臺亞半導體擬分拆GaN事業(yè)群,或?qū)ⅹ毩⑸鲜?/strong>
4月11日,臺亞半導體召開董事會,會上宣布擬分割8英寸GaN事業(yè)群,包括相關資產(chǎn)與業(yè)務,分割后由旗下全資子公司冠亞半導體承接,并且由后者發(fā)行新股予以臺亞半導體作為對價。分割日期暫定在8月30日,5月28日將提送股東常會討論決議。
圖片來源:臺亞半導體
臺亞半導體介紹,本次預計分割價值約10億元新臺幣(約合人民幣2.24億元),8英寸GaN業(yè)務分割給冠亞半導體之后,臺亞半導體自身的相關運營及業(yè)務皆正常運作,對原有股東之權利義務均無影響。
臺亞半導體原名光磊,起步于光電產(chǎn)業(yè)感測元件市場,后于2021年10月正式改名臺亞半導體,表明轉(zhuǎn)型感測半導體先進廠商的決心。隨著SiC/GaN等第三代半導體市場需求及投資熱情逐步提升,臺亞半導體亦積極搶攻第三代半導體市場。
其中,SiC業(yè)務由旗下子公司積亞半導體負責,主要生產(chǎn)SiC晶圓,產(chǎn)能目標為5000片/月。硅基GaN業(yè)務由臺亞半導體經(jīng)營,產(chǎn)能建設初期以6英寸晶圓為主,已于2023年7月順利試產(chǎn)GaN功率元件。同時,臺亞半導體積極建設8英寸GaN產(chǎn)線,計劃開發(fā)E-mode 650V HEMT功率元件,聚焦3C快充、云端信息存儲中心、電動車、無人機市場應用,預計2024年底前實現(xiàn)3000片/月的出貨量。
臺亞半導體總經(jīng)理衣冠君表示,公司已與許多客戶進行相關產(chǎn)品的可靠性驗證,客戶反饋的驗證結果良好,并表示可媲美一線大廠,目前整個GaN事業(yè)群發(fā)展進度超前。
針對臺亞半導體此舉,業(yè)界預計,其目的是推動GaN事業(yè)群上市IPO計劃。實際上,該推測確與臺亞半導體當前的發(fā)展規(guī)劃相符。據(jù)了解,臺亞半導體2022年已將面板組裝與系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務分割出去,成立了子公司光磊先進顯示并規(guī)劃上市;除此之外,視覺顯示、IC設計、人工智能(AI)檢測等子公司也將分批推動上市計劃。
本次分割之后,臺亞半導體的GaN業(yè)務有望獲得更大的發(fā)展空間,產(chǎn)品開發(fā)與驗證、量產(chǎn)應用的進程將加快,而集團資源也將進一步整合,助力各子公司業(yè)務取得長足的發(fā)展。
市場集中度提升,GaN市場發(fā)展雖慢但穩(wěn)
今年以來,GaN領域似乎傳來了不少消極的消息:美國垂直GaN半導體技術生產(chǎn)商NexGen Power Systems、新加坡射頻GaN芯片供應商Gallium Semiconductor相繼宣布倒閉,而美國垂直GaN器件廠商Odyssey隨后也宣布出售公司資產(chǎn)。
盡管這些消息反映GaN市場經(jīng)營遇到困境的事實,但從資源分配的角度來看,小廠的退出有利于資源進一步向有實力的大廠集中,GaN技術的潛力能夠更快地被挖掘出來,這一點從兩起大型并購案可窺知一二。
業(yè)界皆知,GaN市場兩大主力GaN Systems及Transphorm已相繼并入功率半導體巨頭英飛凌和半導體芯片大廠瑞薩電子,在綜合能力、技術共享、客戶資源、成本管控等方面都獲得了明顯的提升,有望發(fā)揮1+1>2的效果。并且,目前包括英飛凌、瑞薩電子等在內(nèi)的各大廠商對于能源轉(zhuǎn)型期下GaN的發(fā)展前景依舊持著樂觀、看好的態(tài)度。
從實際進展來看,GaN技術在電動車、光儲充等高壓高功率市場的應用越來越值得期待。據(jù)集邦化合物半導體此前不完全統(tǒng)計,GaN主要玩家PI、納微半導體、英諾賽科、GaN Systems、Transphorm、VisIC及博世等2023年在車用GaN市場取得了實質(zhì)性的成果。
