與太空相關(guān)的應(yīng)用需求。他們還在探索人形機(jī)器人和太陽(yáng)能場(chǎng)景。EPC的LiDAR GaN器件也適用于汽車(chē)應(yīng)用。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上,EPC展示了一款人形機(jī)器人樣品。該機(jī)器人中的一些關(guān)節(jié)組件很可能采用GaN技術(shù)。此外,EPC還帶來(lái)了一輛無(wú)人駕駛電動(dòng)小車(chē),配備了采用EPC GaN功率器件的激光雷達(dá)組件。

賽米控丹佛斯

據(jù)賽米控丹佛斯大中華區(qū)方案和系統(tǒng)銷(xiāo)售總監(jiān)&大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)Norbert Pluschke介紹,賽米控丹佛斯作為碳化硅模塊封裝領(lǐng)先廠商之一,擁有兩種專為碳化硅優(yōu)化設(shè)計(jì)的封裝形式:一是全橋功率模塊eMPack?平臺(tái),擁有極低的雜散電感(2.5nH),有助于實(shí)現(xiàn)碳化硅的高開(kāi)關(guān)速度;二是為嚴(yán)苛的汽車(chē)牽引逆變器應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的直接冷卻注塑半橋模塊DCM平臺(tái),這項(xiàng)技術(shù)也適用于未來(lái)氮化鎵領(lǐng)域。

在PCIM Asia 2024國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)上,賽米控丹佛斯展示了在工業(yè)能源和汽車(chē)領(lǐng)域的解決方案,其中包括采用eMPack?和DCM碳化硅模塊的雪鐵龍、伊控動(dòng)力等公司的新能源汽車(chē)電機(jī)控制器產(chǎn)品。

Soitec

Soitec公司業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Gonzalo Picun表示,大尺寸碳化硅(SiC)襯底是當(dāng)前SiC行業(yè)的關(guān)鍵發(fā)展趨勢(shì),能夠有效提升SiC功率器件的生產(chǎn)效率并降低成本。同時(shí),新的材料技術(shù)也在涌現(xiàn),例如我們SmartSiC襯底產(chǎn)品線中使用的多晶SiC(poly-SiC),它提高了單晶材料的利用效率,同時(shí)提升了器件的性能和可靠性。

此外,Soitec還發(fā)現(xiàn)多種創(chuàng)新的SiC生長(zhǎng)方法正在開(kāi)發(fā)中,如液相生長(zhǎng)(Liquid Phase growth)和高溫化學(xué)氣相沉積(HT-CVD),這些方法有助于提升單晶SiC的質(zhì)量,從而應(yīng)用于SmartSiC襯底。在此背景下,Soitec正在積極開(kāi)發(fā)高質(zhì)量的襯底技術(shù),包括大尺寸襯底。

在產(chǎn)能方面,Soitec位于法國(guó)Bernin的新工廠于2023年10月完工,總投資額為3.8億歐元(約合30億元人民幣),占地2,500平方米。該工廠在全面投產(chǎn)后,每年可生產(chǎn)50萬(wàn)片晶圓,其中80%為SmartSiC晶圓。

Soitec獨(dú)特的技術(shù)——Smart Cut,能夠?qū)⒁粚颖〉母哔|(zhì)量單晶SiC與多晶SiC襯底結(jié)合起來(lái)。由此生成的SmartSiC襯底最大限度地提高了SiC材料的利用率,并顯著提升了生產(chǎn)產(chǎn)量。總體而言,Soitec具備在新能源車(chē)輛(NEVs)SiC應(yīng)用中占據(jù)重要地位的實(shí)力。

斯達(dá)半導(dǎo)體

斯達(dá)半導(dǎo)體在車(chē)用領(lǐng)域進(jìn)展較快,據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)體副總經(jīng)理湯藝博士介紹,2022年,斯達(dá)半導(dǎo)體成為國(guó)內(nèi)首家碳化硅模塊批量進(jìn)入車(chē)企(用于小鵬G9車(chē)型)的廠商;2023年,其自研碳化硅芯片向北汽等多家車(chē)企批量供貨;斯達(dá)半導(dǎo)體自建產(chǎn)線今年也已開(kāi)始供貨,應(yīng)用范圍覆蓋主驅(qū)逆變器、電源及車(chē)載空調(diào)。

斯達(dá)半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅器件廠商正在持續(xù)推進(jìn)碳化硅“上車(chē)”進(jìn)程,各大廠商大有與國(guó)際巨頭分庭抗禮之勢(shì)。

在碳化硅功率器件加速“上車(chē)”的同時(shí),氮化鎵“上車(chē)”也已經(jīng)被各大頭部玩家提上日程。其中,意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等雙管齊下,同時(shí)挖掘車(chē)用碳化硅和車(chē)用氮化鎵的機(jī)會(huì)。其中,意法半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)或即將導(dǎo)入理想汽車(chē)、長(zhǎng)城汽車(chē)等新能源汽車(chē)頭部廠商旗下車(chē)型中,同時(shí),其PowerGaN系列產(chǎn)品,在功率更高的應(yīng)用中,也適用于電動(dòng)汽車(chē)及其充電設(shè)施。

