納微Q2營收同比增長13%，推出16款GaNFast充電器

8月5日，納微半導體公布了截至2024年6月30日的第二季度未經(jīng)審計的財務業(yè)績。其2024年第二季度營收增長至2050萬美元（約1.47億人民幣），比2023年第二季度的1810萬美元增長了13%。

按美國通用會計準則（GAAP）計算，納微半導體2024年第二季度營業(yè)虧損為3110萬美元（約2.23億人民幣），而2023年第二季度的虧損為2720萬美元；按非美國通用會計準則（non-GAAP）計算，納微半導體本季度營業(yè)虧損為1330萬美元，而2023年第二季度的虧損為960萬美元。

分業(yè)務來看，企業(yè)/AI數(shù)據(jù)中心方面，納微擁有第三代快速碳化硅（Gen-3 Fast SiC）和大功率氮化鎵旗艦GaNSafe的產(chǎn)品組合，將二者進行混合設(shè)計的方案開創(chuàng)了全新的AC-DC效率（97%）和功率密度（140W/in3）基準。自2023年12月投資者日以來，納微數(shù)據(jù)中心在研客戶項目翻了一番，目前開發(fā)中的客戶項目超過60個，24年第二季度又有7個數(shù)據(jù)中心電源項目推進至客戶評審階段。

電動汽車/電動交通方面，納微22kW車載充電機（OBC）方案在2024年第二季度有15個客戶項目推進至評審階段。納微預計在2025年底，電動汽車業(yè)務將獲得首批由氮化鎵技術(shù)帶來的收入。

太陽能/儲能方面，納微目前有主要來自全球前10太陽能公司的超100個在研客戶項目。第二季度有6個客戶項目推進至評審階段，預計明年在美國實現(xiàn)氮化鎵基微型逆變器的量產(chǎn)。

移動/消費電子方面，移動電子客戶持續(xù)增加納微氮化鎵在快充產(chǎn)品中的應用。預計2024年小米和OPPO對納微氮化鎵的采用率將達30%，在獲三星Galaxy S23和S24手機接連采用后，納微方案獲三星智能手機家族廣泛采用，包括新款Galaxy Z Flip6、Z Fold6和所有A系列手機。筆電方面，聯(lián)想和戴爾也再次采用了納微GaNFast技術(shù)。納微第二季度推出了16款全新納微GaNFast充電器，使采用納微方案的快充總數(shù)超過470款。

展望Q3，納微預計其營收為2200萬美元，上下浮動50萬美元；預計其Q3的非GAAP毛利率為40%，上下浮動50個基點；預計其非GAAP運營費用約為2150萬美元。

MACOM 2024財年Q3實現(xiàn)營收1.905億美元，同比增28.3%

8月1日，半導體解決方案供應商MACOM公布了截至2024年6月28日的2024財年第三季度財務業(yè)績。2024財年第三季度，MACOM實現(xiàn)營收1.905億美元（約13.66億人民幣），同比增長28.3%，環(huán)比增長5.1%；毛利率為53.2%，去年同期為58.0%，上一財季為52.5%；調(diào)整后的毛利率為57.5%，去年同期為60.1%，上一財季為57.1%。

2024財年第三季度，MACOM凈利潤為1990萬美元（約1.43億人民幣），或每股攤薄收益0.27美元；去年同期凈利潤為1190萬美元，或每股攤薄收益0.17美元；上一財季凈利潤為1500萬美元，或每股攤薄收益0.20美元。調(diào)整后的凈利潤為4890萬美元，或每股攤薄收益0.66美元；去年同期調(diào)整后的凈利潤為3850萬美元，或每股攤薄收益0.54美元；上個財季調(diào)整后的凈利潤為4320萬美元，或每股攤薄收益0.59美元。

