根據(jù)公告，奧特維擬使用自有和自籌資金36056.68萬元收購其控股子公司松瓷機電之少數(shù)股東持有的松瓷機電33.21%股權(quán)。本次交易完成后，奧特維對松瓷機電的直接持股比例將由40.63%增加至73.84%，其合并報表范圍未發(fā)生變化。

奧特維表示，自控股子公司松瓷機電合并入公司以來，憑借技術(shù)、性能較為先進的單晶爐產(chǎn)品得到天合光能、晶科能源、晶澳太陽能等知名客戶認可，市場地位上升較快，成為了公司核心子公司之一。

官網(wǎng)資料顯示，奧特維創(chuàng)立于2010年，是光伏、鋰電和半導(dǎo)體專業(yè)領(lǐng)域的智能裝備制造商。奧特維旗下?lián)碛袏W特維智能、松瓷機電、奧特維旭睿、奧特維科芯、立朵科技、無錫智遠等子公司，產(chǎn)品覆蓋光伏產(chǎn)業(yè)鏈的拉棒、硅片、電池、組件四大環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品多主柵串焊機、硅片分選機擁有較強的市場競爭力，獲得了行業(yè)龍頭企業(yè)客戶的認可，市場占有率較高。其自主研發(fā)了鋰電模組、PACK智能生產(chǎn)線及鋰電池外觀分選設(shè)備，得到行業(yè)知名客戶多批次多項目的復(fù)選采購；并于2021年正式推出半導(dǎo)體鍵合設(shè)備，已獲得批量訂單。

作為奧特維控股子公司，松瓷機電專注于光伏及半導(dǎo)體行業(yè)晶體生長專用設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售及提供綜合性解決方案。其推出的1400單晶爐、1600單晶爐、低氧型單晶爐及單晶車間智能化解決方案，已獲得國內(nèi)外多家知名企業(yè)認可復(fù)購。

松瓷機電現(xiàn)有3萬多平米的重型廠房生產(chǎn)基地，同時擁有光伏研發(fā)實驗室及半導(dǎo)體研發(fā)實驗室，擁有Virtual Reactor、CGSIM等仿真軟件進行熱場模擬，可滿足大尺寸N型晶圓與重摻雜拉晶工藝的研發(fā)試制及第三代半導(dǎo)體材料設(shè)備的開發(fā)與試驗。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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該項目包括生產(chǎn)廠房、綜合樓、動力中心等11棟單體建筑，總投資6.3億元，總占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米。

目前，該項目生產(chǎn)廠房已進入三層、四層結(jié)構(gòu)施工階段，動力中心進入三層結(jié)構(gòu)施工階段，綜合配套建筑施工已基本完成，正在進行收尾工作。

從配套設(shè)施來看，與第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房（一期）科創(chuàng)芯園壹號相比，二期工程配備了特氣站、危化品庫以及1萬平方米的動力中心，可提供穩(wěn)定可靠的能源和動力支持，能夠滿足企業(yè)生產(chǎn)需求。

近年來，順義區(qū)大力支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。去年2月，順義區(qū)經(jīng)濟和信息化局印發(fā)《順義區(qū)進一步促進第三代等先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（以下簡稱：措施）。

措施適用于在本行政區(qū)域內(nèi)依法注冊登記、經(jīng)營，并形成一定區(qū)域貢獻（包括但不限于就業(yè)、科技進步、經(jīng)濟發(fā)展等）的市場主體，從事第三代等先進半導(dǎo)體領(lǐng)域襯底、外延、芯片設(shè)計/制造環(huán)節(jié)，封裝測試以及關(guān)鍵裝備和芯片直接應(yīng)用的企業(yè)、事業(yè)單位、社會團體、民辦非企業(yè)等機構(gòu)。

目前，順義區(qū)正在加速促進三代半項目落地，規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平方米的三代半標(biāo)廠，目前一期7.4萬平方米科創(chuàng)芯園壹號已投入使用，聚集了瑞能、特思迪、漠石科技、金冠電氣、清能智聯(lián)等三代半相關(guān)企業(yè)入駐。

而在今年6月1日，北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇在順義舉辦。會上，北京順義科技創(chuàng)新集團總經(jīng)理何磊代表順義區(qū)人民政府與4家公司簽署合作協(xié)議。伴隨著合作協(xié)議簽署，4個產(chǎn)業(yè)項目正式簽約落地順義，總投資額近10億元，其中包括SiC功率器件用陶瓷封裝基板項目。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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第一步，必創(chuàng)科技擬于2024年內(nèi)通過增資取得創(chuàng)世威納約10%股權(quán)，該次交易完成后創(chuàng)世威納將成為必創(chuàng)科技參股公司；第二步，必創(chuàng)科技擬在創(chuàng)世威納完成2024年業(yè)績承諾的基礎(chǔ)上，于2025年內(nèi)通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式進一步收購創(chuàng)世威納約55%股權(quán)，該次交易完成后創(chuàng)世威納將成為必創(chuàng)科技控股子公司。

公告顯示，創(chuàng)世威納擁有15年微米納米鍍膜與刻蝕經(jīng)驗，其推出的系列鍍膜機、刻蝕機及其他真空設(shè)備可以滿足市面上多種膜系、刻蝕形貌的工藝要求。創(chuàng)世威納根據(jù)科研和工業(yè)的不同需求，提供標(biāo)準(zhǔn)化程度高、集成度高、設(shè)計輕巧、滿足多樣化研究的科研設(shè)備，以及生產(chǎn)效率高、穩(wěn)定性高、材料利用率高的生產(chǎn)型設(shè)備，已經(jīng)在半導(dǎo)體、微電子、光電器件、新材料、航空航天、通訊、核工業(yè)等行業(yè)獲得了成熟應(yīng)用。

官網(wǎng)資料顯示，必創(chuàng)科技成立于2005年，總部位于北京，2017年在創(chuàng)業(yè)板上市，是一家智能傳感器和光電儀器產(chǎn)品、系統(tǒng)解決方案和應(yīng)用服務(wù)提供商。產(chǎn)品方面，必創(chuàng)科技自主研發(fā)生產(chǎn)的無線傳感器網(wǎng)絡(luò)系列產(chǎn)品、金屬化光纖、MEMS壓力傳感器芯片、通用光柵光譜儀、熒光光譜儀、拉曼光譜儀、精密位移控制單元及OLED/LCD顯示器件光色評價系統(tǒng)等多項產(chǎn)品的技術(shù)性能指標(biāo)均達到國內(nèi)較高水平，部分指標(biāo)達到國際較高水平。