EPC公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)了基于氮化鎵的飛行時(shí)間(ToF)/激光雷達(dá)參考設(shè)計(jì),這些設(shè)計(jì)利用了氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FETs),在激光雷達(dá)電路中提供了快速切換速度、更小的占地面積、高效率和卓越可靠性等優(yōu)勢(shì)。目前,EPC公司的eGaN FET已經(jīng)在汽車(chē)應(yīng)用中積累了數(shù)十億小時(shí)的成功經(jīng)驗(yàn),包括激光雷達(dá)及雷達(dá)系統(tǒng)。

氮化鎵的汽車(chē)應(yīng)用目前還處于早期階段,在車(chē)載激光雷達(dá)產(chǎn)品的應(yīng)用相對(duì)成熟,并正在往其他車(chē)用場(chǎng)景滲透。預(yù)計(jì)到2025年左右,氮化鎵會(huì)小批量地滲透到低功率的OBC和DC-DC中,再遠(yuǎn)到2030年,OEM或考慮將氮化鎵引入到主驅(qū)逆變器。

碳化硅/氮化鎵車(chē)用趨勢(shì)

在國(guó)內(nèi)外碳化硅、氮化鎵功率器件廠商的共同努力下,全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)尤其是新能源汽車(chē)領(lǐng)域正在發(fā)生革命性的轉(zhuǎn)變。

目前,新能源汽車(chē)領(lǐng)域正在經(jīng)歷由400V電壓系統(tǒng)向800V電壓系統(tǒng)的轉(zhuǎn)變,在各大廠商最新發(fā)布的新能源車(chē)型中,800V高壓碳化硅平臺(tái)幾乎成為標(biāo)配,這一轉(zhuǎn)變主要是為了提升電池充電速度、減少電池發(fā)熱、提高電機(jī)工作效率、提升車(chē)輛續(xù)航里程并降低制造成本。在這個(gè)過(guò)程中,碳化硅功率器件發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

在車(chē)用領(lǐng)域,1200V甚至是1700V碳化硅功率器件正在成為主流,以便更好地匹配800V或更高電壓等級(jí)的車(chē)用平臺(tái)需求。

400V向800V的轉(zhuǎn)變過(guò)程,也是新能源汽車(chē)加速普及的過(guò)程,從近期主流新能源車(chē)企發(fā)布的數(shù)據(jù)情況來(lái)看,各大廠商在8月份普遍實(shí)現(xiàn)了銷(xiāo)量大幅增長(zhǎng),并有望延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),碳化硅功率器件廠商也將持續(xù)受益。

主流新能源車(chē)企8月銷(xiāo)量

同時(shí),伴隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對(duì)減少能量損耗和可靠性的要求越來(lái)越高,碳化硅模塊的集成化需求越來(lái)越多。

總結(jié)

近年來(lái),隨著合成技術(shù)的進(jìn)步以及生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大,碳化硅襯底、外延成本呈下降趨勢(shì),推動(dòng)器件、模塊等相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下探,有利于其向各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)一步滲透,尤其是正在大批量導(dǎo)入的新能源汽車(chē)領(lǐng)域,規(guī)模效應(yīng)之下,價(jià)格降低更有助于車(chē)企加大碳化硅“上車(chē)”力度。

與此同時(shí),碳化硅產(chǎn)業(yè)正在由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型。盡管目前主流產(chǎn)品仍然為6英寸,但8英寸在降本增效方面的效果是顯著的,已成為各大廠商爭(zhēng)相布局的重點(diǎn)方向。未來(lái),隨著8英寸產(chǎn)能逐步釋放,也有望進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅在包括新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的普及應(yīng)用。

目前,碳化硅在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用大多數(shù)集中在中高端車(chē)型,隨著成本和價(jià)格的下降,其有望向新能源汽車(chē)中低端車(chē)型持續(xù)滲透,進(jìn)一步提升在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的參與度。

此外,在產(chǎn)業(yè)整合趨勢(shì)下,越來(lái)越多的碳化硅功率器件廠商選擇與新能源車(chē)企合作開(kāi)發(fā)車(chē)用碳化硅產(chǎn)品,以市場(chǎng)和用戶需求為導(dǎo)向,從產(chǎn)業(yè)鏈源頭入手,實(shí)現(xiàn)技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)定制化,縮短產(chǎn)品從研發(fā)、驗(yàn)證到批量應(yīng)用的流程,在實(shí)現(xiàn)降本增效的同時(shí),更好地抓住市場(chǎng)機(jī)遇。

氮化鎵方面,在新能源汽車(chē)領(lǐng)域,氮化鎵器件目前主要占據(jù)400V以下應(yīng)用,但部分廠商正在推進(jìn)氮化鎵器件的高壓應(yīng)用研發(fā),其中包括博世正在開(kāi)發(fā)一種用于汽車(chē)的1200V氮化鎵技術(shù)。未來(lái),氮化鎵功率器件將由低壓車(chē)載激光雷達(dá)應(yīng)用,逐步向需要更高電壓的主驅(qū)逆變器等應(yīng)用延伸。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)

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直擊首屆SEMiBAY灣芯展:21家三代半廠商亮點(diǎn)一覽 http://fortresscml.com/info/newsdetail-69803.html Fri, 18 Oct 2024 06:41:27 +0000 http://fortresscml.com/?p=69803 10月16日,為期三天的首屆SEMiBAY灣芯展——灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)在深圳會(huì)展中心(福田)盛大開(kāi)幕。首屆SEMiBAY灣芯展打造了晶圓制造、封裝測(cè)試、化合物半導(dǎo)體、汽車(chē)半導(dǎo)體、EDA/IP與設(shè)計(jì)服務(wù)、零部件等6大主題展區(qū),覆蓋半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)以及市場(chǎng)熱點(diǎn)領(lǐng)域,全方位展示行業(yè)前沿技術(shù)、創(chuàng)新成果、最新產(chǎn)品與解決方案以及市場(chǎng)應(yīng)用。