展望截至2024年9月27日的第四財季，MACOM預計營收將在1.97億美元至2.03億美元之間。調(diào)整后毛利率預計在57%到59%之間，基于3%非GAAP所得稅稅率和7500萬股完全稀釋流通股的調(diào)整后每股攤薄收益預計在0.70至0.76美元之間。

Qorvo 2025年財年Q1實現(xiàn)營收8.87億美元，已推出D2PAK封裝碳化硅FET

7月30日，連接和電源解決方案供應商Qorvo發(fā)布了截至2024年6月29日的2025財年第一季度的財務業(yè)績。根據(jù)GAAP計算，Qorvo 2025財年第一季度實現(xiàn)營收8.87億美元（約63.59億人民幣），毛利率為37.5%，營業(yè)利潤為460萬美元（約3297.74萬人民幣），每股攤薄收益為0.00美元。根據(jù)non-GAAP計算，毛利率為40.9%，營業(yè)利潤為9810萬美元，每股攤薄收益為0.87美元。

今年上半年，Qorvo發(fā)布了一款符合車規(guī)標準的碳化硅場效應晶體管（FET）產(chǎn)品，在緊湊型D2PAK-7L封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ導通電阻RDS(on)。此款750V碳化硅FET作為Qorvo全新引腳兼容碳化硅FET系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達60mΩ，適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應用。

展望2025財年第二季度，Qorvo預計實現(xiàn)營收約10.25億美元，上下浮動2500萬美元，按non-GAAP計算毛利率在46%到47%之間，按non-GAAP計算每股攤薄收益在1.75美元到1.95美元之間。（集邦化合物半導體Zac整理）

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2024年第一季度的GAAP營業(yè)虧損為3160萬美元（折合人民幣約2.28億元），與2023年同期的3550萬美元（折合人民幣約2.56億元）相比有所減少?；诜荊AAP計算，本季度的營業(yè)虧損為1180萬美元（折合人民幣約8500萬元），少于2023年同期的1230萬美元（折合人民幣約8900萬美元）。

納微半導體指出，本季度公司營業(yè)表現(xiàn)有以下幾大亮點：

AI數(shù)據(jù)中心

領(lǐng)先的GaNSafe和第三代快速GeneSiC技術(shù)與獨特的系統(tǒng)設(shè)計中心解決方案相結(jié)合，使服務器電源功率增加3倍，以支持AI數(shù)據(jù)中心的發(fā)展。繼納微宣布在全球最大的電源供應公司的3項重要設(shè)計方案獲采納的同時，還有超過30個客戶項目正在開發(fā)中。預計在未來幾個季度，納微的產(chǎn)品將進入AWS、Azure、Google、Supermicro、浪潮和百度的數(shù)據(jù)中心。

電動汽車

相較目前的方案，納微全新的22kW車載充電器（OBC）平臺可提供高達三倍的快速充電、兩倍的功率密度。節(jié)能高達30%，輕量化達40%。目前納微已與全球各主要地區(qū)的160多家電動汽車相關(guān)客戶合作，客戶在研項目較2023年12月公布的4億美元（折合人民幣約28.9億元），增加了50%以上。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

太陽能/儲能

在美國、歐洲和亞洲有6個全新設(shè)計獲采納，方案涵蓋太陽能優(yōu)化器、微型逆變器、組串式逆變器和儲能應用，以應對2025年太陽能/儲能應用的急劇增長，同時客戶在研項目價值大幅增加。

家用電器/工業(yè)

超過15個客戶正基于最新并針對電機優(yōu)化的GaNSense Half-bridge半橋氮化鎵功率芯片進行相關(guān)項目的研發(fā)。第三代快速GeneSiC和GaNSafe技術(shù)正迅速獲得工業(yè)界采用，已有超過25個客戶開展了項目研發(fā)。

移動/消費電子

二十余款最新移動快充于上一季度上市，使已發(fā)布的GaNFast氮化鎵快充產(chǎn)品總數(shù)超過450個，覆蓋了全球前十的移動設(shè)備制造商。全新的第四代氮化鎵功率芯片項目進展包括：為小米14 Ultra和Civi 4 Pro提供超快充支持，以及獲聯(lián)想ThinkBook 170W 5口桌面充電器采用。