關(guān)于本次收購，必創(chuàng)科技表示，本次股權(quán)投資事項有助于豐富其在科研及先進制造領(lǐng)域的產(chǎn)品和服務(wù)，并加強在半導(dǎo)體、光電器件、航空航天等領(lǐng)域的布局。其在新材料與特種材料表征領(lǐng)域已經(jīng)積累了豐富的經(jīng)驗和良好的客戶群體，并逐步布局針對第三代半導(dǎo)體、Micro LED發(fā)光器件、鈣鈦礦光伏材料等領(lǐng)域的量測和檢測，與創(chuàng)世威納整合后將進一步滲透到材料制備端，有利于其加快和完善產(chǎn)業(yè)布局和資源整合，從而把握設(shè)備國產(chǎn)化、核心元器件國產(chǎn)化生產(chǎn)的機會。

必創(chuàng)科技8月28日晚間發(fā)布的2024年半年度報告顯示，半導(dǎo)體光電量測及檢測業(yè)務(wù)是必創(chuàng)科技在原有光電效應(yīng)、熒光及拉曼產(chǎn)品線的基礎(chǔ)上，針對新型材料機理與器件表征研究、晶圓檢測、光刻工藝、薄膜沉積的量測和檢測需求，進行了產(chǎn)品和應(yīng)用的拓展。

在第三代半導(dǎo)體SiC、GaN、AlN及Micro LED，新型光伏材料及鈣鈦礦等領(lǐng)域，原有的Si晶圓量測和檢測手段缺乏針對組分、內(nèi)應(yīng)力、載流子濃度、發(fā)光的均勻性等特有指標(biāo)的晶圓級無損、快速檢測的方法，必創(chuàng)科技通過寬場熒光成像、共焦光致發(fā)光光譜、共焦拉曼光譜、光譜響應(yīng)度等新技術(shù)進行補充和搭配。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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半導(dǎo)體材料作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的重要基石，已經(jīng)上升到大國科技競爭的核心領(lǐng)域。隨著新能源、5G通訊、人工智能以及低空經(jīng)濟等先進生產(chǎn)力的快速發(fā)展，對半導(dǎo)體材料的需求急劇增長，然而硅基半導(dǎo)體材料正面臨著摩爾定律逼近物理極限的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)并繼續(xù)推動信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與高速發(fā)展，全球科技界和產(chǎn)業(yè)界亟需打破傳統(tǒng)材料的限制，從材料或結(jié)構(gòu)角度出發(fā)，積極探索新一代半導(dǎo)體材料或運用先進封裝技術(shù)，以期開創(chuàng)行業(yè)新篇章。

在此背景下，第2屆第三代半導(dǎo)體及先進封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨先進半導(dǎo)體展應(yīng)運而生。大會以“‘芯’材料·新領(lǐng)航”為主題，聚焦于第三代半導(dǎo)體與先進封裝技術(shù)的發(fā)展新機遇。通過集結(jié)全球智慧，共同研討并引領(lǐng)創(chuàng)新路徑，致力于從應(yīng)用需求出發(fā)，逆向推動相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。同時，通過產(chǎn)學(xué)研的緊密結(jié)合，推動先進電子產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新。此次大會能激發(fā)出更多的創(chuàng)新思維，加強行業(yè)間的合作，為電子信息產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。

組織單位

大會主題

“芯”材料 新領(lǐng)航
主辦單位
中國生產(chǎn)力促進中心協(xié)會新材料專業(yè)委員會
DT新材料
聯(lián)合主辦
深圳市寶安區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
支持單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
橫琴粵澳深度合作區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
香港科技大學(xué)深港協(xié)同創(chuàng)新研究院
香港城市大學(xué)深圳研究院
香港青年科學(xué)家協(xié)會
北京大學(xué)深圳系統(tǒng)芯片設(shè)計重點實驗室
協(xié)辦單位
深圳市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進會
深圳市集成電路行業(yè)協(xié)會
深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院
粵港澳大灣區(qū)先進電子材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
山東省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
承辦單位
深圳市德泰中研信息科技有限公司

支持媒體

DT新材料、DT芯材、DT半導(dǎo)體、洞見熱管理、 Carbontech、《半導(dǎo)體芯科技》、《化合物半導(dǎo)體》、 芯師爺、21ic 電子網(wǎng)、芯榜、電子發(fā)燒友、夯邦、集邦化合物半導(dǎo)體

時間地點

2024年11月6—8日 深圳國際會展中心（寶安）

日程安排

大會議題

主論壇：“芯”材料 新領(lǐng)航
（1）宏觀政策解讀
（2）科技前沿新突破
（3）產(chǎn)業(yè)進展與趨勢
（4）產(chǎn)業(yè)投資分析與方向

圓桌對話： AI和新能源風(fēng)口下的“芯”機遇與挑戰(zhàn)

「先進封裝技術(shù)」分論壇：搶抓AI新機遇
（1）AI時代先進封裝及Chiplet應(yīng)用專場

AI時代先進封裝發(fā)展與產(chǎn)業(yè)趨勢解析

Chiplet高密度集成技術(shù)賦能AI算力提升

2.5D/3D封裝設(shè)計仿真驗證

高精度裝備創(chuàng)新助推先進封裝產(chǎn)業(yè)騰飛

先進封裝精密檢測設(shè)備創(chuàng)新應(yīng)用

圓桌對話： Chiplet互聯(lián)接口標(biāo)準(zhǔn)化落地問題探討

（2）先進封裝互連技術(shù)專場

AI芯片互連技術(shù)創(chuàng)新及挑戰(zhàn)