另外,GaN技術去年也進一步打開了光伏儲能應用市場,例如,大恒能源的光伏微型逆變器將采用Transphorm的GaN器件,而英諾賽科、EPC及鎵未來也在積極推廣光伏儲能用GaN技術,布局相關產(chǎn)品線。
在此基礎上,高壓GaN技術領域也不斷傳來好消息,越來越多廠商加入研發(fā)1200V及以上,以及基于藍寶石襯底的GaN技術。
比如,GaN器件廠商致能科技開發(fā)了1200V D-Mode高可靠性GaN器件平臺。據(jù)悉,該平臺在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下,本征擊穿已達到2400V,可匹配工業(yè)、新能源、汽車等領域的需求。該公司近日還成功開發(fā)了8英寸藍寶石基GaN HEMTs晶圓,有助于1200V-3300V高壓GaN平臺的實現(xiàn)。
從大廠的擴產(chǎn)、產(chǎn)品布局動態(tài)及技術領域的進展來看,GaN技術在電動車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等更高功率市場的應用雖進展較緩慢,但一直在穩(wěn)步前進。目前臺亞半導體的業(yè)務發(fā)展效果以及此次的分割之舉也可以作為一個有力的佐證。隨著技術的進步、成本的下降與產(chǎn)業(yè)生態(tài)的調(diào)整,相信GaN領域?qū)⒂瓉硪环碌木跋?。(文:集邦化合物半導體Jenny)
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]]>杰平方介紹,8英寸SiC先進垂直整合晶圓廠項目總投資約69億港幣(約合人民幣64.5億元),計劃到2028年年產(chǎn)24萬片SiC晶圓,帶動年產(chǎn)值超過110億港元,并創(chuàng)造超過700個本地和吸引國際專業(yè)人才來港的就業(yè)崗位。該工廠將成為香港首個具規(guī)模的半導體晶圓廠,將推動香港生產(chǎn)自主研發(fā)的第三代半導體芯片。
杰平方是一家車規(guī)芯片設計研發(fā)商,產(chǎn)品覆蓋SiC功率器件及通用模擬、信號鏈芯片等,面向車身電能轉(zhuǎn)換、通信等領域。
今年7月,杰平方發(fā)布了自主研發(fā)的1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品——JPM120020B,該產(chǎn)品支持耐壓值1200V,導通阻抗為20mΩ,產(chǎn)品優(yōu)勢涵蓋熱穩(wěn)定性好、允許導通電流更大、阻抗更低等,適用于光伏逆變、新能源汽車、充電樁、儲能等應用。
從產(chǎn)品層面看,杰平方的布局與目前高功率應用領域?qū)iC產(chǎn)品性能的需求方向相符。而且,結合其在車規(guī)芯片領域的其他產(chǎn)品,杰平方在車用SiC領域有一定的協(xié)同優(yōu)勢。
特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東指出,目前全世界關于第三代半導體的研發(fā)都處于初步階段,香港的第三代半導體企業(yè)做起來后,與歐美的差距大概在一兩年左右。如果下一步借助內(nèi)地的龐大市場,香港有可能在未來5至10年躋身世界領先行列。
另值得注意的是,香港特別行政區(qū)政府本月初還宣布,成功引進30家創(chuàng)新科技企業(yè)落戶香港,其中8成來自內(nèi)地,包括華為、京東、美團、聯(lián)想、阿斯利康等。(化合物半導體市場Jenny整理)
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