source：芯粵能

芯粵能表示，本次融資募集的資金將加快公司在碳化硅芯片制造領(lǐng)域的產(chǎn)能建設(shè)，推動公司國內(nèi)外市場的開拓及發(fā)展。

官微資料顯示，芯粵能成立于2021年，是一家面向車規(guī)級和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片生產(chǎn)制造和研發(fā)企業(yè)，產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。

芯粵能車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線已進入量產(chǎn)階段

自2021年成立以來，芯粵能碳化硅業(yè)務(wù)進展較快。據(jù)芯粵能官微披露，其碳化硅相關(guān)項目于2021年落戶廣州南沙區(qū)，總投資75億元人民幣，分別建設(shè)年產(chǎn)24萬片6英寸和24萬片8英寸碳化硅晶圓芯片生產(chǎn)線，是專注于車規(guī)級、具備規(guī)?；a(chǎn)業(yè)聚集及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的碳化硅芯片制造項目，已于2023年3月15日實現(xiàn)正式通線。

至2023年6月，芯粵能碳化硅晶圓芯片生產(chǎn)線已進入量產(chǎn)階段，包括1200V、16毫歐/35毫歐等一系列車規(guī)級和工控級碳化硅芯片產(chǎn)品，并陸續(xù)交付多家主機廠和客戶送樣驗證。

近幾年，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長，新能源汽車市場是核心驅(qū)動力。目前，碳化硅功率器件市場份額主要由國際巨頭占據(jù)，但包括芯粵能在內(nèi)的本土廠商正在努力縮小差距，分食市場大蛋糕，并獲得了資本市場的支持。

本土碳化硅芯片廠融資熱

2024年以來，國內(nèi)碳化硅設(shè)備賽道融資火熱，芯片細分領(lǐng)域融資熱度也在上漲，除芯粵能外，至信微電子、中車時代半導(dǎo)體、北一半導(dǎo)體、中瑞宏芯等廠商也相繼完成新一輪融資。

其中，至信微電子在今年1月和4月分別完成A+輪和A++輪融資，中車時代半導(dǎo)體在3月和4月各完成一輪戰(zhàn)略融資，北一半導(dǎo)體在5月完成B+輪融資，中瑞宏芯則在7月完成B輪融資。

業(yè)務(wù)進展方面，至信微電子早在2018年即成功推出1200V 10/20A SiC SBD；2023年6月，至信微電子發(fā)布了主要應(yīng)用于電動汽車主驅(qū)模塊的1200V 16mΩ SiC MOSFET；2024年1月，至信微電子進一步發(fā)布1200V/7mΩ等SiC芯片。

北一半導(dǎo)體在2018年成立SiC芯片開發(fā)項目組，進行SiC二極管及MOSFET芯片調(diào)研規(guī)劃；2019年，其1200V 20A SiC JBS二極管產(chǎn)出，可靠性通過工業(yè)級考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領(lǐng)域獲得批量訂單；2022年，北一半導(dǎo)體完成1200V等級SiC MPS芯片開發(fā)，浪涌電流達到12倍額定電流，新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；2023年，北一半導(dǎo)體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設(shè)計。

中瑞宏芯擁有碳化硅JBS與MOS電流電壓系列產(chǎn)品，其中650V 20A SiC JBS、1200V 22mΩ SiC MOSFET、1200V 40/17/13mΩ SiC MOSFET、1200V 80mΩ SiC MOSFET等系列產(chǎn)品已通過車規(guī)級AEC-Q101認證與新能源汽車OBC頭部客戶測試，基于第三代工藝平臺導(dǎo)通電阻小于2.7的160mΩ MOSFET產(chǎn)品已量產(chǎn)。

從業(yè)務(wù)進展情況來看，上述各碳化硅芯片廠商主要功率器件產(chǎn)品電壓等級均為1200V，能夠滿足當(dāng)前新能源汽車主流的800V高壓平臺需求，有利于導(dǎo)入新能源汽車主驅(qū)應(yīng)用，并取得了一定成果。