3D 堆疊技術(shù)中硅通孔（TSV）刻蝕與填充

3D封裝晶圓減薄中如何解決翹曲、裂片問題

先進封裝互連低溫?zé)Y(jié)焊料的應(yīng)用

三維互連熱管理創(chuàng)新解決方案與材料選擇

多芯片高速互連接口設(shè)計挑戰(zhàn)對策與EDA解決方案

（3）面板級封裝關(guān)鍵設(shè)備及材料機遇專場

板級封裝技術(shù)成本優(yōu)勢與發(fā)展前景

面板廠商設(shè)備升級切入板級封裝的機遇

板級封裝貼片機技術(shù)突破與市場機遇

探索TGV技術(shù)推動PLP面板級封裝創(chuàng)新與發(fā)展

高端環(huán)氧樹脂技術(shù)創(chuàng)新與突破

圓桌論壇：板級封裝國產(chǎn)設(shè)備和材料新機遇

（4）TGV玻璃基板專場

先進封裝特種平板玻璃材料創(chuàng)新與應(yīng)用

玻璃通孔（TGV）技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

玻璃通孔工藝挑戰(zhàn)和解決方案

玻璃基板電鍍重布線技術(shù)解析與探索

激光通孔技術(shù)加速TGV產(chǎn)業(yè)化落地

高密度玻璃載板：ROS技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用探索

「碳化硅半導(dǎo)體」分論壇：800伏快充卷動碳化硅風(fēng)云
（1）800V高壓快充碳化硅市場與應(yīng)用專場

碳化硅功率器件在新能源車端的應(yīng)用

800V高壓電氣拓撲結(jié)構(gòu)設(shè)計

從高壓快充看碳化硅在電力設(shè)備中的運用

車規(guī)級碳化硅芯片/器件制造技術(shù)突破及應(yīng)用進展

碳化硅器件耐用性檢驗——芯片研發(fā)環(huán)節(jié)高溫門極偏置測試

圓桌對話：800V高壓快充碳化硅市場機遇與挑戰(zhàn)！

（2）800V高壓快充碳化硅特色封裝及可靠性驗證專場

碳化硅模塊封裝如何提升耐高溫能力——SiC特色封裝設(shè)計路線

車規(guī)級碳化硅封裝可靠性測試與驗證

碳化硅功率模塊封裝用關(guān)鍵設(shè)備及核心技術(shù)

碳化硅功率器件封裝用高熱導(dǎo)率陶瓷基板

碳化硅功率器件封裝用低電阻率的金屬連接件、燒結(jié)銀/銅工藝

耐高壓封裝絕緣材料、熱管理材料突破

功率模塊設(shè)計與仿真流程

（3）碳化硅晶圓（襯底與外延片）專場

8 inch SiC外延片生長技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化進展

大尺寸襯底制造難點及技術(shù)突破

碳化硅晶圓切割良率提升及翹曲防范——激光切割

8 inch碳化硅晶圓磨拋工藝方案

碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設(shè)備國產(chǎn)解決方案

CVD SiC陶瓷材料在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用和發(fā)展

襯底片、外延片的精確測量方案

（4）碳化硅晶體生長專場

8英寸碳化硅晶體生長良率與速率控制

8英寸碳化硅晶體生長位錯控制

長晶爐設(shè)計及關(guān)鍵參數(shù)控制

熱場設(shè)計、晶體制備工藝設(shè)計——控溫技術(shù)及設(shè)備

碳化硅晶體缺陷控制——快速退火爐及技術(shù)應(yīng)用

「氮化鎵半導(dǎo)體」分論壇：氮化鎵AI時代開疆拓土

（1）氮化鎵功率器件設(shè)計與制造技術(shù)專場

高性能氮化鎵功率器件設(shè)計

高可靠性氮化鎵功率器件研究

氮化鎵功率器件制造關(guān)鍵挑戰(zhàn)和解決方案

氮化鎵功率器件創(chuàng)新封裝技術(shù)研究進展

氮化鎵功率器件測試技術(shù)挑戰(zhàn)及實踐

（2）氮化鎵半導(dǎo)體材料與設(shè)備專場

氮化鎵單晶襯底生長研究

氮化鎵晶體生長HVPE爐研究進展

功率器件用氮化鎵外延技術(shù)研究及展望

氮化鎵外延翹曲、裂紋挑戰(zhàn)與解決策略

氮化鎵外延MOCVD設(shè)備進展和突破

（3）數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件應(yīng)用專場

數(shù)據(jù)中心功率器件應(yīng)用趨勢與變化（需求）

數(shù)據(jù)中心開關(guān)電源技術(shù)的挑戰(zhàn)

氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心電源的應(yīng)用實踐

數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率器件創(chuàng)新方案

工業(yè)級氮化鎵功率器件可靠性驗證

圓桌對話：數(shù)據(jù)中心氮化鎵方案創(chuàng)新與應(yīng)用發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)
（4）氮化鎵功率器件多元應(yīng)用發(fā)展專場

氮化鎵大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵因素

氮化鎵器件在車載OBC中的應(yīng)用及技術(shù)創(chuàng)新

應(yīng)用于光伏微逆變器的氮化鎵功率器件整體方案

高壓氮化鎵功率器件為應(yīng)用創(chuàng)造更多可能性

可靠性驗證創(chuàng)新方案加速氮化鎵功率器件應(yīng)用

多物理場仿真在氮化鎵可靠性驗證領(lǐng)域的應(yīng)用

圓桌對話：氮化鎵功率器件可靠性驗證標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)

咨詢報名

聯(lián)系人：
龔志明 177 0403 8566 （微信同號）
周林強 177 2467 7536 （微信同號）
黃如琪 170 1760 8934 （微信同號）
劉東妮 180 3806 7192 （微信同號）

地 址：深圳市寶安區(qū)福永街道龍王古廟工業(yè)區(qū)深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院1棟1201

各國政府對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展給予了高度重視，從戰(zhàn)略高度出臺了一系列利好政策，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)健發(fā)展保駕護航。

碳化硅、氮化鎵相關(guān)政策密集出臺

國內(nèi)方面，早在2021年，國家就出臺了一系列相關(guān)政策，全面加大了對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持和投入力度。

例如，科技部在2021年12月發(fā)布了《國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2021年度公開指南擬立項項目公示清單》，其中包括了“面向大數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的8英寸硅襯底上氮化鎵基外延材料、功率電子器件及電源模塊關(guān)鍵技術(shù)研究”、“大尺寸SiC單晶襯底制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)”、“基于氮化物半導(dǎo)體的納米像元發(fā)光器件研究”、“中高壓SiC超級結(jié)電荷平衡理論研究及器件研制”、“晶圓級Si（100）基GaN單片異質(zhì)集成關(guān)鍵技術(shù)研究”、“GaN單晶新生長技術(shù)研究”等眾多第三代半導(dǎo)體項目。

工信部則在2021年12月公布了《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2021年版）》，目錄按照《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》對新材料的劃分方法，分為先進基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵戰(zhàn)略材料和前沿新材料三大類，每個大類里面又細分小類。其中，關(guān)鍵戰(zhàn)略材料中的先進半導(dǎo)體材料和新型顯示材料包括了氮化鎵單晶襯底、氮化鎵外延片、碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅單晶襯底等第三代半導(dǎo)體材料。

而在近期，河北、陜西等省發(fā)布了第三代半導(dǎo)體相關(guān)支持政策，表明各地進一步加大對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持力度。

其中，河北印發(fā)的《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個細分行業(yè)發(fā)展的若干措施》，包括在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領(lǐng)域組織實施一批技術(shù)改造項目，積極爭取將在建和擬建第三代半導(dǎo)體重點項目納入國家“十四五”重大項目儲備庫。