SEMiBAY灣芯展

集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn),首屆SEMiBAY灣芯展匯集了天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成等國(guó)內(nèi)碳化硅材料(襯底/外延)領(lǐng)域頭部廠商,方正微電子、華潤(rùn)微電子、至信微電子等碳化硅器件環(huán)節(jié)知名廠商,以及晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備等碳化硅設(shè)備細(xì)分賽道重量級(jí)玩家。

上述各大廠商分別展示了在第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料、器件、設(shè)備等各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的最新技術(shù)與產(chǎn)品,將共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng),集邦化合物半導(dǎo)體收集到20多家三代半廠商展品信息,匯總?cè)缦拢?/p>

材料領(lǐng)域,天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、天域半導(dǎo)體、瀚天天成、中環(huán)領(lǐng)先、江豐電子等廠商重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅襯底及外延片,先導(dǎo)集團(tuán)還展示了砷化鎵、磷化銦襯底及外延片。

天科合達(dá)

首屆SEMiBAY灣芯展,天科合達(dá)展示了碳化硅晶錠、6/8英寸碳化硅襯底、6/8英寸碳化硅外延片等系列產(chǎn)品,顯示其正在全面布局碳化硅襯底及外延領(lǐng)域。

天科合達(dá)展臺(tái)

目前,天科合達(dá)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng),擁有零微管密度控制技術(shù)、低位錯(cuò)密度控制技術(shù)、低層錯(cuò)密度控制技術(shù)、電阻率均勻性控制技術(shù)、低應(yīng)力及面型控制技術(shù)等多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其碳化硅外延片BPD轉(zhuǎn)化效率>99%,表面缺陷<0.2個(gè)/cm2。

天科合達(dá)碳化硅襯底

天岳先進(jìn)

本屆SEMiBAY灣芯展,天岳先進(jìn)帶來(lái)了6英寸熱沉碳化硅襯底、6英寸P型碳化硅襯底、6英寸碳化硅基異質(zhì)符合襯底、6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底、6/8英寸高純半絕緣碳化硅襯底等各類(lèi)產(chǎn)品。

天岳先進(jìn)展臺(tái)

其中,天岳先進(jìn)6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片已大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器和車(chē)載充電系統(tǒng),并得到充分驗(yàn)證,能夠滿足車(chē)規(guī)級(jí)功率器件性能需求。天岳先進(jìn)已實(shí)現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備,有效提升晶圓制備利用率,產(chǎn)品滿足芯片最高安全需求,保證了下游晶圓制備產(chǎn)能、良率和穩(wěn)定性。

天岳先進(jìn)碳化硅襯底

南砂晶圓

本屆SEMiBAY灣芯展,南砂晶圓展示了6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠和6/8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片。

南砂晶圓展臺(tái)

今年6月22日,南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地項(xiàng)目宣布正式投產(chǎn)。當(dāng)天,南砂晶圓董事長(zhǎng)王垚浩在受訪時(shí)表示,碳化硅進(jìn)入8英寸時(shí)代比預(yù)想的要早、要快。今后三年,南砂晶圓投資擴(kuò)產(chǎn)的重中之重將放在濟(jì)南北方基地項(xiàng)目上,大幅提升8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能。

南砂晶圓碳化硅襯底

中環(huán)領(lǐng)先

作為光伏頭部廠商之一,中環(huán)領(lǐng)先在本屆SEMiBAY灣芯展上展示了6/8英寸碳化硅外延片、6/8英寸氮化鎵外延片。

中環(huán)領(lǐng)先展臺(tái)

近年來(lái),通威集團(tuán)、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測(cè)股份、捷佳偉創(chuàng)、連城數(shù)控、邁為股份、奧特維等主流光伏廠商均積極拓展碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。

中環(huán)領(lǐng)先碳化硅襯底

天域半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展,天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸碳化硅外延片。

天域半導(dǎo)體展臺(tái)

天域于2021年開(kāi)始了8英寸碳化硅外延的技術(shù)儲(chǔ)備,并于2023年7月啟動(dòng)8英寸碳化硅外延產(chǎn)品小批量送樣。其超過(guò)千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明,8英碳化硅外延產(chǎn)品與6英寸碳化硅外延產(chǎn)品水平相當(dāng)。

天域半導(dǎo)體碳化硅外延片

瀚天天成

本屆SEMiBAY灣芯展,瀚天天成展示了8英寸碳化硅外延片。作為大中華區(qū)首家發(fā)布并量產(chǎn)8英寸碳化硅外延的廠商,瀚天天成實(shí)現(xiàn)了超過(guò)12個(gè)月連續(xù)穩(wěn)定批量交付。

瀚天天成展臺(tái)

瀚天天成擁有片間濃、厚度高一致性控制技術(shù)、片內(nèi)厚度高精準(zhǔn)控制技術(shù)(所有點(diǎn)容差)、片內(nèi)濃度高精準(zhǔn)控制技術(shù)(所有點(diǎn)容差)、高BPD轉(zhuǎn)化率外延生長(zhǎng)技術(shù)、大管芯高良率外延生長(zhǎng)技術(shù)等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