展望未來，納微半導體預計2024年第二季度凈收入將為1950萬至2050美元（折合人民幣約1.41億至1.48億元）。第二季度的非GAAP毛利率預計將為40%，上下浮動0.5個百分點，非GAAP運營費用預計為約2150萬美元（折合人民幣約1.55億元）。（來源：納微半導體）

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據(jù)介紹，為支撐強大的性能，Galaxy S23配備一塊3900mAh的鋰離子電池，搭載GaNFast GaN功率芯片的25W充電器（型號為EP-T2510）以及USB PD3.0接口，使其僅需30分鐘就能充滿50%的電量，并在待機模式下只消耗5mW的電力。PD 3.0接口意味著這款新充電器可以為從Galaxy Buds2耳機到Galaxy Z Fold5，Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列設(shè)備供電。

納微半導體的GaNFast GaN功率芯片運用在該充電器的150kHz高頻反激(HFQR)拓撲結(jié)構(gòu)中，并憑借著領(lǐng)先的高頻性能，使得充電器體積縮小30%以上。

此前消息，今年3月，納微半導體的GaNFast技術(shù)已進入三星Galaxy S22 Ultra和S22+ 智能手機充電器。

納微專有的GaN功率IC在單個 SMT 封裝中集成了GaN器件、驅(qū)動、控制和保護功能。是易于使用、高速、高性能的“數(shù)字輸入、電源輸出”模塊，與早期的硅方案相比，實現(xiàn)高達3倍的充電速度、節(jié)省一半的尺寸和重量，節(jié)能高達 40%。

GaN作為第三代半導體材料，其運行速度比傳統(tǒng)硅芯片快20倍。用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，GaN可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。

目前，GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費電子所驅(qū)動，核心仍在于快速充電器，其他消費電子場景還包括D類音頻、無線充電等。（文：集邦化合物半導體Rick整理）

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納微半導體：收入增長110%

2023年第二季度總收入增至1,810萬美元，比2022年第二季度的860萬美元增長110%，比2023年第一季度的1,340萬美元增長35%；毛利率為41.5%，與2022年第二季度的41.6%相比基本持平，較2023年第一季度的41.1%有所提高。

電動汽車（EV）

在車載快充和充電樁方面取得強勁增長，在美國新發(fā)布的電動汽車聯(lián)盟計劃中，美國將計劃新建3萬個電動車快速充電站，這為高壓GeneSiC產(chǎn)品創(chuàng)造了額外需求，客戶在研項目數(shù)量增長超過50%。

數(shù)據(jù)中心

AI處理需求每3.4個月翻一番，在研項目增長超過50%。最新的AI處理器（例如NVIDIA的GH200）功耗高達1,000W。集成氮化鎵功率芯片有巨大的潛力和機會來滿足所需功率、效率和功率密度的顯著增加。納微全新3.2kW基于GaN IC的服務器電源平臺提供了業(yè)界領(lǐng)先的100W/inch3和超過96%的效率，超過了歐盟的Titanium鈦金規(guī)范。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

太陽能/儲能

盡管市場有些疲軟，但在太陽能逆變器和能源儲存系統(tǒng)（ESS）中，GaN和SiC的采用率迅速增加，附加率翻了一番，現(xiàn)已達到60%。每個太陽能/ESS在研客戶項目的預估收入增長超過100%。

家電/工業(yè)

電氣化的主要趨勢促進了基于高效電機驅(qū)動應用（包括洗碗機、冰箱、洗衣機、空調(diào)、熱泵、工廠自動化、機器人和暖通空調(diào)系統(tǒng)）在研客戶項目翻番增長。