陜西則印發(fā)《陜西省培育千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群行動計劃》，將重點開展第三代半導(dǎo)體材料工藝技術(shù)與核心產(chǎn)品攻關(guān)，打通晶體材料高效生長、器件設(shè)計制造等產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵節(jié)點，打造千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群。

國際方面，美國政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，特別是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。美國通過《芯片與科學(xué)法案》（Chips for America Act）等立法，提供資金支持和稅收優(yōu)惠，以促進本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。此外，美國還通過國防高級研究計劃局（DARPA）等機構(gòu)，支持第三代半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用。

歐盟通過“地平線2020”計劃（Horizon 2020）等項目，支持半導(dǎo)體材料的研究和創(chuàng)新。歐盟還通過“歐洲共同利益重要項目”（IPCEI）等機制，提供資金支持，促進成員國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作和創(chuàng)新。

此外，日本通過“新經(jīng)濟成長戰(zhàn)略”等政策，韓國通過“半導(dǎo)體超級大國戰(zhàn)略”等政策，德國政府通過“高科技戰(zhàn)略”等政策，支持半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，其中包括促進第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展。

目前，全球各國都在從政策方面持續(xù)對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進行引導(dǎo)和扶持，有助于推動第三代半導(dǎo)體在各個領(lǐng)域的進一步滲透。

真金白銀扶持三代半產(chǎn)業(yè)

除政策引導(dǎo)和扶持外，在資金補貼方面，各國對于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展投入較大，且正在不斷加碼。

今年6月28日晚間，三安光電發(fā)布公告稱，其收到政府補助資金約3.64億元，占公司最近一期經(jīng)審計歸屬于上市公司股東凈利潤的99.41%。這將對三安光電2024年第二季度損益產(chǎn)生積極影響，進而對其全年業(yè)績產(chǎn)生積極影響。天岳先進則在2022年1-7月累計獲得政府補助1843.42萬元。

從三安光電、天岳先進等廠商收到金額可觀的政府補助資金，可以窺見我國對于第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)的補貼力度較大。

此外，東尼電子、時代電氣、晶湛半導(dǎo)體、中微公司等碳化硅相關(guān)廠商也都曾獲得政府的財政支持。

國際市場方面，美國持續(xù)向各大三代半相關(guān)廠商發(fā)放大額補貼。其中，作為芯片和科學(xué)法案的一部分，美國商務(wù)部今年2月宣布計劃向格芯（GF）提供15億美元（約108.54億人民幣）的直接資助，用于擴大其在美國的氮化鎵晶圓廠產(chǎn)能。2023年10月，格芯氮化鎵項目已獲得美國政府3500萬美元（約2.53億人民幣）的資助。

而在今年4月，據(jù)外媒報道，韓國半導(dǎo)體晶圓制造商SK siltron宣布將從美國密歇根州政府獲得7700萬美元（約5.57億人民幣）的補貼，這筆資金包括投資補貼和稅收優(yōu)惠。報道稱，SK siltron正在擴建其位于美國密歇根州貝城的碳化硅晶圓工廠，由其美國子公司SK siltron CSS主導(dǎo)建設(shè)，SK siltron CSS計劃利用美國政府和密歇根州政府提供的資金，在2027年之前完成貝城工廠的擴建。

日本政府通過“特定半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)補助項目”對企業(yè)在日本建設(shè)先進半導(dǎo)體工廠進行補助，補助率最多可達項目所需費用的1/3。其中，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省向Resonac（原昭和電工）和住友電工提供了超過10億元人民幣的國家補貼，以擴大碳化硅材料的生產(chǎn)規(guī)模。

這些補助體現(xiàn)了各國政府對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要性的認識，以及確保本國在全球第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中保持競爭力的決心。通過這些補助，各國旨在推動第三代半導(dǎo)體技術(shù)升級、產(chǎn)能擴大。

除直接的資金補貼外，“國家隊”還通過投資入股相關(guān)廠商推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。今年上半年，中車時代半導(dǎo)體、長電科技子公司等紛紛完成了新一輪融資或增資，背后都有國資的身影。

其中，中車時代半導(dǎo)體今年4月完成新一輪融資，由電投融合創(chuàng)新（常州）股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱電投融合創(chuàng)新基金）投資。電投融合創(chuàng)新基金成立于2022年6月，由國家電投產(chǎn)業(yè)基金聯(lián)合常州市產(chǎn)業(yè)投資基金（有限合伙）、常州市武進區(qū)基金及其他國有資本共同發(fā)起成立。

而在今年6月，長電科技汽車電子（上海）有限公司（以下簡稱長電汽車電子）完成了注冊資本變更。變更后，長電汽車電子新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司、上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（二期）有限公司等為股東，注冊資本由4億元增加11倍至48億元。

在當(dāng)前國際貿(mào)易形勢復(fù)雜、產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求日益迫切的背景下，國資的介入有助于減少對外依賴，增強第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)安全性。

第三代半導(dǎo)體翻開新篇章

在從多個方面支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商的同時，各國的“國家隊”親自出手，參與這場日益火熱的全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爭奪戰(zhàn)。

國內(nèi)方面，今年3月，上海首次舉辦第三代半導(dǎo)體推介活動?；顒又校皩捊麕О雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地”揭牌，未來將由臨港新片區(qū)牽頭，代表上海把臨港新片區(qū)建設(shè)成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)介紹，上海臨港新片區(qū)計劃在未來3年內(nèi)，通過相關(guān)措施，打造從器件設(shè)計、襯底生產(chǎn)、晶圓制造、模組封裝到終端應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈條。

國際方面，今年2月?lián)饷綀蟮?，英國想要通過一個名為ORanGaN的項目，來構(gòu)建全新的自主供應(yīng)鏈，該項目專注于研發(fā)用于5G通信的射頻氮化鎵產(chǎn)品和設(shè)備。目前，英國還不完全具備開發(fā)和制造應(yīng)用于5G且商用的射頻氮化鎵器件的能力，ORanGaN項目的建立正是為了補強這一短板。ORanGaN項目得到了英國科學(xué)、創(chuàng)新和技術(shù)部（DSIT）的支持。

而在今年4月，韓國釜山市政府宣布投資400億韓元（約2.1億人民幣），在東南放射科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，該項目已獲國家及市級基金資助。

“國家隊”出手，在壯大本國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實力的同時，有望帶動更多本國廠商加入投建第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大軍。

在政策扶持和資金支持雙重力量推動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)加速發(fā)展態(tài)勢，從項目落地實施方面可窺見一斑。僅2024年上半年，國內(nèi)就有數(shù)十個碳化硅相關(guān)項目披露新進展。