瀚天天成碳化硅外延片

江豐電子

本屆SEMiBAY灣芯展,江豐電子展示了6/8英寸碳化硅外延片。

江豐電子展臺(tái)

目前,江豐電子正在通過(guò)其控股子公司晶豐芯馳全面布局碳化硅外延領(lǐng)域,碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶認(rèn)可。

江豐電子碳化硅外延片

先導(dǎo)集團(tuán)

本屆SEMiBAY灣芯展,先導(dǎo)集團(tuán)展示了4/6英寸砷化鎵襯底、6英寸砷化鎵外延片、2/4英寸磷化銦襯底、4英寸磷化銦外延片等產(chǎn)品。

先導(dǎo)集團(tuán)展臺(tái)

目前,先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用VGF技術(shù)生長(zhǎng)的2-6英寸的砷化鎵襯底,包括半絕緣砷化鎵襯底(無(wú)摻雜)和半導(dǎo)體砷化鎵襯底(摻Si或摻Zn),以及用于VCSEL和RF應(yīng)用的低位錯(cuò)砷化鎵襯底。亦可根據(jù)客戶需求,定制非標(biāo)厚度和晶向的砷化鎵襯底。同時(shí),先導(dǎo)集團(tuán)可提供使用2-4英寸的磷化銦襯底,包括半絕緣磷化銦襯底(摻Fe)和半導(dǎo)體磷化銦襯底(摻Si或摻Zn),以及用于特定用途的低位錯(cuò)磷化銦襯底。亦可根據(jù)客戶需求,定制非標(biāo)厚度和晶向的磷化銦襯底。

磷化銦襯底

器件領(lǐng)域,方正微電子、華潤(rùn)微電子、至信微電子、基本半導(dǎo)體等廠商重點(diǎn)展示了車(chē)用碳化硅MOSFET和模塊,顯示了碳化硅加速“上車(chē)”趨勢(shì)。

方正微電子

本屆SEMiBAY灣芯展,方正微電子展示了碳化硅MOSFET、碳化硅車(chē)規(guī)模組以及氮化鎵HEMT等豐富多樣的產(chǎn)品。

方正微電子展臺(tái)

在SEMiBAY灣芯展開(kāi)幕式上,方正微電子發(fā)布了車(chē)規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品,覆蓋了新能源汽車(chē)應(yīng)用的全場(chǎng)景。其中,1200V 16m/18m/20mΩ應(yīng)用于主驅(qū)逆變控制器,1200V 35m/60m/85mΩ應(yīng)用于OBC,1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于DC/DC,1200V 60m/85mΩ應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī),1200V 16m/20m/35m/60mΩ應(yīng)用于充電樁等場(chǎng)景。目前,方正微電子車(chē)規(guī)1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)規(guī)模應(yīng)用,特別是已在新能源汽車(chē)主驅(qū)控制器上規(guī)模上車(chē)。

碳化硅器件

華潤(rùn)微電子

本屆SEMiBAY灣芯展,華潤(rùn)微電子展示了碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品,可廣泛應(yīng)用于電動(dòng)壓縮機(jī)、三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器、電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器、車(chē)載OBC等場(chǎng)景。

華潤(rùn)微電子展臺(tái)

在氮化鎵領(lǐng)域,2024年上半年,華潤(rùn)微完成8英寸中壓(100-200V)增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)建設(shè),并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí),華潤(rùn)微采用新型的GaN控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù),開(kāi)發(fā)原邊、副邊控制芯片,及GaN驅(qū)動(dòng)芯片,推出基于GaN的高效能快充系統(tǒng)方案,最大輸出功率可達(dá)65W。

碳化硅器件

至信微電子

本屆SEMiBAY灣芯展,至信微電子展示了650V/900V/1200V/1700V等不同電壓等級(jí)的碳化硅MOSFET以及模塊產(chǎn)品。

至信微電子展臺(tái)

至信微電子碳化硅MOSFET取得了AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證,并通過(guò)了HV-H3TRB測(cè)試。其中,1200V碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)取得了AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證,通過(guò)了960V HV-H3TRB測(cè)試,1200V、750V系列MOSFET已通過(guò)HTRB(175°C/100%BV)1000小時(shí)、HVH3TRB(高壓)1000小時(shí)等多項(xiàng)可靠性考核。

碳化硅器件

基本半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展,基本半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了碳化硅SBD、MOSFET晶圓以及各類(lèi)工業(yè)級(jí)/汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET模塊產(chǎn)品,其中,汽車(chē)級(jí)碳化硅模塊可廣泛應(yīng)用于新能源乘用車(chē)、商用車(chē)等的電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、燃料電池能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場(chǎng)景,工業(yè)級(jí)碳化硅模塊可應(yīng)用于不間斷電源UPS、高端工業(yè)電焊機(jī)等場(chǎng)景。

基本半導(dǎo)體展臺(tái)

今年9月26日,廣汽埃安旗下埃安AION RT開(kāi)啟全球預(yù)售,搭載了基本半導(dǎo)體750V全碳化硅功率模塊。

碳化硅模塊

設(shè)備領(lǐng)域,晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、優(yōu)睿譜、北方華創(chuàng)、中微公司、卓興半導(dǎo)體、快克芯裝備、芯三代、思銳智能等廠商帶來(lái)了碳化硅產(chǎn)線各個(gè)環(huán)節(jié)所需的相關(guān)設(shè)備,各有千秋。