移動消費電子領(lǐng)域

盡管全球消費者市場疲軟，但在中國和韓國，小米、OPPO、三星等十幾個主流型號的增長顯著，納微基于氮化鎵的充電器已經(jīng)在系統(tǒng)成本上和硅基充電器實現(xiàn)持平。

在研客戶價值

從第一季度的7.6億美元增至第二季度的10億美元以上，所有目標市場的客戶項目數(shù)量和收入潛力都實現(xiàn)了重要增長。

公司預計2023年第三季度凈營業(yè)收入將增加到2,100萬美元左右，上下波動2%。

Transphorm：營收達590萬美元

據(jù)報告，Transphorm在2024財年第一季度報告收入為590萬美元，同比增長14%，產(chǎn)品收入和政府收入大致相等，本季度毛利率為36%。

Transphorm總裁、首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Primit Parikh評論道：“過去幾個季度的研發(fā)投入和研發(fā)成果為第二財季產(chǎn)品收入恢復連續(xù)增長奠定了基礎(chǔ)。我們針對高功率細分市場的差異化且高度專利的產(chǎn)品/平臺正在關(guān)鍵目標市場領(lǐng)域（計算、能源與工業(yè)以及電動汽車）中獲得發(fā)展勢頭。此外，我們配股的凈收益，加上預期的非稀釋性債務融資，將使我們能夠繼續(xù)執(zhí)行我們的長期增長計劃，并結(jié)合戰(zhàn)略審查流程，提高和最大化股東價值?！保ㄎ模杭罨衔锇雽w Amber整理）

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據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導體市場了解到，此次展會，英諾賽科、基本半導體、納微半導體、芯塔電子、Power integrations、瞻芯電子、揚杰科技、泰科天潤、能華半導體、潤新微電子、GaN systems、鎵未來、聚能創(chuàng)芯、威兆半導體、芯干線、漢驊半導體、氮矽科技等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）為核心的最新研發(fā)成果和尖端技術(shù)。

01、英諾賽科

作為國內(nèi)出貨量第一的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科在現(xiàn)場展出了全系列氮化鎵產(chǎn)品與方案，應用范圍涵蓋高效快充、數(shù)據(jù)中心、激光雷達、電機驅(qū)動、戶外儲能電源、數(shù)據(jù)中心及及汽車電子等。

值得一提的是，英諾賽科針對數(shù)據(jù)中心供電解決方案做了全面的布局，可以為行業(yè)提供從前端PSU電源到主板DC/DC模塊以及芯片的直接供電，提高供電鏈路的功率密度和效率，實現(xiàn)供電轉(zhuǎn)換損耗整體減小50%。

此外，英諾賽科日前推出的采用TO252 / TO220封裝新品也“閃現(xiàn)”展會現(xiàn)場。采用TO產(chǎn)品的氮化鎵120W大功率快充及適配器方案也一并展示，吸引諸多關(guān)注。

據(jù)了解，英諾賽科于2021年成為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，2022年銷量成功突破1億。

02、納微半導體

納微帶來了最新的GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片解決方案、榮獲CES創(chuàng)新大獎的GaNSense 技術(shù)以及GaNFast?功率芯片解決方案。

搭載了GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片，集成了氮化鎵功率器件、驅(qū)動、控制、額外的自動保護以及無損電流檢測，帶來最簡單、最輕便、最快速以及更強勁的充電性能。借助最新的超快充技術(shù)，一個小巧、簡便的150W氮化鎵充電器，就能讓智能手機在20分鐘內(nèi)完成從1-100%的充電。

目前，憑借著互補的GaNFast和GeneSiC技術(shù)，納微半導體已成為下一代電源領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。

03、Power Integraions

展會上，Power Integraions帶來了采用PowiGaN氮化鎵技術(shù)的最新技術(shù)產(chǎn)品，包含InnoSwitch4-Pro電源開關(guān)IC。產(chǎn)品應用范圍包括IoT智能家居、電動工具&電單車、USB PD充電器/適配器、家用電器等。