而在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面，通過產(chǎn)學(xué)研合作，國家主導(dǎo)建設(shè)的科研機構(gòu)和高校助力三代半相關(guān)廠商加速實現(xiàn)技術(shù)升級迭代和產(chǎn)業(yè)化。其中，清華大學(xué)蘇州汽車研究院和至信微電子簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”；安森德半導(dǎo)體與南方科技大學(xué)合作共建“南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院-安森德半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室”；長飛先進與懷柔實驗室于近日舉辦了碳化硅項目科技成果合作轉(zhuǎn)化意向簽約儀式。

總結(jié)

各國對于本國三代半產(chǎn)業(yè)的引導(dǎo)和扶持，體現(xiàn)了各國對相關(guān)領(lǐng)域的重視，尤其是在三代半產(chǎn)業(yè)全球競爭日益加劇的大背景下，國家的大力支持可以為國內(nèi)三代半廠商提供良好的營商環(huán)境，推動國內(nèi)企業(yè)更好地參與全球市場的競爭。

具體來看，各國的相關(guān)補助和產(chǎn)業(yè)基金可以為第三代半導(dǎo)體廠商的研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新提供資金支持，加速技術(shù)突破，縮小與國際先進水平的差距。在國內(nèi)，國家大基金一期和二期此前均投資過相關(guān)廠商，覆蓋碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)的材料、設(shè)備、器件、模組等企業(yè)，如士蘭微、華潤微、三安光電、天科合達、世紀(jì)金光、賽微電子、北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體等。

同時，國家的重視和支持，還能夠帶動地方政府和民間資本的投入，形成國家引導(dǎo)、地方支持、民間投資的多元化投融資格局，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更加充足的資金保障。

此外，各國從戰(zhàn)略高度，一方面推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)化和升級，促進產(chǎn)業(yè)持續(xù)降本增效，提升整個產(chǎn)業(yè)鏈的競爭力；另一方面，通過扶持產(chǎn)業(yè)鏈上下游的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，促進產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同發(fā)展，形成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)，壯大產(chǎn)業(yè)實力。

整體來看，各國引導(dǎo)和扶持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不僅能夠推動產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級，還能夠在保障產(chǎn)業(yè)鏈安全、提升國際競爭力等方面發(fā)揮重要作用。隨著各國加大扶持力度，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國際競爭將加劇。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

2024年7月25日，由浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心牽頭起草的團體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》已形成委員會草案，兩項標(biāo)準(zhǔn)委員會草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會，得到了很多CASAS正式成員的支持。委員會草案已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟常務(wù)理事及理事單位。

T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應(yīng)用評估等工作場景?？蓱?yīng)用于以下器件：a)GaN增強型和耗盡型分立電力電子器件；b)GaN集成功率電路；c)以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。

T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關(guān)斷和零電流關(guān)斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應(yīng)用評估等工作場景。可應(yīng)用于以下器件：a)GaN增強型分立電力電子器件；b)GaN集成功率電路；c)以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。

2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見

由賽邁科先進材料股份有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度測定輝光放電質(zhì)譜法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》已完成征求意見稿的編制，該項標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2024年7月25日起開始征求意見，截止日期2024年8月24日。征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至：casas@casa-china.cn。

T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度測定輝光放電質(zhì)譜法》規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜法測定等靜壓石墨構(gòu)件純度的方法，包括術(shù)語和定義、試驗原理、試驗環(huán)境、儀器設(shè)備、試劑與材料、試樣、試驗步驟、試驗結(jié)果及試驗報告。

本文件適用于單個雜質(zhì)元素含量范圍為0.01mg/kg～5mg/kg的碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度的測定，所述構(gòu)件包括碳化硅單晶生長爐中的加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件。碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場部件，以及碳化硅外延生長用石墨基材的純度測定可參考本文件。
T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》描述了碳化硅單晶生長用等靜壓石墨的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)識、包裝、運輸和貯存等。

本文件適用于純度要求達到5N5（質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.9995%）以上的碳化硅單晶生長用或碳化硅粉體合成用等靜壓石墨，包括碳化硅單晶生長用加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件，以及碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場部件。

SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

7月19日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET閾值電壓測試方法》等9項SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。

其中，T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法》由聞泰科技股份有限公司、重慶大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、浙江大學(xué)、泰克科技（中國）有限公司等聯(lián)合提出。

T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法》針對SiC MOSFET器件的開關(guān)動態(tài)特性，基于當(dāng)前SiC半導(dǎo)體行業(yè)的市場需求，對SiC MOSFET器件進行特定測試電路下的脈沖測試，提案規(guī)定了測試所需要包含的設(shè)置條件、測試工具、測試項目以及計量方法等，包括：1、總則、規(guī)范性引用文件；2、術(shù)語、定義、文字符號；3、電路構(gòu)成和測試要求；4、操作方法和測試流程；5、計量方法和評價方案；6、其他安全注意事項等技術(shù)性內(nèi)容。（來源：全球半導(dǎo)體觀察）

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資料顯示，逍遙科技成立于2021年，是一家具備自主知識產(chǎn)權(quán)的電子/光電子芯片設(shè)計自動化(EDA/PDA)軟件工具研發(fā)和服務(wù)公司，在成都、無錫、臺灣新竹設(shè)有研發(fā)和晶圓代工廠工藝設(shè)計套件（PDK）服務(wù)中心。公司擁有在微納光子/硅基光電子、第三代半導(dǎo)體等技術(shù)的積累，與國內(nèi)多家高校開展產(chǎn)學(xué)研深度合作。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

逍遙科技致力于為“特色工藝”半導(dǎo)體芯片提供設(shè)計自動化全流程EDA/PDA解決方案，涵蓋化合物/硅基光電子、功率器件(SiC/GaN)、MEMS/智能傳感、超構(gòu)透鏡(Metalens)等特色工藝芯片的設(shè)計需求。

目前，逍遙科技正在與國內(nèi)外晶圓代工廠及中試線通力合作，致力于建立PDK設(shè)計套件，以實現(xiàn)芯片從設(shè)計到流片的全流程。 （集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理 ）

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source：舟山發(fā)布

據(jù)悉，北方特氣硅基新材料及第三代半導(dǎo)體材料一體化項目總投資50億元，是突破電子級硅烷特氣制造“卡脖子”的戰(zhàn)略性項目。據(jù)北方特氣介紹，該項目將打造國內(nèi)最大的硅基新材料及第三代半導(dǎo)體新材料生產(chǎn)基地。