晶盛機(jī)電

本屆SEMiBAY灣芯展,晶盛機(jī)電展示了8英寸碳化硅晶錠和8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品。

晶盛機(jī)電展臺(tái)

作為一家半導(dǎo)體設(shè)備廠商,晶盛機(jī)電在碳化硅領(lǐng)域開(kāi)發(fā)了6-8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等,實(shí)現(xiàn)了碳化硅外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代,并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備,大幅提升外延產(chǎn)能。

碳化硅襯底

納設(shè)智能

本屆SEMiBAY灣芯展,納設(shè)智能展示了6英寸碳化硅外延設(shè)備以及單、雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備。

納設(shè)智能展位

其中,納設(shè)智能6英寸碳化硅外延設(shè)備在2023年已批量出貨給多家外延客戶,也獲得了批量驗(yàn)收。在此基礎(chǔ)上,納設(shè)智能研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設(shè)備,其具備獨(dú)特的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式等特點(diǎn),能提高外延片的均勻性,降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。目前,該設(shè)備已銷(xiāo)售給多個(gè)客戶。

碳化硅設(shè)備

優(yōu)睿譜

本屆SEMiBAY灣芯展,優(yōu)睿譜展示了6/8寸碳化硅襯底位錯(cuò)、微管檢測(cè)設(shè)備SICD200,6/8寸碳化硅襯底邊緣、宏觀缺陷檢測(cè)設(shè)備SICE200,6/8寸硅/碳化硅晶圓襯底及同質(zhì)外延片電阻率(載流子濃度)測(cè)量設(shè)備SICV200,6/8寸硅/碳化硅晶圓元素濃度與外延膜厚量測(cè)設(shè)備Eos200/Eos200+等產(chǎn)品。

優(yōu)睿譜展臺(tái)

優(yōu)睿譜半導(dǎo)體于2023年推出了SICD200和SICV200。其中,SID200可實(shí)現(xiàn)碳化硅位錯(cuò)檢測(cè)的整片晶圓全檢測(cè),并已獲境外顧客訂;SICV200可用于硅片電阻率、碳化硅或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的測(cè)量,已得到多家客戶的訂單。今年6月,優(yōu)睿譜再交付客戶一款晶圓邊緣檢測(cè)設(shè)備SICE200。

碳化硅設(shè)備

北方華創(chuàng)

本屆SEMiBAY灣芯展,北方華創(chuàng)展示了8英寸立式爐、立式/臥式管舟清洗設(shè)備、擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)等碳化硅相關(guān)設(shè)備。

北方華創(chuàng)展臺(tái)

北方華創(chuàng)專注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù),在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊,北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長(zhǎng)等核心工藝裝備,廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、襯底材料等制造領(lǐng)域。

半導(dǎo)體設(shè)備

中微公司

本屆SEMiBAY灣芯展,中微公司展示了一款氮化鎵功率器件量產(chǎn)MOCVD設(shè)備PRISMO PD5。

中微公司展臺(tái)

中微公司主要擁有五類(lèi)設(shè)備產(chǎn)品,分別是CCP電容性刻蝕機(jī)、ICP電感性刻蝕機(jī)、深硅刻蝕機(jī)、MOCVD、薄膜沉積設(shè)備、VOC設(shè)備。中微公司于2022年推出了PRISMO PD5,已交付至國(guó)內(nèi)外客戶,并取得了重復(fù)訂單,而碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備正在開(kāi)發(fā)中。

氮化鎵設(shè)備

卓興半導(dǎo)體

本屆SEMiBAY灣芯展,卓興半導(dǎo)體展示了多款半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備,其中包括高精度多功能貼片機(jī)、半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)等適用于碳化硅領(lǐng)域的設(shè)備。

卓興半導(dǎo)體展臺(tái)

其中,AS8123半導(dǎo)體銀膠粘片機(jī)支持2-12英寸晶圓,支持多種來(lái)料,可選配不同工藝,無(wú)往復(fù)時(shí)間,效率提升60%;AS8136高精度多功能貼片機(jī)也支持2-12英寸晶圓,能夠同時(shí)支持4張2英寸晶圓。

碳化硅設(shè)備

快克芯裝備

本屆SEMiBAY灣芯展,快克芯裝備展示了碳化硅熱貼固晶機(jī)、微納金屬銀燒結(jié)等多種碳化硅相關(guān)設(shè)備。

快克芯裝備展臺(tái)

其中,銀燒結(jié)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性高粘接強(qiáng)度和高穩(wěn)定性等特點(diǎn),其燒結(jié)體適合長(zhǎng)期高溫服役,銀燒結(jié)是碳化硅等高功率器件/模塊的核心封裝工藝??炜诵狙b備自主研發(fā)的微納金屬銀燒結(jié)設(shè)備可滿足芯片燒結(jié)、Clip燒結(jié)以及模塊系統(tǒng)燒結(jié)等工藝需求。

碳化硅設(shè)備

思銳智能

本屆SEMiBAY灣芯展,思銳智能展示了碳化硅離子注入機(jī)SRII-4.5M/200,采用先進(jìn)的Al離子源技術(shù),Al+注入流量分別可達(dá)1mA/7mA。

思銳智能展臺(tái)

思銳智能產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜(ALD)設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器(LDI)設(shè)備以及離子注入(IMP)設(shè)備三大產(chǎn)品系列。氮化鎵領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用,而思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備能夠有效增強(qiáng)氮化鎵器件的性能,該系列設(shè)備于2023年7月獲得了英諾賽科的訂單。