其中，會上展出的140W適用于USB PD3.1擴展功率范圍的充電器中采用了PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch4-Pro。最高支持28V5A的輸出，其750V耐壓的氮化鎵開關(guān)大大提升了產(chǎn)品的可靠性及耐受雷電沖擊的能力。得益于氮化鎵開關(guān)的高效率，這款充電器的滿載效率可達95%。

04、芯塔電子

本次展會，芯塔電子集中展示了碳化硅全系產(chǎn)品和技術(shù)，包括具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平的6英寸碳化硅SBD/MOSFET晶圓和可用于新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、PD快充電源、電源PFC上的650-1200V的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模塊等。

芯塔電子針對PD快充領(lǐng)域推出了DFN8*8和DFN5*6兩種封裝形式碳化硅二極管產(chǎn)品，助力高功率密度快充產(chǎn)品的開發(fā)。

此外，芯塔電子本次推出的DFN封裝系列產(chǎn)品目前已通過多家客戶的測試驗證，并對部分客戶形成批量供貨。芯塔電子產(chǎn)品的設(shè)計及驗證均按照車規(guī)級標準執(zhí)行，技術(shù)參數(shù)可對標國際一線公司的最新產(chǎn)品，滿足高端領(lǐng)域的國產(chǎn)化替代需求。

據(jù)了解，芯塔電子是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體功率器件企業(yè)。目前公司已完成一系列的產(chǎn)品研發(fā)和批量生產(chǎn)，逐漸形成較完整的功率器件產(chǎn)品體系，產(chǎn)品在高端電源領(lǐng)域通過驗證，進入了行業(yè)標桿客戶，同時在軍工、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域進行了送樣和銷售。

05、潤新微電子

潤新微電子是華潤微旗下的第三代半導體氮化鎵外延、晶圓及器件制造商，提供650V、900V全規(guī)格的功率器件產(chǎn)品，電源功率的應用覆蓋20W~18KW。

此次展會，公司展出了6英寸650V氮化鎵晶圓和外延片，及采用DFN5*6、DFN8*8、TO-252、TO-263、TO-220、TO-247封裝形式的氮化鎵功率器件。內(nèi)阻覆蓋720mΩ~35mΩ。

據(jù)了解，潤新微電子氮化鎵功率器件的特點是兼容標準MOS驅(qū)動，應用設(shè)計簡單；抗擊穿電壓高達1500V以上，使用安心。產(chǎn)品主要應用于三電：電源、電機、電池，覆蓋電源管理、太陽能逆變器、新能源汽車及高端電機驅(qū)動等科技產(chǎn)業(yè)。

06、珠海鎵未來

鎵未來專注于第三代半導體氮化鎵技術(shù)，提供從30W到6000W的氮化鎵器件及系統(tǒng)設(shè)計解決方案。目前已完成多輪融資，投資方包括珠?？苿?chuàng)投、大橫琴集團、境成資本、禮達基金，融資金額過億。

會上，公司展出了6英寸氮化鎵晶圓、氮化鎵快充、DC-DC變換器、服務器導冷電源、LED電源等產(chǎn)品和方案。

07、GaN Systems

GaN Systems是全球GaN主力軍之一，尤其是在車用GaN領(lǐng)域，該公司屬于先行者。

展會上，公司展出了受三星、戴爾、雷蛇 等全球消費電子領(lǐng)導品牌所采用之氮化鎵快速充電器與適配器。

值得注意的是，3月初，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN Systems，雙方已就此達成最終協(xié)議。

08、泰科天潤

泰科天潤展出了碳化硅功率器件、6英寸碳化硅晶圓及PD電源、工業(yè)電源等應用案例/方案。

其中，4000W逆變器方案的LLC頻率為90KHz-300KHz，效率為99%，具有效率高，1U標準機箱等優(yōu)點.。方案采用了泰科天潤生產(chǎn)的G3S06510B 碳化硅器件。