具體來看，該項目建設(shè)內(nèi)容包含生產(chǎn)裝置、公用工程設(shè)施、輔助生產(chǎn)設(shè)施、廠內(nèi)行政生活設(shè)施、全廠性設(shè)施、實驗室、研發(fā)中心等。其中一期項目用地面積約25.9公頃，建筑面積約25萬平方米，一期投資31億元。建成后可形成年產(chǎn)2萬噸電子級硅烷特氣及2萬噸硅碳負極材料的生產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計年產(chǎn)值100億元，年稅收10億元以上。

官網(wǎng)資料顯示，北方特氣是一家從事高純氣、標(biāo)準(zhǔn)氣、電子氣、電光源氣、鍍膜氣、工業(yè)氣等多種氣體的研制、生產(chǎn)、經(jīng)營單位。其中，高純氣和標(biāo)準(zhǔn)氣主要用于石油化工、汽車制造、煤炭、電子、電力、冶金、化肥、環(huán)保、交通、醫(yī)療、公安等眾多領(lǐng)域。

作為一家特種氣體廠商，北方特氣業(yè)務(wù)范圍正在向第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域延伸。近期，除本次開工的第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目外，4月9日，北方特氣硅基材料一體化項目簽約儀式在江蘇省鹽城市濱海縣沿海工業(yè)園舉行。

據(jù)了解，北方特氣硅基材料一體化項目總投資60億元，建成后年產(chǎn)4萬噸硅烷電子特氣、6萬噸硅碳負極材料、1萬片SiC外延片等產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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多方來戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié)

第三代半導(dǎo)體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場重要賽位，擁抱巨大增量市場。業(yè)界認為，面對下游行業(yè)需求的爆發(fā)，提升工藝及良率，擴大晶圓產(chǎn)能是行業(yè)當(dāng)務(wù)之急。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能供應(yīng)緊張，三安/意法等大廠在前線沖鋒：英飛凌將拋出70億歐元（約544.24億元人民幣），部署馬來西亞地區(qū)產(chǎn)能，其馬來西亞居林Module 3廠區(qū)預(yù)計今年8月啟用，并于2024年底開始生產(chǎn)SiC；Nexperia（安世半導(dǎo)體）投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導(dǎo)體（WBG），并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施；Wolfspeed的Building 10 Materials工廠已實現(xiàn)其8英寸晶圓的生產(chǎn)目標(biāo)，預(yù)計到2024年底，其莫霍克谷SiC晶圓廠可借此將晶圓開工利用率提升至約25%….

三安光電、意法半導(dǎo)體決定聯(lián)手布局，二者去年6月宣布在在中國重慶建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。目前，重慶三安襯底廠主設(shè)備進場，這標(biāo)志著重慶三安襯底工廠通線，即將進入倒計時階段。三安意法碳化硅項目總規(guī)劃投資約300億元人民幣，項目達產(chǎn)后將建成全國首條8吋碳化硅襯底和晶圓制造線，具備年產(chǎn)48萬片8吋碳化硅襯底、車規(guī)級MOSFET功率芯片的制造能力，預(yù)計營收將達170億人民幣，將有力推動重慶打造第三代化合物半導(dǎo)體之都。

另外，三安半導(dǎo)體湖南碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項目一期已經(jīng)全線投產(chǎn)，SiC年產(chǎn)能已達到25萬片（折合6吋算）；項目二期正在穩(wěn)步推進中，將全部導(dǎo)入國際領(lǐng)先的8吋生產(chǎn)設(shè)備和工藝。整個項目達產(chǎn)后將實現(xiàn)總計年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。而三安光電于7月2日在投資者互動平臺表示，湖南三安項目后續(xù)擴產(chǎn)將生產(chǎn)8英寸SiC產(chǎn)品，目前，8英寸SiC襯底已開始試產(chǎn)，8英寸SiC芯片預(yù)計于12月投產(chǎn)。

韓國方進軍氮化鎵：據(jù)韓媒近期報道，三星電子、SK Siltron、韓國東部高科（DB HiTek）以及無晶圓廠ABOV Semiconductor共同簽署了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)協(xié)議（MOU），共同致力于“化合物功率半導(dǎo)體先進技術(shù)開發(fā)項目”。該項目將首先聚焦GaN功率半導(dǎo)體的研發(fā)，上述廠商均表示旨在將GaN業(yè)務(wù)商業(yè)化。

從早先的布局動態(tài)看，三星此前透露將從2025年開始建設(shè)8英寸氮化鎵化合物功率半導(dǎo)體代工廠；SK Siltron通過其子公司SK KeyFoundry（啟方半導(dǎo)體）開發(fā)和量產(chǎn)GaN半導(dǎo)體，后者此前宣布已獲得8英寸650V 氮化鎵 HEMT 的器件特性，并計劃在今年內(nèi)完成開發(fā)；DB HiTek于5月表示將在今年第三季度引進氮化鎵器件生產(chǎn)所需的相關(guān)設(shè)備，并在今年年底前完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，預(yù)計該GaN代工廠將從明年年初開始運營。

此外，韓國官方正加強扶持該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。韓國政府將從今年到2028 年，計劃提供1385 億韓元（約7.2億人民幣）的資金支持以推進上述項目，其中包括 939 億韓元的政府資金和 446 億韓元的私人投資；技術(shù)支持方面，韓國產(chǎn)業(yè)技術(shù)規(guī)劃和評估研究院（KITIE）將為參與機構(gòu)提供研發(fā)支持。

汽車廠商多線路布局，旨在穩(wěn)定供應(yīng)鏈體系：中國一汽正加強建設(shè)額碳化硅項目：其M220 SiC電驅(qū)已在今年宣布量產(chǎn)下線，M190-150（SiC）電驅(qū)生產(chǎn)準(zhǔn)備建設(shè)項目則處于擬審批階段。M220 SiC電驅(qū)作是一汽紅旗HME平臺的核心總成，匹配EH7、E202、E702等5款新能源主銷車型，也是產(chǎn)品項目CEO制改革后首批量產(chǎn)的動力總成產(chǎn)品；M190-150（SiC）電驅(qū)生產(chǎn)準(zhǔn)備建設(shè)項目建成后，將實現(xiàn)M190-150（SiC）電驅(qū)系統(tǒng)與M220電驅(qū)系統(tǒng)共線產(chǎn)能20萬（臺）/年，其中M190-150（SiC）電驅(qū)系統(tǒng)產(chǎn)能14萬（臺）/年。

部分廠商加速項目進程和產(chǎn)品出貨：芯塔電子SiC模塊大批交付，湖州功率模塊封裝產(chǎn)線總投資1億元，于2024年初正式通線，目前處于量產(chǎn)爬坡階段。產(chǎn)線全部達產(chǎn)后，將年產(chǎn)100萬套功率模塊，預(yù)估年產(chǎn)值3億元；冠嵐新材料年產(chǎn)1600噸碳化硅襯底材料項目簽約，該公司主要產(chǎn)品為大尺寸、高純度、低成本第三代半導(dǎo)體SiC原材料、SiC鍍膜，目前國產(chǎn)化原材料產(chǎn)品已驗證完成，獲國內(nèi)外多家客戶認證；總投資50億的中順通利半導(dǎo)體功率器件項目簽約，項目擬建設(shè)特種及車規(guī)級功率器件封裝測試生產(chǎn)線、集團企業(yè)總部集群等。

與此同時，并購方針狂熱執(zhí)行，企業(yè)紛紛擴大麾下軍，近期碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域出現(xiàn)了多件收購案：純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商Tagore，包括后者專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合；Guerrilla RF收購Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合，該公司表示將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實現(xiàn)商業(yè)化….