碳化硅設(shè)備

芯三代

本屆SEMiBAY灣芯展,芯三代展示了采用其自研碳化硅外延設(shè)備制造的碳化硅外延片。

芯三代展臺(tái)

芯三代致力于研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)設(shè)備,目前聚焦于SiC-CVD裝備。芯三代將工藝和設(shè)備緊密結(jié)合研發(fā)的SiC-CVD設(shè)備通過(guò)溫場(chǎng)控制、流場(chǎng)控制等方面的設(shè)計(jì),在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、CoO成本、長(zhǎng)時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長(zhǎng)控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有優(yōu)勢(shì)。

碳化硅設(shè)備

小結(jié)

本屆SEMiBAY灣芯展,三代半相關(guān)廠商重點(diǎn)展示了碳化硅材料、器件以及設(shè)備相關(guān)產(chǎn)品,彰顯了碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展。

在碳化硅材料端,各大廠商正在加速8英寸轉(zhuǎn)型,8英寸襯底與外延將在未來(lái)2-3年逐步起量;在器件端,相關(guān)企業(yè)重點(diǎn)搶攻車(chē)用市場(chǎng),以順應(yīng)新能源汽車(chē)大爆發(fā)帶來(lái)的產(chǎn)品需求,光伏、工業(yè)等場(chǎng)景也已成為熱門(mén)應(yīng)用方向;設(shè)備端,國(guó)內(nèi)廠商多點(diǎn)開(kāi)花,尋求國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)。

隨著碳化硅價(jià)格持續(xù)下跌,向各應(yīng)用領(lǐng)域的滲透加速,同時(shí)廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac)

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6萬(wàn)片/月,方正微電子8英寸碳化硅產(chǎn)線年底通線 http://fortresscml.com/Company/newsdetail-69797.html Thu, 17 Oct 2024 09:50:22 +0000 http://fortresscml.com/?p=69797 10月16日,在首屆灣芯展SEMiBAY開(kāi)幕式上,深圳方正微電子有限公司(下文簡(jiǎn)稱“方正微電子”)發(fā)布了車(chē)規(guī)/工規(guī)碳化硅MOS 1200V全系產(chǎn)品碳化硅新品,還表示公司8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。

方正微電子

source:方正微電子

據(jù)方正微電子副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華介紹,公司當(dāng)前有兩個(gè)Fab。

其中,F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅晶圓9000片/月的生產(chǎn)能力,到2024年底,這一數(shù)字預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至每月1.4萬(wàn)片。彭建華還表示,2025年公司將具備年產(chǎn)16.8萬(wàn)片車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。此外,F(xiàn)ab1還負(fù)責(zé)生產(chǎn)氮化鎵晶圓,目前月產(chǎn)能為4000片。

Fab2的8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線將于2024年底通線,長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能6萬(wàn)片/月。
資料顯示方正微電子成立于2003年12月,是國(guó)內(nèi)第一批進(jìn)入6英寸碳化硅器件領(lǐng)域進(jìn)行制造工藝研究開(kāi)發(fā)的廠商之一。

2021年,深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司(下文簡(jiǎn)稱“深重投”)成功入主方正微電子,將公司納入深圳集成電路產(chǎn)業(yè)“比學(xué)趕超”發(fā)展戰(zhàn)略的重要產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),導(dǎo)入全球尖端科技資源,助力戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展,致力于將方正微電子打造為國(guó)家第三代半導(dǎo)體制造高地。

目前,方正微電子的系列產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)的多個(gè)場(chǎng)景,包括主驅(qū)逆變控制器、OBC、DC/DC、空調(diào)壓縮機(jī)以及充電樁等,特別是其車(chē)規(guī)1200V碳化硅MOS產(chǎn)品,已在新能源汽車(chē)主驅(qū)控制器上實(shí)現(xiàn)了規(guī)模應(yīng)用。

除碳化硅功率器件外,方正微電子開(kāi)發(fā)的氮化鎵系列功率器件產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于消費(fèi)快充、PC電源、服務(wù)器電源等場(chǎng)景。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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178億,Wolfspeed獲得多筆資金 http://fortresscml.com/Company/newsdetail-69789.html Wed, 16 Oct 2024 05:59:51 +0000 http://fortresscml.com/?p=69789 10月15日, Wolfspeed宣布,公司已與美國(guó)商務(wù)部簽署了備忘錄 (PMT),前者將根據(jù)《芯片和科學(xué)法案》擬直接獲得高達(dá)7.5 億美元(折合人民幣月53億元)的資金。

于此同時(shí),由 Apollo、The Baupost Group、Fidelity Management & Research Company和Capital Group牽頭的投資基金財(cái)團(tuán)已同意向 Wolfspeed 提供額外的7.5億美元(折合人民幣月53億元)新融資。

Wolfspeed表示,這些投資有利于公司的長(zhǎng)期增長(zhǎng)計(jì)劃,并促進(jìn)美國(guó)國(guó)內(nèi)碳化硅生產(chǎn),為電動(dòng)汽車(chē) (EV)、人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心、電池存儲(chǔ)等清潔能源系統(tǒng)提供動(dòng)力。

此外,Wolfspeed預(yù)計(jì)將從《芯片與科學(xué)法案》所設(shè)立的先進(jìn)制造業(yè)稅收抵免中獲得10億美元現(xiàn)金(折合人民幣約71億元)退稅,公司預(yù)計(jì)總共可以獲得高達(dá)25億美元(折合人民幣約178億元)的資本資助,以支持其在美國(guó)擴(kuò)大碳化硅制造業(yè)務(wù)。

