芯塔電子表示，以湖州功率模塊封裝產(chǎn)線為依托，公司正在開(kāi)發(fā)性能更出色的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊。

據(jù)介紹，芯塔電子湖州功率模塊封裝產(chǎn)線總投資1億元，于2024年初正式通線，目前處于量產(chǎn)爬坡階段。產(chǎn)線全部達(dá)產(chǎn)后，將年產(chǎn)100萬(wàn)套功率模塊，預(yù)估年產(chǎn)值3億元。

芯塔電子湖州模組線（source：芯塔電子）

資料顯示，芯塔電子是一家專(zhuān)注于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件和應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新的企業(yè)，公司在北京、杭州、深圳均設(shè)有研發(fā)中心和應(yīng)用技術(shù)中心。

目前，芯塔電子已開(kāi)發(fā)了多種封裝及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率模塊產(chǎn)品，旗下碳化硅系列產(chǎn)品目前覆蓋了電動(dòng)汽車(chē)(EV)主驅(qū)逆變器、OBC/DC-DC、充電樁、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)以及工業(yè)電源等諸多領(lǐng)域。
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來(lái)源：芯塔電子、集邦化合物半導(dǎo)體整理

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source:芯塔電子

據(jù)介紹，芯塔電子已經(jīng)批量生產(chǎn)的第二代SiC MOSFET在器件優(yōu)值因子和柵極抗串?dāng)_性能方面實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先，即將發(fā)布的第三代SiC MOSFET在元胞層面實(shí)現(xiàn)了重大技術(shù)創(chuàng)新及整體性能提升。截至目前，芯塔電子SiC產(chǎn)品已經(jīng)在包括中科海奧在內(nèi)的數(shù)十家光儲(chǔ)頭部客戶(hù)批量導(dǎo)入。

中科海奧致力于電動(dòng)汽車(chē)能源產(chǎn)品和節(jié)能環(huán)保電源產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化，與中科海奧合作，有助于芯塔電子SiC器件產(chǎn)品加速進(jìn)入新能源汽車(chē)以及光儲(chǔ)充等領(lǐng)域。

資料顯示，芯塔電子成立于2020年10月，是一家專(zhuān)注于提供第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司，主要產(chǎn)品包括SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊、驅(qū)動(dòng)等。

SiC器件方面，2023年9月，芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)的1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品。該產(chǎn)品針對(duì)高端汽車(chē)級(jí)應(yīng)用開(kāi)發(fā)，擊穿電壓達(dá)到2300V。據(jù)悉，芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐壓簡(jiǎn)化了應(yīng)用電路，提升了應(yīng)用方案可靠性，降低了系統(tǒng)成本。

值得一提的是，同在2023年9月，芯塔電子參與編寫(xiě)的SiC半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》正式發(fā)布。

2023年12月，芯塔電子自主研發(fā)的120OV/80mΩ TO-2563-7封裝SiC MOSFET器件獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過(guò)測(cè)試認(rèn)證的650V/20A T0-252-3封裝SiC SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過(guò)此項(xiàng)認(rèn)證。AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證通過(guò)，有助于芯塔電子拓展新能源車(chē)用市場(chǎng)。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過(guò)測(cè)試，已進(jìn)入批量導(dǎo)入階段。

成立至今，芯塔電子共完成兩輪融資，分別為2022年6月的數(shù)千萬(wàn)人民幣天使輪和2023年6月的近億元人民幣Pre-A輪融資，投資方包括財(cái)通資本、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)、叢蓉投資、納川資本、方德信基金、蕪湖高新投等機(jī)構(gòu)，其中，禾創(chuàng)致遠(yuǎn)已參與芯塔電子全部融資輪次。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)介紹，AEC-Q作為國(guó)際通用的車(chē)規(guī)級(jí)電子元器件測(cè)試規(guī)范，目前已成為車(chē)用元器件質(zhì)量與可靠性的標(biāo)志。試驗(yàn)項(xiàng)目包含如高溫反偏、溫度循環(huán)、高加速應(yīng)力、高溫高濕反偏等18項(xiàng)測(cè)試，每項(xiàng)都是針對(duì)車(chē)用分立器件可能遭遇的環(huán)境來(lái)設(shè)計(jì)，用于驗(yàn)證電子元器件能否滿(mǎn)足各種嚴(yán)苛的應(yīng)用條件、能否經(jīng)受住長(zhǎng)期的高能量沖擊和高頻率開(kāi)關(guān)。

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加上此前通過(guò)測(cè)試認(rèn)證的650V/20A TO-252-3封裝?SiC?SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過(guò)此項(xiàng)認(rèn)證。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過(guò)測(cè)試，已進(jìn)入批量導(dǎo)入階段。

芯塔電子主要給客戶(hù)提供第三代半導(dǎo)體功率器件和應(yīng)用整體解決方案，產(chǎn)品包括SiC SBD、SiC MOSFET、SiC功率模塊等，可用于光伏儲(chǔ)能、高端電源、新能源汽車(chē)、充電樁等清潔能源領(lǐng)域。

通過(guò)此次認(rèn)證，芯塔電子躋身成為國(guó)內(nèi)少數(shù)多款SiC功率器件產(chǎn)品取得車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證的廠商之列，同時(shí)也意味著芯塔電子的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力再度提高了一個(gè)臺(tái)階。（文：化合物半導(dǎo)體Rick整理）

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