從本質(zhì)看，三代半魅力何在？

第一代半導(dǎo)體材料以Si（硅）、Ge（鍺）等為主，Si以優(yōu)異性能、低廉價格及成熟的工藝，在大規(guī)模集成電路領(lǐng)域地位明顯；第二代半導(dǎo)體材料包括GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）等，GaAs主要應(yīng)用于大功率發(fā)光電子器件和射頻器件；第三代半導(dǎo)體也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為主，GaN主要應(yīng)用于光電器件和微波射頻器件，SiC主要用于功率器件。

得益于自身優(yōu)秀的物理特性及產(chǎn)業(yè)端的快速拉動，第三代半導(dǎo)體已然成為了業(yè)界“寵兒”。碳化硅方面，從物理特性上看，相比傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體材料，SiC擁有3倍的禁帶寬度、3倍的熱導(dǎo)率、近10倍的擊穿場強、以及2倍的電子飽和漂移速率。此外業(yè)界稱，理論上，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300。

需求端來看，SiC功率器件具備耐高壓，耐高溫，低能耗，小型化的特點，可以廣泛應(yīng)用于電動/混動汽車、充電樁/充電站、高鐵軌交、光伏逆變器中。目前，碳化硅已發(fā)展成為綜合性能最好、產(chǎn)業(yè)化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。

氮化鎵方面，主要有Si基和SiC基兩種。GaN-on-Si主要應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，用作高功率開關(guān)。GaN-on-SiC 主要應(yīng)用于射頻領(lǐng)域，主要得益于SiC的高導(dǎo)熱率以及低RFloss，適用于功率較大的宏基站。需求端方面，GaN功率器件憑其高頻率、低損耗、低成本的特點，可以廣泛使用于智能終端快充、數(shù)據(jù)中心、車規(guī)級充電場景中；GaN微波器件則因其高頻率、高功率、高效率可以廣泛地應(yīng)用于宏基站/小微基站、智能終端、軍用雷達、衛(wèi)星通訊等領(lǐng)域。

從市場前景來看，碳化硅市場步入高速增長階段，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究表示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估至2028年，全球SiC功率器件市場規(guī)模有望上升至91.7億美元。

目前，GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費電子所驅(qū)動，核心仍在于快速充電器，其他消費電子場景還包括D類音頻、無線充電等。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達65%。

結(jié)語

第三代半導(dǎo)體材料在新能源汽車、信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域充分發(fā)揮其優(yōu)異的性能，目前已成為推動諸多產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新升級的重要引擎。而基礎(chǔ)研究能力、關(guān)鍵裝備和原材料等涉及產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈安全的問題仍是關(guān)鍵，也正由此，今年以來產(chǎn)業(yè)動態(tài)頻頻，上中下游廠商紛紛下場實施前瞻性策略，業(yè)界認為，屬于第三代半導(dǎo)體的時代正在敲門。

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其中，SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車已成為其主要應(yīng)用市場之一。與硅基器件相比，SiC功率器件能更好地滿足高壓快充需求，助力新能源汽車延長續(xù)航里程、縮短充電時長、提高電池容量、實現(xiàn)車身輕量化。

目前，特斯拉、比亞迪、理想、蔚來、小米等全球多家車企的熱門車型均已搭載使用SiC器件。隨著SiC技術(shù)進步和產(chǎn)能擴張，帶動良率提升和成本下降，SiC功率器件有望在新能源汽車領(lǐng)域加速滲透，向高中低端車型普及應(yīng)用。

除新能源汽車外，SiC的潛力應(yīng)用市場還包括工業(yè)、光儲充、軌道交通等領(lǐng)域，并有望在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)實現(xiàn)較快增長。

GaN器件可以實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、更少的功率損耗和更小的模塊體積，廣泛應(yīng)用于低功率消費電子市場，并正在逐步向汽車、高功率數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、通信電源等應(yīng)用場景滲透。

整體來看，SiC、GaN具有光明的發(fā)展前景以及廣闊的應(yīng)用空間。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC功率器件市場規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達25%；而全球GaN功率器件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金增長到2026年的13.3億美金，CAGR高達65%。

而AI技術(shù)的持續(xù)突破，使其逐步從作為行業(yè)發(fā)展的有益補充，轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)業(yè)數(shù)字化智能化轉(zhuǎn)型的核心競爭力。未來，AI有望像水和電一樣，賦能千行百業(yè)，促進社會的進步與發(fā)展。

作為當(dāng)前備受關(guān)注的兩大賽道，以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體和AI將會碰撞出怎樣的火花？

01、AI賦能第三代半導(dǎo)體

近年來，深度學(xué)習(xí)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等技術(shù)的廣泛應(yīng)用使得AI在圖像識別、語音識別、自然語言處理等領(lǐng)域達到了甚至超越人類的水平。目前，AI在諸如醫(yī)療、金融、教育等傳統(tǒng)行業(yè)的應(yīng)用取得了顯著成果。
那么，既然AI如此強大，能否將相關(guān)技術(shù)用于正在蓬勃發(fā)展的第三代半導(dǎo)體等前沿領(lǐng)域？答案是肯定的，事實上，業(yè)內(nèi)很早就已開始了相關(guān)探索。

早在2021年11月，日本名古屋大學(xué)的宇治原徹教授等人開發(fā)出了利用AI高精度制造新一代半導(dǎo)體使用的SiC結(jié)晶的方法。這種方法能將結(jié)晶缺陷數(shù)量降至原來百分之一，提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)的成品率。這一技術(shù)突破，在一定程度上顯示了AI在SiC產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用潛力。

既然如此，在SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)探索AI技術(shù)應(yīng)用，也有望獲得相應(yīng)的提升。
在半導(dǎo)體芯片設(shè)計過程中，AI技術(shù)能夠預(yù)測和解決設(shè)計流程中的問題，有助于提高設(shè)計的精確性與效率，并縮短設(shè)計周期。對于SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體而言，同樣可以進行相關(guān)應(yīng)用研究，以期在芯片設(shè)計方面獲得回報。