值得注意的是,加強(qiáng)國(guó)內(nèi)碳化硅生產(chǎn)已成為美國(guó)國(guó)內(nèi)多個(gè)聯(lián)邦機(jī)構(gòu)的共識(shí);美國(guó)能源部將其列為17種“關(guān)鍵材料”之一,這些材料對(duì)于清潔能源技術(shù)至關(guān)重要,且存在較高的供應(yīng)中斷風(fēng)險(xiǎn);而美國(guó)商務(wù)部則認(rèn)為碳化硅半導(dǎo)體對(duì)國(guó)家安全至關(guān)重要。

Wolfspeed 首席執(zhí)行官Gregg Lowe 表示:“碳化硅已經(jīng)為電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)交通、太陽(yáng)能和風(fēng)能、工業(yè)電力應(yīng)用和人工智能數(shù)據(jù)中心等未來(lái)的關(guān)鍵任務(wù)行業(yè)帶來(lái)了卓越的能源效率。雖然到目前為止,電動(dòng)汽車(chē)一直是碳化硅應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)力,但我們相信,隨著越來(lái)越多的行業(yè)發(fā)現(xiàn)自己需要解決與汽車(chē)制造商相同的功率損耗、系統(tǒng)尺寸和系統(tǒng)成本的挑戰(zhàn),公司技術(shù)的用例將不斷增長(zhǎng)。”

TrendForce集邦咨詢《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,盡管純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)銷(xiāo)量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應(yīng)鏈,但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向,SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì),未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),預(yù)估2028年全球SiCPowerDevice市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。

SiC數(shù)據(jù)

這些擬議資金預(yù)計(jì)將在Wolfspeed未來(lái)幾年內(nèi)取得里程碑式成就后到賬,將助力其完成其耗資數(shù)十億美元的美國(guó)綠地產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃,其中包括全球最大、最先進(jìn)的8英寸碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張。除了擬議的直接資金外,Wolfspeed 還打算從美國(guó)財(cái)政部投資稅收抵免中受益,該抵免額最高可達(dá)合格資本支出的 25%,主要與北卡羅來(lái)納州西勒城的JohnPalmour 碳化硅制造中心的設(shè)備建設(shè)和安裝以及紐約州尤蒂卡的莫霍克谷工廠M-Line West 擴(kuò)建工程的完成有關(guān)。

Wolfspeed

source:Wolfspeed

這筆數(shù)十億美元的投資將改善 Wolfspeed 公司的資產(chǎn)負(fù)債情況,并將有助于通過(guò)產(chǎn)生現(xiàn)金推動(dòng)公司的大幅增長(zhǎng),加快實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期盈利目標(biāo)。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯)

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月產(chǎn)能3.5萬(wàn)片,東部高科擬擴(kuò)產(chǎn)8英寸碳化硅 http://fortresscml.com/Company/newsdetail-69779.html Tue, 15 Oct 2024 10:00:57 +0000 http://fortresscml.com/?p=69779 10月13日,據(jù)韓媒報(bào)道,韓國(guó)東部高科(DB HiTek)于11日宣布,其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室,計(jì)劃先行建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

東部高科某高層表示,這項(xiàng)投資將利用Sangwoo園區(qū)的一個(gè)閑置廠房,建立半導(dǎo)體生產(chǎn)基礎(chǔ),該公司預(yù)計(jì)到2027年10月末將投入總計(jì)2500億韓元(約13億人民幣)、到2030年投入1.7萬(wàn)億韓元(約89億人民幣)。

目前,東部高科已進(jìn)入建立8英寸試點(diǎn)工藝的最后階段。據(jù)悉,潔凈室的擴(kuò)建工作將從下個(gè)月(11月)開(kāi)始進(jìn)行廠房設(shè)計(jì),并計(jì)劃在明年年末完成內(nèi)部施工和各項(xiàng)設(shè)備安裝。計(jì)劃從2026年開(kāi)始,東部高科將投入生產(chǎn)設(shè)備,建立正式的量產(chǎn)體系。

產(chǎn)能方面,項(xiàng)目投產(chǎn)后,東部高科8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能將達(dá)3.5萬(wàn)片/月,這將使其月生產(chǎn)能力從目前的15.4萬(wàn)張?zhí)岣?3%,達(dá)到19萬(wàn)片。

公開(kāi)資料顯示,東部高科是一家專門(mén)從事晶圓代工的公司,主要業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)與制造,是韓國(guó)第二大芯片代工廠商。

近年來(lái),東部高科加大了在碳化硅和氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局力度,以支持未來(lái)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。

在碳化硅方面,擁有8英寸晶圓廠的東部高科正計(jì)劃進(jìn)軍8英寸碳化硅市場(chǎng),作為政府政策舉措的一部分,東部高科正在與釜山科技園合作開(kāi)發(fā)碳化硅。

氮化鎵方面,2023年底,有業(yè)內(nèi)人士透露,東部高科聘請(qǐng)了安森美前技術(shù)開(kāi)發(fā)高級(jí)總監(jiān)Ali Salih,并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵工藝開(kāi)發(fā),以加快氮化鎵業(yè)務(wù)的技術(shù)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化。