泰科天潤湖南碳化硅6英寸線第一期年產(chǎn)能6萬片碳化硅6英寸片，預計今年年底完成擴產(chǎn)，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片碳化硅6英寸片。同期泰科天潤位于北京的新研發(fā)總部和8英寸線也在布局，預計2025年完工，可實現(xiàn)10萬片碳化硅8英寸片/年產(chǎn)能，更好的服務客戶，保障交付！

公司產(chǎn)品已經(jīng)批量應用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、 DC-DC等領(lǐng)域。產(chǎn)品規(guī)格涵蓋650V-3300V（1A-100A）等多款規(guī)格，可以提供TO220、TO220全包封、TO220內(nèi)絕緣、TO247-2L、TO247-3L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高溫封裝形式，并可按客戶需求提供其他封裝形式。

09、基本半導體

會上，基本半導體展出了6英寸碳化硅JBS晶圓、碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件和汽車及HPD碳化硅MOSFET模塊等產(chǎn)品。

基本半導體是中國第三代半導體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

公司研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計、封裝測試、驅(qū)動應用等全產(chǎn)業(yè)鏈，推出通過AEC-Q101可靠性測試的碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET以及汽車級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平，產(chǎn)品廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

10、瞻芯電子

公司展出了業(yè)界首創(chuàng)的CCM模式圖騰柱模擬PFC控制芯片、SiC MOSFET專用比鄰驅(qū)動芯片，以及車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET、SBD等產(chǎn)品。

其中，2.5kW圖騰柱PFC芯片（IVCC1102）獲得了第八屆中國電源學會科學技術(shù)獎之優(yōu)秀產(chǎn)品創(chuàng)新獎，得益于IVCC1102具備更快速、更精確、高可靠的模擬控制，故無需編程，使用簡單，可助力電源方案快速定型并推向市場應用。

瞻芯電子聚焦于碳化硅半導體領(lǐng)域，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品，并為客戶提供一站式芯片解決方案。

近期，公司陸續(xù)發(fā)布了2款TOLL貼片封裝的650V SiC MOSFET，能能滿足更緊湊、低損耗、更高功率設(shè)計的應用要求。

此外，還量產(chǎn)了2款Si/GaN/IGBT通用柵級驅(qū)動芯片IVCR1407A與1801A，能安全可靠地驅(qū)動器件以高達數(shù)百kHz開關(guān).

近年來，瞻芯電子屢受資本青睞。日前，公司完成數(shù)億元B輪融資，由國方創(chuàng)新領(lǐng)投，國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構(gòu)跟投。

11、能華半導體

能華半導體聚焦以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件。目前，公司的產(chǎn)品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。

展會上，能華半導體展出了36W、60W和65W適配器方案。據(jù)了解，基于能華氮化鎵功率器件的65W適配器方案，熱可靠性大為提高。

12、江西譽鴻錦

江西譽鴻錦主要從事高品質(zhì)氮化鎵（GaN）電子電力材料和高端光電材料的MOCVD外延生長、芯片制造及相關(guān)器件封裝，是目前國內(nèi)僅有的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新型科技企業(yè)。

展會上公司展出了氮化鎵MOS、氮化鎵肖特基二極管、氮化鎵快充和氮化鎵適配器電源等一系列產(chǎn)品和方案。公司功率器件產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心，射頻器件用于5G通訊設(shè)備及個人5G終端等領(lǐng)域

13、威兆半導體

威兆半導體是專業(yè)從事分立器件系列的設(shè)計及半導體微電子相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)的高科技企業(yè)，同時也是國內(nèi)少數(shù)于12英寸晶圓成功開發(fā)功率分立器件的公司之一。

公司的產(chǎn)品主要為開關(guān)電源充電器用的大功率MOSFET 場效應管、超低壓降肖特基、快恢復二極管及器件模塊化應用設(shè)計，致力于提高產(chǎn)品能效比。此外，公司還有一款 GaN芯片。

