Tag Archives: 氮化鎵

全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 12 日 14:55 | 分類 企業(yè)
9月11日，英飛凌宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。 source：英飛凌 英飛凌表示，公司是全球首家在現(xiàn)有可擴(kuò)展的大批量生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的公司。這一突破將極大地推動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。 英飛凌表示，12英寸晶圓與...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵，新輔助？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 10 日 14:37 | 分類 功率
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。 2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。 圖片來源：信越化學(xué) 從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN...  [詳內(nèi)文]

三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 05 日 8:41 | 分類 產(chǎn)業(yè)
根據(jù)韓媒報(bào)道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。 GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢(shì)，IT、電信和汽車等行業(yè)對(duì)其的需求正在增加。 三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力，并一直...  [詳內(nèi)文]

化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域廠商合作案+2
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 04 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新增2起合作案例，分別為矽迪半導(dǎo)體&永陽集團(tuán)戰(zhàn)略合作簽約、Finwave與GlobalFoundries合作開發(fā)用于手機(jī)應(yīng)用的RF GaN-on-Si技術(shù)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 矽迪半導(dǎo)體與永陽集團(tuán)舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式 9月3日，據(jù)矽迪半...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成將新增氮化鎵產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 03 日 18:11 | 分類 企業(yè)
9月2日晚，芯聯(lián)集成披露了公司2024年上半年業(yè)績電話說明會(huì)相關(guān)內(nèi)容。會(huì)上，芯聯(lián)集成表示，公司將增加GaN產(chǎn)品線，來滿足新應(yīng)用的需求。 根據(jù)芯聯(lián)集成2024年半年報(bào)顯示，報(bào)告期內(nèi)，芯聯(lián)集成實(shí)現(xiàn)營收28.80億元，同比增長14.27%；歸母凈利潤-4.71億元，歸母扣非凈利潤-7....  [詳內(nèi)文]

氮化鎵激光芯片廠商鎵銳芯光完成天使輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 03 日 18:00 | 分類 企業(yè)
企查查資料顯示，8月29日，蘇州鎵銳芯光科技有限公司（以下簡稱：鎵銳芯光）完成天使輪融資，投資方分別為深圳水木壹號(hào)創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）、蘇州華泰華芯太湖光子產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和深圳市繹立銳光科技開發(fā)有限公司。鎵銳芯光成立于2023年5月，是一家氮化鎵基激光器...  [詳內(nèi)文]

碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域新增2起投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 21 日 17:51 | 分類 功率
8月20日，中國臺(tái)灣新竹科學(xué)園公告了第18次園區(qū)審議會(huì)核準(zhǔn)投資案（竹科）詳情。其中，環(huán)翔科技股份有限公司（下文簡稱“環(huán)翔科技”）、碳矽電子股份有限公司（下文簡稱“碳矽電子”）增資議案被批通過，二者分在氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）領(lǐng)域有所布局。 公告顯示，環(huán)翔科技此次獲資金額...  [詳內(nèi)文]

AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等引燃，氮化鎵打響“翻身仗”！
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 20 日 17:43 | 分類 氮化鎵GaN
從歡呼聲到質(zhì)疑聲，GaN（氮化鎵）近幾年在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)并非一路坦途，中間呈現(xiàn)出些許“雷聲大雨點(diǎn)小”的態(tài)勢(shì)，但GaN巨大的應(yīng)用潛力一直毋庸置疑，用心挖掘其技術(shù)潛能并認(rèn)真耕耘市場(chǎng)的企業(yè)深知，GaN只是還沒到綻放的時(shí)機(jī)。而當(dāng)下多種跡象逐漸證明，GaN將迎來華麗轉(zhuǎn)身，如今的走向與當(dāng)初看...  [詳內(nèi)文]

WaveLoad計(jì)劃明年初量產(chǎn)氮化鎵外延片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 19 日 17:25 | 分類 企業(yè)
8月18日，WaveLoad對(duì)外宣布，公司計(jì)劃明年年初量產(chǎn)氮化鎵外延片。 WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達(dá)1000級(jí)的無塵室，可批量生產(chǎn)氮化鎵外延片。該設(shè)施可生產(chǎn)4英寸和8英寸氮化鎵外延片，產(chǎn)能分別為2,000片/月和500片/月。目前，Wave...  [詳內(nèi)文]

印度或?qū)⒎謩e新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 15 日 17:50 | 分類 功率
8月14日，據(jù)外媒報(bào)道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。 LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司...  [詳內(nèi)文]