而在半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域，AI技術(shù)的滲透進展較快。2021年，半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)AMAT便推出了基于大數(shù)據(jù)和AI的ExtractAI。據(jù)了解，由應(yīng)用材料公司數(shù)據(jù)科學(xué)家開發(fā)的ExtractAI技術(shù)解決了艱巨的晶圓檢測問題。

在此基礎(chǔ)上，國內(nèi)部分SiC檢測設(shè)備廠商也進行了相關(guān)研究，并有成果產(chǎn)出。例如，大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司（下文簡稱創(chuàng)銳光譜）在去年12月推出了SiC襯底晶圓位錯無損檢測專用設(shè)備SIC-SUB-9900。結(jié)合AI識別，可對襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實現(xiàn)精準(zhǔn)的識別和分類（以目前行業(yè)中廣泛應(yīng)用的堿液腐蝕法的結(jié)果為參照，識別準(zhǔn)確率達到90%以上）。

華工科技產(chǎn)業(yè)股份有限公司（以下簡稱華工科技）則將傳統(tǒng)算法與AI算法結(jié)合，使得SiC襯底外觀缺陷檢測智能裝備能夠檢測十余種常態(tài)/非常態(tài)缺陷，將缺陷成像清晰度較傳統(tǒng)方式提升25%，并且運算能力也提升了45%，在提升成像質(zhì)量的同時保證檢測速度不降速，讓缺陷更易識別。

伴隨著創(chuàng)銳光譜、華工科技等廠商SiC檢測設(shè)備的推廣應(yīng)用，AI技術(shù)在SiC產(chǎn)業(yè)的影響力有望進一步提升，并通過產(chǎn)生的增益效果帶動更多廠商加入SiC產(chǎn)業(yè)甚至是整個第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的AI應(yīng)用研究行列。

綜合來看，AI可以用來增強化合物半導(dǎo)體企業(yè)內(nèi)部的運營與管理、客戶服務(wù)、辦公流程優(yōu)化等。同時，AI在數(shù)據(jù)分析、機器學(xué)習(xí)等方面的強大能力，能夠加速化合物半導(dǎo)體新材料的篩選和設(shè)計過程，從而降低研發(fā)周期和成本。AI的應(yīng)用，有望推動化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)智能化升級。

02、第三代半導(dǎo)體助推AI騰飛

在AI技術(shù)推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的同時，SiC、GaN的身影也越來越頻繁的出現(xiàn)在AI領(lǐng)域。SiC、GaN材料適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，能有效提高系統(tǒng)的效率，隨著AI在功能、功耗等方面提出更高的要求，SiC、GaN的應(yīng)用優(yōu)勢正在逐步顯現(xiàn)。

其中，伴隨著AI的蓬勃發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對電力的需求高速成長，激增的用電量促使數(shù)據(jù)中心運營商亟需尋找創(chuàng)新電力解決方案。而SiC 、GaN功率器件能夠帶來更高的效率水平，效率提高意味著能源損耗減少，設(shè)備也能減少過熱情形，進而可以減少散熱設(shè)備投入，降低系統(tǒng)成本?；诖耍琒iC 、GaN成為數(shù)據(jù)中心優(yōu)化能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一，SiC 、GaN功率器件在數(shù)據(jù)中心電力系統(tǒng)中的應(yīng)用有望加速。

產(chǎn)業(yè)化進展方面，英飛凌近日擴展了其SiC MOSFET產(chǎn)品線，推出電壓低于650V的新產(chǎn)品，以滿足AI服務(wù)器電源的需求。

納微半導(dǎo)體則在今年3月公布了其AI數(shù)據(jù)中心技術(shù)路線圖，為滿足預(yù)計在未來12-18月內(nèi)增長的AI處理器功率需求，路線圖中的產(chǎn)品功率將提高3倍。

據(jù)悉，類似NVIDIA的“Grace Hopper”H100這樣的高性能AI處理器目前功率要求已達700W，下一代“Blackwell”B100和B200芯片預(yù)計將在明年增加到1000W或更高。

為了滿足AI處理器功率增長，納微正在開發(fā)從3kW提升到10kW的服務(wù)器電源平臺。2023年8月，納微推出3.2kW數(shù)據(jù)中心電源平臺，采用最新的GaN技術(shù)，功率密度超過100W/in3，效率超過96.5%。現(xiàn)在，納微又發(fā)布了一個4.5kW平臺，該平臺由GaN和SiC相結(jié)合，可將功率密度提高到130W/in3以上，效率超過97%。

此外，很多AI應(yīng)用都涉及到高速的實時數(shù)據(jù)通信，如智能交通、智能家居和智能港口等，針對這類應(yīng)用場景，基于GaN技術(shù)的通訊芯片有望獲得導(dǎo)入機會，進而助推AI進一步延伸應(yīng)用領(lǐng)域。

目前來看，SiC、GaN在AI服務(wù)器的應(yīng)用有望率先獲得突破，進而推動包括AIGC在內(nèi)的AI產(chǎn)業(yè)鏈進一步發(fā)展。未來，SiC、GaN有望在AI領(lǐng)域內(nèi)持續(xù)拓展應(yīng)用場景。

03、總結(jié)

盡管AI技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用進程仍然處于早期階段，產(chǎn)業(yè)化成果較少，但這些為數(shù)不多的進展，已然能夠讓業(yè)界清晰地感知到AI有望成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一股強大動力。

尤其是在SiC材料價格戰(zhàn)即將打響、行業(yè)聚焦降本增效的關(guān)鍵時刻，AI技術(shù)應(yīng)用帶來的良率提升、成本下降等方面的積極意義將會體現(xiàn)的更加充分?；诖耍珹I在SiC產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)的參與度將會持續(xù)提升，并向GaN領(lǐng)域延伸。

在AI助推第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時，SiC和GaN也正在成為AI產(chǎn)業(yè)騰飛的雙翼。AI的飛速發(fā)展，對提供支撐的數(shù)據(jù)中心等設(shè)施性能要求越來越高，而SiC、GaN器件以其優(yōu)秀的表現(xiàn)，正在成為相關(guān)設(shè)施迭代升級的突破口，部分國際功率器件大廠正在為此積極努力，持續(xù)研發(fā)新一代產(chǎn)品，助推AI產(chǎn)業(yè)更加穩(wěn)健地發(fā)展。

目前，以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體和AI都在不斷拓展應(yīng)用邊界，向更多領(lǐng)域滲透，二者將會有越來越多的交集，協(xié)同發(fā)展已是大勢所趨。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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