此次展會上，公司主要展出了PD快速充電器、無限充電器方案，以及主要應用于手機電池、TWS電池、只能手表電池的CSP系列demo board。

14、聚能創(chuàng)芯

聚能創(chuàng)芯聚焦于第三代半導體硅基氮化鎵（GaN），致力于打造GaN器件開發(fā)與應用生態(tài)系統(tǒng)，為PD快充、智能家電、云計算、5G通訊等提供國產(chǎn)化核心元器件支持。旗下聚能晶源聚焦于第三代半導體氮化鎵（GaN）外延材料。

展會上，公司展出了6英寸硅基氮化鎵外延片、8英寸AIGaN/GaN外延片，以及GaN PD快充、GaN高頻快充、GaN LED照明、GaN TV Power等方案。

GaN PD快充方案中，最大輸出功率240W，采用PFC+LLC架構(gòu)，滿載輸出效率95%，可拓展多路USB Type C輸出。

15、漢驊半導體

公司在會上展出了多種規(guī)格的外延片產(chǎn)品。其中，4英寸藍寶石基全色LED外延片（紅&藍），主要應用于AR/VR領(lǐng)域；6英寸硅基氮化鎵功率電子外延片，主要應用于下一代電力電子、功率器件。

據(jù)悉，漢驊半導體致力于先進半導體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品應用于5G通訊、功率電子、Micro-LED全色顯示、UV紫外消毒固化、微控流芯片、以及其他諸多關(guān)鍵應用場景。

目前在蘇州工業(yè)園區(qū)核心區(qū)域已建成：約20000㎡廠區(qū)、5000㎡潔凈室，數(shù)十臺MOCVD，6/8英寸光電芯片-MEMS量產(chǎn)產(chǎn)線，是具備國際領(lǐng)先水準的高端半導體閉環(huán)研發(fā)與生產(chǎn)基地。

16、芯干線

展會上，芯干線展出了碳化硅功率器件、650V氮化鎵功率器件和500W氮化充電模塊等產(chǎn)品和方案。

其中，500W氮化充電模塊解決方案采用芯干線X-GaN和X-SiC，目前已通過EMI傳導輻射測試，支持量產(chǎn)。

據(jù)悉，芯干線聚焦第三代半導體功率器件及模塊設(shè)計研發(fā)。公司產(chǎn)品線包括增強型氮化鎵功率器件（X-GaN），碳化硅功率器件（X-SiC）以及第三代半導體電源模塊。為下游客戶提供先進的第三代半導體應用方案和全面的技術(shù)支持，涵蓋消費級、工業(yè)級等各領(lǐng)域。

17、氮矽科技

氮矽科技成立于2019年4月，專注于氮化鎵功率器件及其驅(qū)動芯片的設(shè)計研發(fā)、銷售及方案提供。

2020年3月，氮矽科技發(fā)布國內(nèi)首款氮化鎵超高速驅(qū)動器DX1001，同年4月推出國內(nèi)多款量產(chǎn)級別的650V氮化鎵功率芯片DX6515/6510/6508，進軍PD快充行業(yè)。目前可提供65W 2C1A、65W單C、120W 2C1A等多種應用解決方案。（文：集邦化合物半導體 Amber）

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2、目標市場全部實現(xiàn)強勁增長，本季度待出貨訂單增長50%

3、各項收購表現(xiàn)上佳，助力多樣化和協(xié)同增長

美國加利福尼亞州托倫斯，2023年5月15日訊——下一代功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者 – 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日公布截至2023年3月31日的第一季度未經(jīng)審計財務業(yè)績。

公司2023年第一季度凈銷售額增至1,340萬美元，較2022年一季度同比接近翻番，較2022年第四季度增長8%。按公認會計準則和非公認會計準則兩種口徑計算，2023年第一季度毛利率升至41.1%，2022年第四季度為40.6%。