在氮化鎵半導(dǎo)體制造方面,東部高科正在與無(wú)晶圓廠公司A-PRO Semicon合作,以優(yōu)化代工工藝。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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總投資16.6億,萊普科技碳化硅設(shè)備相關(guān)項(xiàng)目預(yù)計(jì)年內(nèi)完工 http://fortresscml.com/Company/newsdetail-69782.html Tue, 15 Oct 2024 10:00:01 +0000 http://fortresscml.com/?p=69782 10月14日,據(jù)“成都發(fā)布”官微消息,成都萊普科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:萊普科技)的全國(guó)總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項(xiàng)目目前正處于內(nèi)外裝施工階段,預(yù)計(jì)今年年底前完工,明年實(shí)現(xiàn)設(shè)備搬入、投產(chǎn)。

萊普科技碳化硅設(shè)備相關(guān)項(xiàng)目

source:成都發(fā)布

據(jù)悉,該項(xiàng)目位于成都市高新區(qū),總投資16.6億元,占地面積39畝,建筑面積6.5萬(wàn)平米,于2023年10月開(kāi)工建設(shè),預(yù)計(jì)2025年5月前通過(guò)并聯(lián)并行竣工驗(yàn)收,2026年5月全面達(dá)產(chǎn)。

建成后,該項(xiàng)目包括企業(yè)全國(guó)總部、技術(shù)中心、制造中心、服務(wù)中心以及核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地,并將同步建設(shè)中科院半導(dǎo)體所成都半導(dǎo)體材料先進(jìn)激光加工技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室及培訓(xùn)基地、四川省全固態(tài)先進(jìn)激光工程技術(shù)研究中心等項(xiàng)目。

官網(wǎng)資料顯示,萊普科技成立于2003年,是國(guó)內(nèi)集半導(dǎo)體激光裝備研發(fā)、制造、銷(xiāo)售和服務(wù)為一體的廠商。公司總部位于成都市高新區(qū),建有深圳分公司和江蘇子公司,同時(shí)在蘇州、深圳、武漢、北京、西安等地建有服務(wù)辦公室。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面,萊普科技在半導(dǎo)體晶圓制造、封裝測(cè)試、精密電子制造等領(lǐng)域推出了三十余種激光應(yīng)用專業(yè)設(shè)備,擁有五十多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,萊普科技的硅基IGBT激光退火設(shè)備及碳化硅歐姆接觸激光退火設(shè)備與進(jìn)口廠家同廠比對(duì)并勝出,銷(xiāo)售至株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體、無(wú)錫華潤(rùn)上華、上海積塔半導(dǎo)體等企業(yè)。

目前,萊普科技正在推進(jìn)A股IPO進(jìn)程。今年3月4日,萊普科技在四川證監(jiān)局辦理輔導(dǎo)備案登記,輔導(dǎo)券商為中信建投證券。萊普科技現(xiàn)已完成第二期輔導(dǎo)。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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芯聯(lián)集成前三季度營(yíng)收預(yù)增18.68%,虧損收窄 http://fortresscml.com/Company/newsdetail-69770.html Mon, 14 Oct 2024 10:00:57 +0000 http://fortresscml.com/?p=69770 10月13日晚間,芯聯(lián)集成發(fā)布2024年前三季度業(yè)績(jī)預(yù)告的自愿性披露公告(以下簡(jiǎn)稱:公告)。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

根據(jù)公告,芯聯(lián)集成預(yù)計(jì)2024年前三季度營(yíng)收約為45.47億元,同比增加約7.16億元,同比增長(zhǎng)約18.68%;預(yù)計(jì)2024年前三季度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)約為-6.84億元,同比減虧約6.77億元,同比減虧約49.73%;預(yù)計(jì)2024年前三季度EBITDA(息稅折舊攤銷(xiāo)前利潤(rùn))約為16.60億元,同比增加約7.98億元,同比增長(zhǎng)約92.67%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變化的主要原因,芯聯(lián)集成表示,隨著新能源車(chē)及消費(fèi)市場(chǎng)的回暖,其產(chǎn)能利用率逐步提升。報(bào)告期內(nèi),其碳化硅、12英寸硅基晶圓等新產(chǎn)品在頭部客戶快速導(dǎo)入和量產(chǎn),以碳化硅MOSFET芯片及模組產(chǎn)線組成的第二增長(zhǎng)曲線和以高壓、大功率BCD工藝為主的模擬IC方向的第三增長(zhǎng)曲線快速增長(zhǎng),其營(yíng)收快速上升,單季度同比、環(huán)比均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)。

同時(shí),2024年第三季度其毛利率已實(shí)現(xiàn)單季度轉(zhuǎn)正約為6%。報(bào)告期內(nèi),其繼續(xù)增強(qiáng)精益生產(chǎn)管理能力、供應(yīng)鏈管理能力、成本控制能力等,大幅提升產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

在碳化硅業(yè)務(wù)方面,繼和蔚來(lái)汽車(chē)、理想汽車(chē)等公司簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議后,芯聯(lián)集成近日也獲得廣汽埃安旗下全系車(chē)型定點(diǎn)。根據(jù)協(xié)議,芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊未來(lái)幾年內(nèi)將被應(yīng)用于廣汽埃安的上百萬(wàn)輛新能源汽車(chē)上。

此外,芯聯(lián)集成6英寸碳化硅的產(chǎn)線目前正在持續(xù)滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn),8英寸碳化硅產(chǎn)線將在明年進(jìn)入量產(chǎn)階段。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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