其中，截至2023年底，中瑞宏芯SiC JBS累計出貨超200萬顆，SiC MOSFET累計出貨達100萬顆。這在一定程度上顯示了國產(chǎn)碳化硅功率器件產(chǎn)品正在從國際巨頭手中搶奪市場需求。

隨著本土碳化硅芯片廠商陸續(xù)完成新一輪融資，有望加速產(chǎn)品研發(fā)及市場拓展進程，進而加快碳化硅功率器件產(chǎn)品國產(chǎn)替代腳步。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產(chǎn)能爬坡

在這兩個項目當(dāng)中，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，二期建設(shè)年產(chǎn)24萬片8英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，產(chǎn)品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

據(jù)此前報道，這是國內(nèi)唯一一個專注于車規(guī)級、具備規(guī)?；a(chǎn)業(yè)聚集及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的SiC芯片制造項目。

從該項目進度來看，2023年1月，廣東省能源局發(fā)布芯粵能“面向車規(guī)級和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項目”節(jié)能報告的審查意見，原則同意該項目節(jié)能報告。

2023年3月底，芯粵能一期項目已經(jīng)試投產(chǎn)，計劃2024年12月底達產(chǎn)。在一期達產(chǎn)的同時，芯粵能將啟動二期項目，預(yù)計2026年達產(chǎn)。芯粵能預(yù)計項目一期達產(chǎn)后年產(chǎn)值40億元，二期達產(chǎn)后合計年產(chǎn)值將達100億元。

2023年6月，芯粵能表示其車規(guī)級SiC芯片產(chǎn)線已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，包括1200V 16毫歐/35毫歐等一系列車規(guī)級和工控級SiC芯片產(chǎn)品，各方面測試數(shù)據(jù)良好，陸續(xù)交付多家主機廠和客戶送樣驗證。芯粵能稱已簽約COT客戶10余家，并即將完成4家客戶規(guī)格產(chǎn)品量產(chǎn)。

近日，據(jù)芯粵能晶圓廠廠長邵永華介紹，目前整個工廠正在擴產(chǎn)爬坡，預(yù)計今年年底實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片6英寸車規(guī)級SiC芯片的規(guī)劃產(chǎn)能。預(yù)留的8英寸產(chǎn)線就在6英寸產(chǎn)線隔壁，建成后將具備年產(chǎn)24萬片8英寸車規(guī)級SiC芯片的能力。

在芯粵能SiC芯片制造項目當(dāng)中，無塵車間于2022年11月正式啟用，目前已經(jīng)實現(xiàn)月產(chǎn)1萬片產(chǎn)能，車規(guī)級和工控級芯片成功流片并送樣，即將完成車規(guī)認證。截至目前，芯粵能已與40多家客戶簽約流片，覆蓋全國大部分SiC芯片設(shè)計企業(yè)。

晶旭半導(dǎo)體二期項目預(yù)計8月主體落成

近日，據(jù)上杭融媒消息，晶旭半導(dǎo)體二期項目已完成三通一平工程量的90%，現(xiàn)正進行地基施工中。該項目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線。

據(jù)項目負責(zé)人介紹，晶旭半導(dǎo)體二期項目于2023年12月份開建，目前已經(jīng)完成了整個樁基地下工程部分，正在做樁基測試部分。預(yù)計在4月底5月初完成主體生產(chǎn)廠房封頂，8月份整個項目的主體工程落成。

該負責(zé)人表示，晶旭半導(dǎo)體二期項目主要生產(chǎn)氧化鎵基（超光鏡）材料濾波器芯片，首批產(chǎn)線規(guī)劃實現(xiàn)400KK的年產(chǎn)能。

據(jù)了解，作為一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運行的廠商，晶旭半導(dǎo)體核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)，已取得多項技術(shù)創(chuàng)新。

值得一提的是，今年2月初，晶旭半導(dǎo)體完成億級人民幣戰(zhàn)略融資，由睿悅控股集團獨家投資，助力其實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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