本季度按公認會計準則計算的運營虧損為3,550萬美元，2022年第四季度運營虧損為3,130萬美元。按非公認會計準則計算，本季度運營虧損1,230萬美元，與2022年第四季度表現(xiàn)一致。

2023年第一季度采用公認會計準則計算的每股稀釋后虧損0.39美元，2022年同期為每股稀釋后盈利0.61美元。2023年第一季度未采用公認會計準則計算的每股稀釋后虧損0.07美元，2022年同期每股稀釋后虧損為0.08美元。

“我對納微本季度在收購、產(chǎn)品發(fā)布、客戶開發(fā)和市場拓展方面取得的進展倍感振奮。領(lǐng)先的氮化鎵、碳化硅、數(shù)字隔離器和低壓硅基系統(tǒng)控制芯片全面組合，正在轉(zhuǎn)化為巨額客戶價值、市場應用和財務業(yè)績，季度收入與2022年同期相比翻了一番，目前納微與客戶量產(chǎn)和在研項目的價值總額達7.6億美元?！奔{微半導體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Gene Sheridan。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

市場亮點

電動汽車/電動交通工具

目前已投產(chǎn)或開發(fā)中的車載、充電樁客戶項目達25個，項目價值超3億美元。包括有望于2024年發(fā)布，估值1,500萬至2,000萬美元的某頭部車企車載充電機設(shè)計。

太陽能/儲能

投產(chǎn)或開發(fā)中的客戶項目超35個，帶動收入增長，項目價值總額超1.5億美元。

家電/工業(yè)

美歐及其他地區(qū)政府強力資金支持與立法并行，清潔能源升級延及家庭和工廠，受此驅(qū)動，納微開發(fā)中或已投產(chǎn)客戶項目超45個，項目價值總額超1.5億美元。

數(shù)據(jù)中心

現(xiàn)有客戶項目十個，自2023年底和2024年起放量，項目價值總額超過6,000萬美元，人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和總體數(shù)據(jù)中心需求加速效應明顯。

移動設(shè)備/消費電子

客戶訂單需求強勁勢頭延續(xù)進入第二季度，加上第一季度20款新品快充和超快充充電器，包括最新的小米13 Pro和13 Ultra旗艦手機（隨機標配）快充，以及厚度僅12.7毫米的聯(lián)想65W Thinkbook隨行能量卡輕薄“餅干”筆記本電腦充電器?，F(xiàn)有開發(fā)中的項目超150個，項目價值總額超過1億美元。

產(chǎn)品亮點

全新發(fā)布

GaNSense Control：

高速、高壓氮化鎵和低壓硅基系統(tǒng)控制芯片實現(xiàn)戰(zhàn)略集成，帶來易用、高效、快速充電的電源系統(tǒng)。

GeneSiC SiCPak碳化硅模塊：

納微進入高功率模塊和裸片銷售市場，為電動汽車、太陽能、風能、鐵路和工業(yè)市場提供從650V到6,500V的大范圍產(chǎn)品組合。

GeneSiC 第五代 650V 肖特基二極管：

為數(shù)據(jù)中心、家用電器和工業(yè)馬達電機打造性能指標業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品。

業(yè)務展望

2023年第二季度凈收入預計將繼續(xù)增長至1,600萬美元至1,700萬美元之間；2023年全年收入仍預計較2022年實現(xiàn)全年翻番。二季度毛利率預計增幅為25到50個基點，全年呈逐步攀升態(tài)勢，至2023年年末預計增長率在45%上下。按非公認會計準則口徑計算， 2023年第二季度運營費用（不包括股權(quán)激勵和無形資產(chǎn)攤銷）預計約為1,900萬美元，全年預計呈增長態(tài)勢，季度增幅在5%以上，但低于10%，而支出收入占比將隨著業(yè)務規(guī)模擴大而下降。預計截至2023年第二季度末，加權(quán)平均基本股數(shù)約為1.62億股。

來源：納微半導體

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